קיידנס ו-ARM ייצרו שבב הדגמה בטכנולוגיית 14 ננומטר של סמסונג

1 ינואר, 2013

שבב ההדגמה כולל מעבד Cortex, ספריות תאים והתקני קלט/פלט. ההכרזות האחרונות של קיידנס ו-ARM מלמדות שהתחרות בשוק הסמיקונדקטורס נכנסת לשלב חדש - מי תהיה החברה הראשונה שתייצר שבבי FinFET בגיאומטריה של 14 ננומטר

התכנון בוצע במערכת  RTL-to-signoff של חברת קיידנס

חברת ARM, וחברת התכנון האלקטרוני קיידנס (Cadence), השלימו את התכנון המלא של שבב הדגמה (Test Chip) בגיאומטריה של14 ננומטר, אשר יוצר בהצלחה בכמות מצומצמת במפעל בייצור של סמסונג. שבב ההדגמה כולל את המעבד עתיר הביצועים Cortex-A7 של חברת ARM, ותוכנן באמצעות מערכת  RTL-to-signoff של חברת קיידנס. החברות מסרו שמדובר בשבב הראשון המיועד לייצור בתהליך FinFET של סמסונג. הוא מאפשר להאיץ את מגמת המעבר למערכות על-גבי שבב (SoC) בצפיפות גבוהה והספק אולטרה-נמוך.

בנוסף למעבד Cortex-A7, כולל שבב הבדיקה גם ספריות תאים סטנדרטיים מסוג Artisan של ARM, את הדור הבא של הזכרונות וממשקי קלט/פלט (IO) למטרות כלליות. התכנון במערכת RTL-to-signoff כלל גם שימוש במהדרEncounter® RTL Compiler, Encounter Test, Encounter Digital Implementation System, Cadence QRC Extraction, Encounter Timing System וכן Encounter Power System. הפרוייקט בוצע במסגרת שיתוף פעולה בין החברות שנועדה לאפשר בנייה של SoCs מבוססי ARM באמצעות טרנזיסטורים מסוג FinFET. "זהו ציון דרך חשוב ביותר", אמר ד"ר דיפש פאטל, סגן נשיא ומנהל חטיבת Physical IP  בחברת ARM.

מדובר בשבב הדגמה שני המיושם על-ידי ARM וקיידנס בגיאומטריה של 14 ננומטר. לפני חודשיים הודיעו שתי החברות על השלמת הפיתוח והייצור של שבב הדגמה המבוסס על טכנולוגיית ייצור ה- FinFET של חברת יבמ. בהכרזה ההיא התבסס התכנון על מעבד Cortex-M0 של ARM, זיכרונות פנימיים ואבני בניין נוספות המאפיינות שבבי SoC.

טכנולוגיית FinFET היא רעיון שעלה לראשונה לפני יותר מעשור אולם הגיע לבשלות רק לאחרונה. היא מבוססת על ארגון שונה של השער (Gate), שהוא המרכיב המרכזי בתוך כל טרנזיסטור ואחראי על פעילות המיתוג. בטרנזיסטורי FET רגילים השער הוא אופקי ולכן סובל ממגבלות מזעור. בשיטת FinFET בונים שער אנכי, או שער הבנוי במבנה של מספר "סנפירים" (Fins) אנכיים.

בשיטה זו ניתן להגדיל את שטח הפעילות החשמלית של השער מבלי להגדיל את שטח הסיליקון שלו, ותוך כדי-כך גם לשפר את תכונותיו החשמליות. חברת אינטל היתה החלוצה בתחום הזה, והכריזה בחודש מאי 2011 על טכנולוגיית Tri-Gate, שבאמצעותה היא מייצרת שבבים מטרנזיסטורי FinFET בגיאומטריה של 22 ננומטר. אחד מהמפעלים הראשונים של החברה שנכנס לייצור בטכנולוגיה החדשה הוא פאב-28 בקרית-גת. ההכרזות האחרונות של קיידנס ו-ARM מלמדות שהתחרות בשוק הסמיקונדקטורס נכנסת לשלב חדש – מי תהיה החברה הראשונה שתייצר שבבי FinFET בגיאומטריה של 14 ננומטר.