טושיבה והייניקס החליטו להוביל מהפיכה בשוק הזיכרונות – ולפתח רכיבי זיכרון מגנטיים בטכנולוגיית MRAM
13 יולי, 2011
החברות יפתחו רכיבי זיכרון המבוססים על מגנטיות ולא על מטענים חשמליים, כמו ברכיבים הקיימים היום. "MRAM היא אבן-חן גדושה בתכונות מלהיבות", אמר מנכ"ל הייניקס, או צ'ול קוון. "היא תהיה פלטפורמת הצמיחה הבאה שלנו".
הן מתכננות לייצר ביחד את הרכיבים באמצעות חברה בבעלות משותפת
חברת טושיבה היפנית (Toshiba) ויצרנית השבבים הקוריאנית הייניקס (Hynix Semiconductor) חתמו על הסכם לשיתוף פעולה אסטרטגי בפיתוח רכיבי זיכרון חדשים בטכנולוגיה מגנטית (Magnetoresistance Random Access Memory). כאשר הפיתוח הטכנולוגי יושלם, החברות מתכננות לשתף פעולה בייצור הרכיבים באמצעות חברה בבעלות משותפת. במקביל להסכם, הרחיבו שתי החברות את הסכמי הרישוי ההדדיים שלהן בפטנטים שפיתחו.
הזיכרון של הדור הבא
טושיבה הודיעה שלהערכתה יכולה טכנולוגיית MRAM להיות טכנולוגיית הזיכרון של הדור הבא בזכות מספר יתרונות: זוהי טכנולגיה בלתי נדיפה, בעלת צריכת הספק נמוכה, צפיפות ביטים גבוהה ותגובה מהירה מאוד. "MRAM היא אבן-חן גדושה בתכונות מלהיבות", אמר מנכ"ל הייניקס, או צ'ול קוון. "היא נותנת פתרון מושלם לדרישה הגוברת של הצרכנים לטלפונים מתוחכמים. היא תהיה פלטפורמת הצמיחה הבאה שלנו".
טכנולוגיות MRAM נחקרות מאז ראשית שנות ה-90, וטושיבה חוקרת אותה לפחות מאז 1996. אולם עד לאחרונה הן לא נחשבו כמתחרות לטכנולוגיות ייצור הזיכרונות הרגילים, עקב המהירות שבה הצליחו היצרנים להקטין את גודל תא הזיכרון ברכיבי DRAM ו-Flash. אולם לאחרונה משתנה תמונת המצב, לאור הקושי לעבור תהליכי ייצור ממוזערים יותר, והדרישה הגוברת לרכיבים דלי-הספק עבור שוק מוצרי הצריכה, דוגמת סמארטפונים וטאבלטים.
מגנטים זעירים
בזיכרון MRAM, המידע לא נשמר בצורת מטען חשמלי או זרם, כפי שמתרחש בזיכרון מוליך למחצה רגיל, אלא באמצעות מטען מגנטי. תא MRAM בסיסי בנוי משני לוחות של חומרים מתמגנטים המופרדים באמצעות תעלת צומת צרה. כאשר המטענים המגנטיים בשני הלוחות בעלי כיוון משותף, הזרם העובר דרך הצומת ניתקל בהתנגדות חשמלית נמוכה. כאשר המטענים המגנטיים בעלי כיווניות הפוכה, זרם העובר דרך התא ניתקל בהתנגדות גבוהה. כלומר, המידע הדיגיטלי ("0" או "1") מיוצג באמצעות התנגדות חשמלית.
ההסבר הפיסיקלי לתופעה נעוץ בכך שכיווניות המיגנוט משפיעה על ציר הסיבוב הפנימי של האלקטרון (Spin). כאשר שני הלוחות הממוגנטים הם בעלי כיווניות הפוכה, אלקטרונים בעלי ספין מסויים מתקשים לעבור חומר שבו האלקטרונים מצויים בספין מנוגד. מבחינת שיקולי הספק, פירוש הדבר שצריכת האנרגיה העיקרית של זיכרון MRAM היא בשלב הכתיבה בלבד, בעוד שבשלב הקריאה צריכת ההספק היא כמעט אפסית.
סנדיסק וטושיבה חנכו מפעל חדש
היום נחנך מתקן הייצור החדש של טושיבה וסנדיסק, פאב-5. המתקן מייצר החל מהחודש זיכרונות NAND עבור מוצרי סנדיסק בגיאומטריית סיליקון של 24 ננומטר ובפרוסות ברוחב של 300 מ"מ. בעתיד הוא מתוכנן לעבור לייצור בגיאומטריה של 19 ננומטר. המפעל נמצא בבעלות משותפת של טושיבה (50.1%) וסנדיסק (49.9%). טושיבה מסרה שהוא כולל טכנולוגיות ספיגת זעזועים חדשות, שנועדו להגן עליו מפני רעידות אדמה חזקות.
פורסם בקטגוריות: חדשות , מדע , סמיקונדקטורס , רכיבים
כתבות נוספות העשויות לעניין אותך
