יבמ וסמסונג יפתחו ביחד טכנולוגיית ייצור בגיאומטריה של 20 ננומטר
16 ינואר, 2011
חוקרי סמסונג יצטרפו למעבדות יבמ בניו-יורק. בשלב הראשון יתמקד המחקר בפיתוח תהליכי ייצור שבבי CMOS בגיאומטריה של 20 ננומטר, במטרה לפתח דור חדש של רכיבים חסכוניים בהספק. בהמשך יתמקדו החוקרים בתהליכים זעירים יותר
יבמ וסמסונג חתמו על הסכם לשיתוף פעולה בחוקר חומרים חדשים ותהליכי ייצור חדשים של חצאי מוליכים, מתוך כוונה לפתח טכנולוגיית סמיקונדוקטורס חדשה. בעקבות ההסכם, חוקרים של סמסונג יצטרפו לצוותי יבמ במעבדת המחקר המרכזית של החברה, Albany Nanotech Complex בניו-יורק.
ההסכם מיועד לפתח טכנולוגיה חדשה עבור אבזרי אלקטרוניקה צרכנית, ובמיוחד אבזרים ניידים ומקוונים. "שיתוף פעולה בתחום החדשנות הוא חיוני לפיתוח מוצרים צרכניים מסוגים חדשים ולמתודות מחשוב חדשות", אמר אמר מנהל IBM Microelectronics, מייקל קאדיגן. "סאמסונג תעבוד איתנו על מחקר ופיתוח השלבים הבסיסייים ביותר של התהליך".
על-פי ההסכם, המחקר והפיתוח יתמקדו בשלב הראשון בפיתוח תהליכי ייצור של שבבי CMOS בגיאומטריה של 20 ננומטר, במטרה לפתח דור חדש של שבבים שהם בעלי ביצועים גבוהים וחסכוניים בהספק. בהמשך יתמקדו החוקרים בתהליכים זעירים יותר.
פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס
