יבמ ו-UMC יפתחו תהליך ייצור בגיאומטריה של 10 ננומטר

16 יוני, 2013

בשבוע שעבר חתמו שתי החברות על הסכם משותף לשיפור תהליך הייצור של UMC עבור שבבי 14 ננומטר בטכנולוגיית FinFET, ולפיתוח תהליך חדש של ייצור שבבי 10 ננומטר

קבלנית ייצור השבבים לפי הזמנה הטאיוואנית, UMC, הרחיבה את הסכם שיתוף הפעולה שלה עם חברת יבמ בפיתוח תהליכי ייצור של מוליכים למחצה.

בשבוע שעבר חתמו שתי החברות על הסכם משותף לפיתוח תהליכי ייצור שבבים בטכנולוגיית FinFET בגיאומטריות של 14 ננומטר ושל 10 ננומטר. מדובר בחידוש ההסכם משנת 2012 הכולל פיתוח משותף של תהליכי ייצור במספר גיאומטריות. ההסכם המחודש כולל מתן סיוע של יבמ לשיפור תהליך הייצור של רכיבי FinFET בתהליך 14 ננומטר שפותח בחברת UMC. מטרת השיפור היא להפחית את צריכת ההספק של הרכיבים כדי להרחיב את כניסתם לשוקי אבזרי המחשוב והתקשורת הניידים.

במקביל, הן מתחילות לגבש את תהליך הייצור של רכיבי FinFET בתהליך החדש של 10 ננומטר. הפיתוח ייעשה בשני אתרים בו זמנית, כאשר צוות המחקר והפיתוח המשותף יעבוד במעבדת המחקר של יבמ באלבני, ניו-יורק, וצוות המימוש יבצע את הניסויים במרכז המחקר והפיתוח של UMC בטאיוואן.

פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס