טאואר-ג'אז תפתח עבור משרד הביטחון האמריקאי תהליך חדש לייצור שבבים מהירים

9 יוני, 2011

טאואר זכתה במכרז של DARPA בזכות טכנולוגיית BiCMOS שפיתחה, המאפשרת לייצר רכיבי אותות מעורבים הכוללים טרנזיסטורים מסוגים שונים. הפרוייקט יאפשר לייצר רכיבים בסדרות קצרות עבור מערכות מיקרוגל עתירות ביצועים

הפרוייקט יאפשר לייצר סדרות קצרות של רכיבי מיקרוגל עתירי ביצועים

שבבים אופטיקה טאואר DARPA semiconductors towerjazzחברת טאואר-ג'אז (TowerJazz) נבחרה על ידי הסוכנות למחקרי ביטחון מתקדמים (DARPA) של משרד הביטחון האמריקאי, לבצע פיתוח משותף של טכנולוגיה חדשה לייצור חצאי-מוליכים מהירים מאוד. הפרוייקט יתבצע באמצעות Jazz Semiconductor, החברה הבת של טאואר בארצות הברית, בשיתוף עם אוניברסיטת סן-דיאגו שבקליפורניה.

כשל שוק

לפני שנה וחצי פירסמה סוכנות DARPA בקשה להצעת פיתרון לבעייה שהטרידה את צבא ארה"ב. הצבא זקוק לרכיבים עתירי ביצועים עבור מערכות צבאיות, אולם תעשיית השבבים ממוקדת בתהליכי ייצור המוניים, ולכן לא מצליחה לספק למערכת הביטחון את טכנולוגיות הייצור המתקדמות ביותר.

CMOS BIPOLAR SEMICONDUCTORS DARPA TOERJAZZ
שימוש בסריג אופטי לצד מסיכות ליתוגרפיה סטנדרטיות

הסוכנות ביקשה לפתח טכנולוגיה המאפשרת לייצר רכיבים צבאיים בכמויות קטנות ובעלות סבירה, הכוללים זיכרונות, לוגיקה ומעגלי RF, שבהם מימדי הטרנזיסטור מתחרים במימדי הייצור ההמוני בתעשיית השבבים.

הפרוייקט תוקצב ב-15 מיליון דולר. הטכנולוגיה מבוססת על שימוש באמצעים אופטיים חדשים של עקיפה והתאבכות גלים (Gratings and Trim Exposures), לצד טכנולוגיית ייצור מסיכות סטנדרטית, המאפשרת להוזיל את הייצור של חצאי מוליכים במימדים קטנים.

הפרוייקט מיועד לפיתוח שיטות ייצור  של רכיבי SiGe HBT, שהם רכיבי סיליקון גרמניום שבהם משולבי טרנסיטורים בי-פולאריים (HBT), ומיועדים לשמש ברכיבי זיכרון וברכיבים לאותו מעורבים, הכוללים גם מעגלים לוגיים וגם מעגלים אלחוטיים (RF).

פלטפורמת BiCMOS של טאואר

טאואר-ג'אז ניבחרה בזכות פלטפורמת BiCMOS שפיתחה, המאפשרת לייצר רכיבי אותות מעורבים הכוללים טרנסיטורי CMOS וטרנזיסטורים בי-פולאריים. כיום היא מייצרת רכיבים בגיאומטריות של 350 ננומטר, 180 ננומטר ו-130 ננומטר למרכיב ה-CMOS, ורכיבי HBT המיועדים לעבודה בתדרים של 60GHz-260GHz.

במסגרת הפרוייקט המשותף עם DARPA, היא תפתח שיטות המאפשרות להשתמש בטכנולוגיות שלה לייצור רכיבים העובדים בתדרים אלחוטיים של 200-300GHz, 300-400GHz, ובשלב האחרון רכיבים לתדרים של 400-500GHz.

הפרוייקט יתבצע בשיתוף עם אוניברסיטת סן דיאגו, אשר תפתח רכיבי הדגמה, שיטות בדיקה ואיפיון רכיבים לתדר גבוה מאוד. בנוסף, האוניברסיטה תפתח שיטות קישוריות חדשות בתוך השבב וקבלים זעירים שישולבו בתוך הרכיבים. פיתוחים אלה ישמשו לבניית ערכת פיתוח המאפשרת לתכנן רכיבים עבור יישומי מיקרוגל.

Share via Whatsapp

פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס , תעופה וביטחון , תעשייה ישראלית