טאואר-ג'אז מרחיבה את כושר הייצור של שבבי SiGe

26 אפריל, 2011

הודיעה על זמינותה של פלטפורמת ייצור חדשה מהאפשרת לה לייצר שבבים ליישומי זמן-אמת מהירים. בעקבות ההכרזה החדשה, מתרחב כושר הייצור של רכיבי SiGe מתוצרתה לטווח הגיאומטריות 0.13-0.35 מיקרון

בעקבות ההכרזה החדשה, מתרחב כושר הייצור של רכיבי SiGe מתוצרתה לטווח הגיאומטריות 0.13-0.35 מיקרון

חברת טאואר-ג'אז (TowerJazz) הודיעה היום על זמינתוה של פלטפורמת הייצור החדשה, SBC18H3, המאפשרת לייצר שבבים ליישומים מהירים מאוד בטכנולוגיית SiGe. מדובר בטכנולוגיית SiGe מהדור השלישי של טואור. היא מיועדת ליישומים הדורשים זמני תגובה מהירים מאוד, דוגמת מערכות אוטומטיות למניעת התנגשות כלי-רכב, מערכות הדמייה, מערכות מכ"ם ועוד.

מנהל חטיבת RF/HPA בטאואר-ג'אז, ד"ר מרקו רקאנלי, אמר שהפלטפורמה פעילה בשני מתקני הייצור של החברה, בארה"ב ובמגדל העמק, ומעניקה לחברה יכולת ייצור רכיבי SiGe בטווח גיאומטריות של 0.13-0.35 מיקרון.

חברת טאואר-ג'אז היא יצרנית שבבים עצמאית המספקת שירותי ייצור מתמחים בגיאומטריות 0.13-1.0 מיקרון. לחברה מתקו ייצור בארה"ב, מתקן ייצור בישראל, ונגישות למתקני ייצור בסין, בעקבות הסכמי שיתוף פעולה עם מתקני הייצור הסיניים HHNEC ו-ASMC.

בשנה האחרונה השיגה החברה תוצאות שיא והיקף מכירותיה הסתכם ביותר מחצי מיליארד דולר. לאחרונה היא הודיעה על חתימת הסכם הבנות לרכישת מתקן ייצור ביפן בסכום של כ-140 מיליון דולר.

עוד על יצרנית השבבים הישראלית: טאואר רוכשת מפעל ביפן

פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס , תעשייה ישראלית