טאואר מתחילה בייצור שבבי RF עבור משרד ההגנה האמריקאי

29 מרץ, 2012

זאת בעקבות השלמת הפיתוח של שבב הכולל מטריצה של אנטנות עבור מערכות מכ"ם זעירות מסוג Phased Array. הפרוייקט בוצע בשיתוף פעולה עם האוניברסיטה של קליפורניה בסן-דיאגו, ומומן בחלקו על-ידי הסוכנות למחקרי ביטחון מתקדמים (DARPA) של ארצות הברית

מדובר ברכיב לאותות מעורבים הכולל מעגלי RF ורכיבים אקטיביים ופסיביים

חברת טאואר-ג'אז (TowerJazz) השלימה את פרוייקט הפיתוח של שבבי RF שביצעה ביחד עם אויברסיטת קליפורניה בסן-דיאגו (UCSD) עבור הצבא האמריקאי. החברות פיתחו תהליך ייצור של שבבי BiCMOS ו-SiGe בגיאומטריה של 0.18 מיקרון במימון של משרד הביטחון האמריקאי.

השבב כולל 16 אנטנות נפרדות הפועלות בתדר מילימטרי של 110GHz ומיועד לשימוש במערכות מכ"ם, הדמייה ואבטחה. ד"ר גבריאל רבייז מחטיבת הנדסת האלקטרוניקה של UCSD אמר שהשבב החדש מהווה "התקדמות נוספת בתחום האנטנות המטריציוניות". המחלקה מתמחה בפיתוח רכיבי RFIC. הרכיב תוכנן על-ידי UCSD ותהליך הייצור פותח על-ידי טאואר.

מכ"ם בתוך שבב

מדובר ברכיב הכולל מערכת משדרים ומקלטים מסוג Phased Array המאפשרים לכוון את האלומה מבלי לבצע הזזה מכנית של האנטנה. הוא מיועד לשימוש במערכות מכ"ם ממונעות, מוטסות וביישומי מכ"ם בטחוניים. הפרוייקט מומן בחלקו על-ידי הסוכנות למחקרי ביטחון מתקדמים של ארה"ב (DARPA).

בתוך שטח סיליקון של 6 על 6.5 מ"מ, הצליחו UCSD וטאואר לשלב מקור בתדר 110GHz, מגברים, מערכת הפצת מידע, מזיזי פאזה של האותות המשודרים ומערך אנטנות מיניאטוריות. הרכיב יאפשר לייצר פתרונות מכ"ם זולים הפועלים ברצועת W-band בתדרי 75-110GHz. הוא מייצר אלומת שידור בזווית סריקה של ±40°.

תחליף לרכיבי GaAs

הארכיטקטורה החדשה מאפשרת לייצר גם מטריצות גדולות יותר של אנטנות, הכוללות 64 אלמנטים, או 256 אלמנטים (16 על 16). עד כה, UCSD הוכיחה יכולות שליטה נפרדת של הפאזה והאמפליטודה בכל אחד מהאלמטים בתדרי 106-114GHz.

בניית השבב נעשתה בתהליך הייצור SBC18H3 BiCMOS של טאואר, המאפשר לשלב רכיבים אקטיביים ואפסיביים המיוצרים ממעגלי SiGe מהירי תגובה, ביחד עם מעגלי בקרה בטכנולוגיית CMOS. החברה מסרה שהשבב החדש מאפשר להחליף רכיבים יקרים ליישומים מילימטריים המיוצרים כיום על בסיס גאליום ארסנייד (GaAs). התהליך של טאואר מספק מתחי עבודה של 1.8V ו-3.3V, בידוד עמוק, טרנזיסטורי PNP, קבלי MIM, דיודות שוטקי, סלילים ועוד.

אנטנת מערך פאזות (Phased Array) מבוססת על רעיון שפותח כבר בשנות ה-50. על-פי הרעיון, ניתן למקד קרן אלקטרומגנטית בכיוון מסויים כאשר מממשים מערך של אלמנטי שידור ושולטים בצורה מדוייקת במופע ובהגבר של כל אלמנט. הכיווניות נוצרת בעקבות יחסי עקיפה/התאבכות בין האותות המשודרים מכל מהאלמנטים השונים. אוניברסיטת UCSD נחשבת לאחד מהמרכזים החשובים בארה"ב בפיתוח טכנולוגיות אלחוטיות בתחום האותות המעורבים, RF MEMS ופתרונות מיקרוגל וגלים מילימטריים. היא מפעילה מרכז מחקר של DARPA העוסק בפיתוח רכיבי RF MEMS.

פורסם בקטגוריות: חדשות