אינטל ומיקרון הכריזו על זיכרון NAND ענק בנפח של 128Gb

28 דצמבר, 2011

מאחורי הצלחת הפיתוח עומדת שיטה חדשה לתכנון וייצור תא הזיכרון. להערכת שתי החברות, הדוגמאות הראשונות יסופקו ללקוחות בינואר 2012, והייצור ההמוני צפוי להתחיל במחצית הראשונה של 2012. לצד אבזרים ניידים, הזיכרונות החדשים מיועדים לשימוש בכוננים קשיחים מסוג SSD

כל רכיב זיכרון כולל 8 פרוסות סיליקון המיוצרות בגיאוטריה של 20 ננומטר

החברות אינטל (Intel) ומיקרון (Micron) הכריזו על השגת אבן דרך בייצור זיכרונות הבזק מסוג NAND, כאשר הצליחו לייצר רכיב זיכרון בנפח של 128Gb בטכנולוגיית ייצור של 20 ננומטר.

פיתוח משותף

הזיכרון פותח בחברת IM Flash Technologies, הנמצאת בבעלות משותפת של אינטל ומיקרון. הזכירון החדש בנוי מ-8 פרוסות סיליקון בתוך המארז, ומכפיל את נפח הרכיב הגדול ביותר שפותח על-ידי שתי החברות, 64Gb NAND. הזיכרון תואם לתקן ONFI 3.0 ומאפשר לבצע 333 מיליון העברות מידע בשנייה. החברות העריכו שהרכיב מתאים למוצרים צרכניים ניידים, כמו סמארטפונים וטאבלטים ולשימוש בכונני מחשב המבוססים על חצאי-מוליכים (SSD).

מאחורי הצלחת הפיתוח עומדת שיטה חדשה לתכנון וייצור תא הזיכרון. התאים החדשים מיוצרים במבנה רוחבי המאפשר להשתמש בשערים מתכתיים בטכנולוגיית Hi-K/metal gate שפותחה באינטל. הרכיבים החדשים ייוצרו בקו הייצור המייצר היום את זיכרונות 64Gb. להערכת שתי החברות, הדוגמאות הראשונות יסופקו ללקוחות בינואר 2012, והייצור ההמוני צפוי להתחיל במחצית הראשונה של 2012.

פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס , רכיבים