מיקרון הכריזה על טכנולוגיית זיכרון בלתי-נדיף PCM לטלפונים ניידים

21 יולי, 2012

טכנולוגיית הזיכרון הבלתי-נדיף החדשה מספקת זמני איתחול קצרים ומחזורי קריאה/כתיבה מהירים. היא מאפשרת הגירה פשוטה יחסית מ-45 ננומטר ל-20 ננומטר, ומתוכננת בשלב הבא להיכנס לסמארטפונים וטאבלטים

זרם חשמלי העובר בגביש הזכוכית גורם לו לעבור בין שני מצבי צבירה שונים

חברת מיקרון (Micron) הכריזה על הזמינות של זיכרונות מסוג Phase Change Memory לאבזרים ניידים. החברה הכריזה על אספקת רכיב זיכרון הכולל שני זיכרונות: שבב PCM בנפח של 1Gb, ושבב DDR2 בנפח של 512Mb, אשר מיוצר בגיאומטריה של 45 ננומטר. מדובר ביצרנית הזיכרונות הראשונה בעולם אשר מספקת זיכרונות PCM בייצור המוני. החברה מסרה שהטכנולוגיה החדשה מאפשרת לקצר את זמן האיתחול (Boot) ולהקטין את צריכת האנרגיה.

בשלב הראשון מתוכנן הזיכרון לשימוש בטלפונים סלולריים (Feature Phones), כאשר מפת הדרכים העתידית כוללת התאמתו לסמארטפונים וטאבלטים. לחברה שיתוף פעולה עם חברת אינטל, שבעקבותיו שילבה קבוצת התקשורת של אינטל (Communication Group) את מפרטי ה-PCM בפלטפורמה שלה.

מצבי-הצבירה של הזכוכית

זיכרון שינויים בפאזה (Phase-change memory), הוא זיכרון גישה אקראית בלתי נדיף המבוסס על תכונה ייחודית של גבישי זכוכית הכוללים אטומים מקבוצה 16 בטבלה המחזורית, הכוללת יסודות כמו גופרית, טלניום וסלניום. זרם חשמלי אשר עובר בגבישי זכוכית מהסוג הזה מחמם את החומר וגורם לו לעבור הלוך-ושוב בין שני מצבי-צבירה שונים: גבישי ורך (Amorphous).

התכונה הזו משמשת שנים רבות לייצור כוננים אופטיים (CD-RW ו-DVD-RW). לכל אחד מהמצבים הללו יש תכונות חשמליות שונות: ההתנגדות החשמלית של הגביש המוצק היא מאוד נמוכה, בעוד ההתנגדות החשמלית של החומר במצבו הרך היא מאוד גבוהה. זה הבסיס ליצירת התקני זיכרון, כאשר ההתנגדות הנמוכה מייצגת את המצב הלוגי "1", וההתנגדות הגבוהה מייצגת את המצב הלוגי "0".

בסקירה הטכנולוגית שלה, מציינת מיקרון שזיכרון PCM מספק מהירות כתיבה וקריאה המשתווה לזיכרונות RAM ומהירה מזיכרונות FLASH, ושמדובר בטכנולוגיה שקל יותר למזער אותה ולהעבירה מגיאומטריה של 45 ננומטר לגיאומטריות ל 20 ננומטר, בהשוואה לטכנולוגיות הזיכרון הבלתי-נדיף האלטרנטיביות היום, כמו NOR, NAND או EEPROM.

פורסם בקטגוריות: חדשות , טאבלט וסמארטפון , סמיקונדקטורס