אינטל הכריזה על תהליך הייצור האחרון של טרנזיסטורי FinFET
20 יוני, 2024
תהליך אינטל-3 מספק שיפור של 18% בביצועים לוואט בהשוואה לתהליך אינטל-4 אשר הוכרז לפני כשנה. לראשונה בתולדותיה היא תספק שירותי ייצור בתהליך המתקדם ביותר שלה. השלב הבא: עידן האנגסטרם
בתמונה למעלה: פרוסת סיליקון יוצאת ממפעל אינטל. צילום: אינטל
חברת אינטל הכריזה על תהליך הייצור החדש Intel 3, אשר יהיה הדור האחרון של טכנולוגיות ייצור המבוססות על טרנזיסטורי FinFET, אשר מספקים ביצועים חשמליים משופרים בזכות המבנה התלת מימדי של הצומת. תהליך אינטל-3 מספק שיפור של 18% בביצועים לוואט בהשוואה לתהליך אינטל-4 אשר הוכרז לפני כשנה. אינטל הודיעה שהיא החלה שהמפעלים בארה"ב ובאירלנד החלו בייצור המוני של מעבדי Xeon 6 בתהליך אינטל-3.
במקביל, אינטל תציע ללקוחות חיצוניים שירותי ייצור שבבים בטכנולוגייה החדשה. זו הפעם הראשונה שבה החברה מציעה ללקוחות חיצוניים (חברות פאבלס) את תהליך הייצור המתקדם ביותר שלה. המהלך הזה מיועד להעניק לאינטל יתרון מול חברתTSMC בתחרות על שוק שירותי הייצור. החברה מסרה שהתהליך הזה משפר את הביצועים של מערכות AI, שהוא שוק פתרונות שבו היא מתחרה בעיקר בחברת אנבידיה.
טכנולוגיית אינטל-3 היא למעשה משפחה של טכנולוגיות אשר כוללת גם את גרסת Intel 3-T הכוללת מעברים חשמליים בתוך המצע לצורך קישור מהיר בין מספר רכיבים שונים עבור שבברים מרובי אריחים, גרסת Intel 3-E אשר כוללת ממשקי תקשורת ותוספים ייעודיים ליישומי אותות מעורבים, וגרסת 3-PT אשר כוללת את כל האופציות האלה ושיפורים נוספים שנועדו לייצר מעבדים עתירי עיבוד. אינטל מסרה שמדובר במשפחת תהליכים אשר צפויה לשמש כעמוד שדרה תעשייתית לאורך שנים רבות.
בשנת 2025 יתחיל עידן טכנולוגי חדש
השלב הבא במפת הדרכים של אינטל הוא מעבר לשימוש בטרנזיסטורי RibbonFET בטכנולוגיה שהחברה מכנה בשם Angstrom Era. התהליכים הראשונים בסדרה החדשה יהיו Intel 20A ו-Intel 18A , אשר יוצגו במהלך השנה הקרובה. טכנולוגיית RibbonFET מבוססת על הגדלת שטח הצומת באמצעות בניית "צומת צפה" שבה השער המבקר את פעולת הטרנזיסטור מקיף את הצומת מכל הכיוונים. המבנה הזה מאפשר להעביר מטענים חשמליים קטנים מאוד במהירות גדולה.
ביסודו הרעיון אינו חדש, וכבר בסוף שנות ה-80 הדגימה טושיבה יכולת ייצור של טרנזיסטור בעל צומת צפה, שקיבל את הכינוי Gate-All-Around – GAA. אולם רק כעת הטכנולוגיה מתחילה להגיע לשלבים מעשיים. בשנת 2020 הודיעה חברת סמסונג שהיא מפתחת טכנולוגיית GAA משל עצמה בשם Multi-Bridge Channel FET, ושהיא תשמש לייצור שבבים בתהליכי ה-3 ננומטר העתידיים שלה.
פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס
פורסם בתגיות: אינטל , סמיקונדקטורס
