יצרניות השבבים מתחרות על ההובלה בטכנולוגיה תלת-מימדית

30 יולי, 2012

UMC רכשה רישיון שימוש בטכנולוגיה של יבמ מיקרואלקטרוניקה, בזמן שהמתחרה TSMC משתפת פעולה עם ARM בפיתוח תהליך ייצור למעבדי 64 ביט החדשים. בינתיים אינטל מקדימה את כולם ודוהרת לפרוסות סיליקון של 450 מ"מ

טכנולוגיית FinFET היא רעיון שעלה לראשונה לפני יותר מעשור ומבוססת על ארגון שונה של ה"שער"  בטרנזיסטור

יותר משנה לאחר שאינטל (Intel) הציגה תהליך ייצור בוגר של טרנזיסטורים תלת מימדיים מסוג FinFET, נכנסות שתי קבלניות הייצור העצמאיות הגדולות בעולם, TSMC ו-UMC, לתחרות מי תהיה החברה המובילה בטכנולוגיית הייצור החדשה.

בחודש האחרון עלתה התחרות בין השתיים במדרגה שלמה: חברת UMC חתמה על הסכם לשיתוף פעולה טכנולוגי עם חטיבת המיקרואלקטרוניקה של חברת IBM, שלפיו היא תשתמש בטכנולוגיה של יבמ להקמת קו ייצור המבוסס על טרנזיסטורים תלת-מימדיים בגיאומטריה של 20 ננומטר.

סגן נשיא לפיתוח טכנולוגיות חדשות ב-UMC, ד"ר איי-סי צ'ן, הסביר שההסכם יקצר את זמן היציאה לשוק של הטכנולוגיה החדשה בחברה. במקביל, תבצע UMC תהליך התאמות בטכנולוגיית הייצור השטוחה (Planar) בגיאומטריה של 20 ננומטר, כדי להתאים את התהליך שלה לתהליך של יבמ.

ה"שער" מסתובב

טכנולוגיית FinFET היא רעיון שעלה לראשונה לפני יותר מעשור אולם הגיע לבשלות רק לאחרונה. היא מבוססת על ארגון שונה של השער (Gate), שהוא המרכיב המרכזי בתוך כל טרנזיסטור ואחראי על פעילות המיתוג. בטרנזיסטורי FET רגילים השער הוא אופקי ולכן סובל ממגבלות מזעור. בשיטת FinFET בונים שער אנכי, או שער הבנוי במבנה של מספר "סנפירים" (Fins) אנכיים.

בשיטה זו ניתן להגדיל את שטח הפעילות החשמלית של השער מבלי להגדיל את שטח הסיליקון שלו, ותוך כדי-כך גם לשפר את תכונותיו החשמליות. חברת אינטל היתה החלוצה בתחום הזה, והכריזה בחודש מאי 2011 על טכנולוגיית Tri-Gate, שבאמצעותה היא מייצרת שבבים מטרנזיסטורי FinFET בגיאומטריה של 22 ננומטר. אחד מהמפעלים הראשונים של החברה שנכנס לייצור בטכנולוגיה החדשה הוא פאב-28 בקרית-גת.

TSMC ו-ARM בעקבות אינטל

בעקבות ההודעה של UMC, הודיעה המתחרה העיקרית שלה, TSMC (שתיהן חברות טאיוואניות הנחשבות ליצרניות השבבים בהזמנה הגדולות בעולם), על הסכם עם חברת ARM, על שיתוף פעולה בפיתוח תהליך ייצור של מעבדי 64 סיביות של ARM באמצעות טרנזיסטורים תלת-מימדיים מסוג FinFET. מדובר בהרחבת שיתוף הפעולה הקיים של שתי החברות לייצור מעבדי ARM בגיאומטריה של 20 ננומטר.

בינתיים חברת אינטל ממשיכה אל השלב הבא. לפני כחודש היא הכריזה על השקעה כוללת של כ-4.1 מיליארד דולר בחברת ASML האירופית, המפתחת ומייצרת ציוד ליתוגרפיה לייצור שבבים. שיתוף הפעולה המרכזי בין השתיים יהיה בפיתוח תהליכים לייצור בפרוסות סיליקון עצומות בקוטר של 450 מ"מ, אשר יאפשרו לשפר את הייצור של מעבדים חדשים בטכנולוגיית Tri-Gate של אינטל.

פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס