TI הכריזה על בקר MSP430 חדש הכולל זיכרון מסוג FRAM

10 מאי, 2011

הזיכרון מפחית את צריכת ההספק של הבקר בכ-50%, ומאפשר ליישם אותו במערכות אלחוטיות הפועלות ללא שימוש בסוללה

הזיכרון מפחית את צריכת ההספק של הבקר בכ-50%, ומאפשר ליישם מערכות אלחוטיות ללא שימוש בסוללה

חברת טקסס אינסטרומנטס (TI), הכריזה על מיקרו-בקרים 16 סיביות הראשונים בתעשייה הכוללים זיכרון פרו-אלקטרי לגישה אקראית (Ferroelectric RAM).

הסדרה MSP430FR57xx כוללת את זיכרון FRAM החדש, המאפשר לכתוב נתונים במהירות גדולה פי 100 מהגרסאות הקודמות, ולעבוד בהספק נמוך פי 250 מאשר בקרים המבוססים על זיכרון הבזק (Flash) זיכרון EEPROM.

בנוסף, זיכרון ה-FRAM מאפשר לשמור נתונים בכל מצבי ההספק, תומך ביותר ממאה טריליון מחזורי כתיבה ומספק ממד חדש של גמישות בזכות היכולת לבצע באמצעות תוכנה חלוקות פנימיות של מחיצות בין גושי נתונים ותוכנות.

אלטרנטיבה חסכונית

זיכרון FRAM הוא זיכרון בלתי נדיף הבנוי באופן דומה לזיכרון DRAM, אולם הוא מבוסס על שימוש בשכבה דקה של חומר פרו-אלקטרי במקום בחומר דיאלקטרי לצורך השגת יכולת שמירת המידע בתא הזיכרון. מדובר באחת מטכנולוגיות חדשות המציעות אפשרויות אלטרנטיביות לזיכרונות הבזק. יתרונותיו בהשוואה לזיכרונות הבזק כוללים הספק עבודה נמוך יותר, מהירות קריאה/קריאה גבוהות יותר ואורך חיים גדול יותר (מספר מחזורי כתיבה/קריאה). החסרונות הבולטים הם צפיפות נמוכה ועלות גבוהות יותר.

השימוש בזיכרון FRAM משפר ב-50% את צריכת ההספק של המיקרו-בקרים. משפחת FR57xx מגיעה לרמת צריכה של  100µA/MHz במוד פעיל ו-3µA במוד זמן-אמת. היא תומכת ביותר מ-100 טריליון מחזורי כתיבה, החוסכת את הצורך להיעזר בגיבוי של זיכרונות EEPROM או SRAM מגובי סוללה.

זיכרון ה-FRAM בנוי בטכנולוגיית 130 ננומטר ומגיע בנפח של 16kB. המיקרו-בקר החדש תואם לחלוטין לתוכנות הנכתבות עבור כל משפחת MSP, וכולל גם ממיר ADC 10 סיביות וערוצי SPI/I2C/UART. הוא מיועד לשימוש בעיקר במערכות אלחוטיות ומאפשר לפתח מערכות אלחוטיות חכמות הפועלות ללא סוללה, ולבצע באמינות עידכוני תוכנה מרחוק.

פורסם בקטגוריות: חדשות , רכיבים