Xilinx ו-TSMC מפתחות תהליך ייצור של 7 ננומטר
22 יוני, 2015
מתכננות להוציא במהלך 2017 את הרכיבים המיתכנתים הראשונים של Xilinx המבוססים על טרניזסטורי FinFET בצומת של 7 ננומטר. וגם: רכיבי ה-28 ננומטר הפכו למנוע מכירות מרכזי של החברה
שתי החברות מתכננות להוציא במהלך 2017 את הרכיבים המיתכנתים הראשונים של Xilinx המבוססים על טרניזסטורי FinFET ברוחב צומת של 7 ננומטר
זיילינקס (Xilinx) ו-TSMC מתחילות לפתח תהליך ייצור בגיאומטריה של 7 ננומטר עבור הרכיבים המדור הבא של זיילינקס. על-פי התוכנית, הרכיבים הראשונים בטכנולוגיה החדשה ייצאו לשוק בשנת 2017. מדובר בפעם הרביעית ששתי החברות משתפות פעולה במעבר בין דורות שונים של ייצור סמיקונדקטורס. עד היום, שתיהן פיתחו את תהליכי הייצור של 28 ננומטר, 20 ננומטר ו-16 ננומטר עבור הרכיבים של זיילינקס.
שיתוף הפעולה החדשה מיועד לפתח תהליך ייצור המבוסס על טרנזיסטורי FinFET ברוחב צומת של 7 ננומטר שישמשו הן לרכיבי ה-SoC של זיילינקס והן לרכיבים המיוצרים במארזים מרובי פיסות סיליקון (3D IC). לדברי נשיא ומנכ"ל זיליינקס, משה גבריאלוב, חברת TSMC סייעה לזיילינקס לפתח קטגוריה חדשה לגמרי של רכיבים מיתכנתים, "אנחנו משוכנעים שתהליך ה-7 ננומטר יהיה בעל השפעה מהפכנית עבור זיילינקס.
בתוך כך מתברר שדווקא רכיבי ה-28 ננומטר מספקים לחברה מנוע מכירות חזק. זיילינקס דיווחה לאחרונה שמאז יצאו לשוק בשנת 2012, הסתכמו המכירות שלהם בכמיליארד דולר. להערכת החברה, רכיבי ה-28 ננומטר שלה תופסים נתח של כ-65% משוק הרכיבים המיתכנתים בגיאומטריה הזו. בחברה אפילו צופים לה הצלחה גדולה בעתיד. לדברי גבריאלוב, הגיאומטריה הזו נמצאת רק בתחילת דרכה: "אני צופה שגיאומטריית ה-28 ננומטר תהיה בעלת אורך החיים הגדול ביותר בהשוואה לדורות הקודמים. היא מציעה את ההתאמה הטובה ביותר למגוון הגדול ביותר של שווקים".
פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס , רכיבים
