שוק זיכרונות ה-NAND עובד לייצור תלת-מימדי

8 אוקטובר, 2013

בשנה הבאה מתחילה הצמיחה האמיתית: 5.2% משבבי זיכרון NAND ייוצרו בטכנולוגיות תלת-מימדיות בשנת 2014, ו-30.2% בשנת 2015. עד שנת 2016 יועבר רוב הייצור לטכנולוגיות החדשות – 65.2% מכל זיכרונות ה-NAND שייוצרו בעולם

"רכיבי NAND פלנאריים נעשים כל-כך ירודים שהם מתאימים רק למוצרים זולים"

טכנולוגות ייצור השבבים הקיימות מתקרבות לגבולות היכולת בתחום שבבי הזיכרון מסוג NAND, ולכן התעשייה תתחיל לאמץ בשנים האחרונות את הייצור התלת מימדי (3-D Production), כך מעריכה חברת המחקר IHS, במחקר שפירסמה לאחרונה על שוק הזיכרונות העולמי (Flash Dynamics brief).

זיכרונות NAND הם רכיבי זיכרון בלתי נדיף המשמשים בעיקר לאיחסון מידע בכוננים מבוססי שבבים (Solid State Drives), כונני USB ניידים וכזיכרון המרכזי באבזרים דוגמת טאבלטים וסמארטפונים.

טכנולוגיות ייצור תלת מימדיות הינן טכנולוגיות חדשות שבהן מייצרים פריסה חדשה של השכבות במוליך למחצה שמהן מיוצר טרנזיסטור. בשיטות החדשות הטרנזיסטור מיוצר בהנחת שכבות אנכית במקום בשיטה אופקית (Planar). בדרך זו מתקבלים שערים בעלי תכונות חשמליות ומהירות תגובה משופרות, בלא צורך להעביר את מפעל הייצור לגיאומטריות ייצור קטנות יותר.

טכניקת הייצור התלת-מימדית הנפוצה ביותר נקראת FinFET ונמצאת בשלבי כניסה לתעשיית השבבים. כך למשל, לחברות אינטל ו-TSMC יש גרסאות משלהן לתהליכי FinFET. כיום מייצרת אינטל את כל מעבדיה החדשים בתהליך FinFET עצמי בשם Tri-Gate.

להערכת חברת המחקר, בשנת 2013 יוצרו רק 1% מרכיבי ה-NAND בטכנולוגיות תלת-מימדיות. אולם בשנה הבאה מתחילה הצמיחה האמיתית: 5.2% מהרכיבים ייוצרו בטכנולוגיות תלת-מימדיות ב-2014, ו-30.2% בשנת 2015. עד שנת 2016 יועבר רוב הייצור לטכנולוגיות החדשות – 65.2% מכל רכיבי הזיכרון שייוצרו בעולם.

אנליסט בכיר של IHS לתחום הזיכרונות, די רובינסון, הסביר שככל שיצרניות הזיכרון מקטינות את גיאומטריית הייצור, הן נתקלות בבעיות ביצועים, אמינות וקשיים בייצור הליתוגרפיות. "ביצועי הרכיבים נעשים כל-כך ירודים שהם מתאימים לשימוש רק במוצרי הצריכה הזולים ביותר.

"מכיוון שיצרני הזיכרונות נדחפים לספק רכיבים בעלי צפיפות גוברת ומחיר נמוך – הם ייאלצו לעבור לייצור תלת-מימדי". הדבר בולט במיוחד במכשירי טאבלט וסמארטפון, אשר דורשים זיכרונות גדולים מאוד ואמינים מאוד.

שתי החברות המובילות בתחום רכיבי הזיכרון, סמסונג והייניקס (Hynix), כבר הודיעו על תוכניות ייצור תלת-מימדיות נרחבות. ברבעון השני של 2013 החלה סמסונג לייצר כונני SSD בטכנולוגיית V-NAND (הגירסה של סמסונג ל-NAND תלת-מימדי) בנפח של 480 ו-960 ג'יגה-בייט. החברה שלהערכתה טכנולוגיית V-NAND אמינה יותר וחסכונית יותר באנרגיה מייצור בגיאומטריה של 10-20 ננומטר.

חברת הייניקס הודיעה שבכוונתה לנקוט באסטרטגיה כפולה: לייצר כוננים קשיחים בנפח של 128 ג'גה-בייט בטכנולוגיה הדומה ל-V-NAND, במקביל להשלמת ההיערכות לייצור רגיל בגיאומטריה של 16 ננומטר.

חברות אחרות בתעשייה, החליטו לדחות לפחות בדור טכנולוגי אחד את המעבר של רכיבי NAND לייצור תלת-מימדי. בין החברות הללו: סנדיסק, טושיבה ומיקרון.

פורסם בקטגוריות: חדשות , מחקרים ונתוני שוק , סמיקונדקטורס