STM שילבה זכרון מצבי-צבירה במשפחת מיקרו-בקרים לרכב
20 אפריל, 2025
זיכרון PCM מיוצר ברוחב צומת של 28 ננומטר ו-18 ננומטר ומתחרה בזיכרונות הפלאש הקיימים היום בתעשייה. הוא ישמש כזיכרון המשובץ של כל המיקרו-בקרים לרכב ממשפחת Stellar של החברה
חברת STMicroelectronics הצליחה לשלב את טכנולוגיית הזיכרון החדשה שלה, xMemory, במשפחת המיקרו-בקרים לרכב, Stellar P6 MCU. בקרים אלה מיועדים לשימוש במערכות התמסורת של מכוניות חשמליות, ויהיו המוצר הראשון של ST שבו תשולב טכנולוגיית הזיכרון החדשה. החברה מתכננת להתחיל בייצור המוני של המיקרו-בקרים החדשים כבר במהלך 2025, ובעתיד לשלב אותו בכל המיקרו-בקרים לרכב המבוססים על ארכעיטקטורת ARM.
משפחת xMemory היא משפחה חדשה של רכיבי זיכרון המבוססת על טכנולוגיית שינוי מצבי-צבירה (Phase Change Memory – PCM). מדובר בתופעה שהתגלתה לראשונה בשנות ה-60 של המאה ה-20, אולם לא הגיעה לבשלות טכנולוגית. אחד מהחוקרים הראשונים שלה היה גורדון מור, ממייסדי חברת אינטל ומנסח חוק המיזעור המפורסם ביותר בתעשייה, שקיבל את הכינוי "חוק מור". טכנולוגיית PCM מבוססת על תכונה של חלק מהתרכובות המבוססות על זכוכית: פולס קצר של חימום מקומי יכול להעביר את החומר ממצב צבירה של גביש למצב צבירה הנקרא מוצק אמורפי (Amorphous solid) , שבו אין סדר כללי בסידור האטומים. פולס נוסף יכול להחזיר את המצב לקדמותו.
החשיבות של התופעה היא בהתנהגות החשמלית של החומר: כאשר הוא נמצא במצב צבירה אמורפי התנגדותו החשמלית גבוהה מאוד ובהתקן זיכרון היא שוות ערך למצב הלוגי "0". כאשר הוא נמצא במצב צבירה גבישי, התנגדותו החשמלית נמוכה והוא נחשב ל-"1" לוגי. חברת ST היתה מעורבת בתהליך המחקר והפיתוח של הטכנולוגיה במשך מספר עשורים. בניגוד לרוב החברות שהתמקדו בחקר PCM בטכנולוגיית הייצור bulk CMOS, היא התמקדה בטכנולוגיית סיליקון על-מבודד (FD-SOI) במטרה לפתח פתרון לזיכרון בלתי נדיף במערכות משובצות (eNVM). הזיכרון המשובץ שפיתחה (ePCM) מאפשר לייצר טרנזיסטורים ברוחב צומת של 28 ננומטר ו-18 ננומטר, בהשוואה לרוחב צומת של 40 ננומטר בטכנולוגיית הפלאש הסטנדרטית. צפיפות הזיכרון כולו גבוהה פי שלושה, והוא עמיד יותר בפני הפרעות אלקטרמגנטיות. הרכיבים עובדים במתח של 3V ומאושרים לתקן תעשיית הרכב AEC-Q100 Grade 0.
פורסם בקטגוריות: MCU/MPU , חדשות , כתבות טכנולוגיות בחסות אבנט , סמיקונדקטורס
פורסם בתגיות: STMicroelectronics , זיכרונות
