שוק רכיבי GaN ו-SiC יגיע להיקף של מיליארד דולר ב-2020

13 מרץ, 2016

להערכת חברת IHS, שוק רכיבי ההספק מבוססי SiC ו-GaN נמצא בצמיחה ויגיע להיקף של 1 מיליארד דולר ב-2020 ו-3.7 מיליארד דולר ב-2025

להערכת חברת IHS, שוק רכיבי ההספק מבוססי SiC ו-GaN נמצא בצמיחה ויגיע להיקף של 1 מיליארד דולר ב-2020 ו-3.7 מיליארד דולר ב-2025

IHS-MARKET

שוק רכיבי ההספק מבוססי צורן קרביד (SiC) וגליום ניטריד (GaN) נמצא בצמיחה בעקבות הביקוש מצד יצרני רכבים היברידיים וחשמליים, ספקי כוח ומהפכים פוטו-וולטאים (PV). כך סבורה חברת המחקר IHS בדו"ח מוליכים מבוססי SiC) ו-GaN. להערכת החברה, היקף השוק של הרכיבים האלה יצמח ל-3.7 מיליארד דולר בשנת 2025, בהשוואה לכ-215 מיליון דולר בלבד בשנת 2015.

דיודות שוטקי מ-SiC קיימות בשוק כבר יותר מעשור ומשמשות הרכיבי MOSFET, טרנזיסטורי JFET וטרנזיסטורי BJT). טרנזיסטורי MOSFET מצורן קרביד זוכים לפופולריות גבוה בקרב היצרנים, במיוחד עם הכניסה לשימוש של טרנזיסטורי MOSFET 900V במחיר תחרותי לזה של טרנזיסטורים מקבילים מסיליקון. בנוסף, התחרות הגוברת בין היצרנים הובילה לירידת מחירים ב-2015.

"הצניחה במחיר תזרז את היצרנים לאמץ את הטכנולוגיה", אמר ריצ'ארד אדן, אנליסט בכיר ב-IHS. "בניגוד למוצרי SiC, טרנזיסטורים ומודולים מ-GaN הגיעו לשוק אך לאחרונה. גליום ניטריד הוא מוליך למחצה המאפשר פעילות במתח גבוה הרבה יותר, ובעל תכונות דומות ל-SiC, אך פוטנציאל החיסכון בעלויות שטמון בו הוא גדול בהרבה.

"יתרון של ממש בביצועים ובמחיר אפשרי, שכן ניתן לגדל מכשירי גליום ניטריד על מצעי סיליקון גדולים יותר ויקרים פחות ממה שמתאפשר בשימוש בצורן קרביד. למרות שטרנזיסטורי GaN הם תופעה חדשה בשוק, הפיתוח של דיודות שוטקי מגליום ניטריד נפסק כמעט לחלוטין".

נתח שוק משמעותי

חברת IHS צופה כי העלות והביצועים של רכיבי גליום ניטריד על מצע סיליקיון (SI) ישתוו לאלה של רכיבי MOSFET על מצע סיליקון ושל טרנזיסטורי הספק מסוג IGBT. כאשר תושג נקודת השוויון, צפוי שוק ה-GaN להגיע להיקף של יותר מ-600 מיליון דולר בשנת 2025. השוק הגדול והמבוסס יותר הוא של רכיבי שוק SiC, בעיקר בעיקר במודולי הספק, וצפוי לצמוח לכ-3 מיליארד דולר ב-2025.

מכירות MOSFET מצורן קרביד ייצרו הכנסות של יותר מ-300 מיליון דולר, וכמעט ידביקו את המכירות של דיודות השוטקי ויהיו רכיב ההספק הבדיד (דיסקרטי) הנמכר ביותר מצורן קרביד. טרנזיסטורי JFET וטרנזיסטורי BJT צפויים לייצר הכנסות פחותות בהרבה, למרות עלייה משמעותית באמינות, בביצועים ותמחור סביר.

"בעוד שמשתמשי הקצה מעדיפים כיום רכיבי MOSFET מצורן קרביד, הרי ש-JFET ו-BJT צפויים להישאר מוצרי נישה לשימושים פרטניים מאוד", הסביר אדן. "עם זאת, ההכנסות הגדולות ביותר צפויות ממכירה של מודולי הספק היברידיים ומלאים מצורן קרביד".

Share via Whatsapp

פורסם בקטגוריות: חדשות , מחקרים ונתוני שוק , סמיקונדקטורס