יבמ תחשוף השבוע את הטכנולוגיה שתשמש לייצור "קוביית הזיכרון"

4 דצמבר, 2011

חברת יבמ הודיעה שבאופן יוצא דופן היא תייצר את הזיכרון החדשני של חברת מיקרון במפעלה בניו-יורק. הרכיב יתבסס על שבבי DRAM של מיקרון וטכנולוגיית הקישוריות TSV של יבמ

מדובר באמץ להתגבר על בעייה שקיבלה את הכינוי "חומת הזיכרון"

השבוע תחשוף חברת יבמ (IBM) את טכנולוגיית TSV שפיתחה, אשר מאפשרת לייצר רכיבים בתצורה קרובה לתלת-מימד אמיתי. טכנולוגיית Through Silicon Vias מבוססת על מוליכים זעירים שפותחו על-ידי יבמ בארבע השנים האחרונות, המאפשרים קישור חשמלי מהיר בין פרוסות סיליקון שכנות. על-ידי כך ניתן לייצר רכיבים המורכבים ממספר פרוסות סיליקון שונות, המונחות זו מעל זו, בשכבות.

הזיכרון ייוצר בפאב של יבמ

אחד מהרכיבים הראשונים שייוצרו בטכנולוגיה זו יהיה רכיב הזיכרון החדש של מיקרון (Micron) שקיבל את הכינוי "קוביית הזיכרון" (High-performance Memory Cube). קוביית הזיכרון תיוצר באופן יוצא דופן במפעל ייצור השבבים של יבמ בניו-יורק.

הרכיב יתבסס על פרוסות זיכרון DRAM מתוצרת מיקרון ומערכת TSV של יבמ בטכנולוגיה של 32 ננומטר. אבות-הטיפוס הראשונים שנבנו במפעל יבמ הראו ביצועים יוצאי דופן: קצב העברת מידע של 128GB/s מהזיכרון למחשב, בהשוואה ל-12.8GB/s בזיכרונות DRAM סנטדרטיים.

מאחורי שיתוף הפעולה עומד מאמץ להתגבר על בעייה שקיבלה את הכינוי "חומת הזיכרון" (Memory Wall). לאחרונה דיווח Techtime על שיתוף פעולה מפתיע בין המתחרות העזות, מיקרון וסמסונג, שנועד לסייע להן לפתח טכנולוגיה של זיכרון תלת-מימדי שיספק מענה לבעיה.

לפרטים נוספים: מיקרון, סמסונג וחומת הזיכרון

פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס