ווסטרן דיג'יטל הכריזה על כונני HDD/Flash
1 ספטמבר, 2021
הרעיון החדש מבוסס על שתי פריצות דרך טכנולוגיות: פיתוח דיסקים מגנטיים בטכנולוגיית ePMR המעניקה להם צפיפות גבוהה מאוד, והופעת רכיבי זיכרון חדשים בטכנולוגיית iNAND
חברת ווסטרן דיג'יטל (Western Digital) חשפה אתמול (ג') כונן דיסקים מסוג חדש, המבוסס על טכנולוגיית OptiNAND, המיועד לשימוש במרכזי נתונים ותשתיות ענן תובעניים במיוחד. הכונן החדש מספק נפח איחסון של 20TB באמצעות שימוש במערך של 9 דיסקים מגנטיים צפופים מאוד הבנויים בטכנולוגיית ePMR, שלכל אחד מהם נפח איחסון של 2.2TB. החברה הסביר שלא מדובר בדיסקים היברידיים, שבהם משתמשים בזיכרון DRAM כזיכרון מטמון של הדיסק המגנטי, אלא בגישה חדשה לגמרי, המאפשרת לנהל את הדיסק המגנטי באמצעות מידע שנישמר ברכיבי הזיכרון הנמצאים בתוך הכונן.
כיצד להתגבר על הפרעות אלקטרומגנטיות
למעשה, החברה הודתה שהרעיון של דיסקים היברידיים נכשל בשוק. הרעיון החדש מבוסס על שתי פריצות דרך טכנולוגיות: פיתוח דיסקים מגנטיים בטכנולוגיית ePMR המעניקה להם צפיפות גבוהה מאוד, והופעת רכיבי זיכרון חדשים בטכנולוגיית iNAND שהיא מהירה בהרבה מזכרונות DRAM. הבעיה המרכזית שהחברה התמודדה איתה נעוצה בהפרעות המגנטיות בין ערוצים בתוך הדיסקים המגנטיים, בשעה שהם נעשים דקים מאוד וצפופים מאוד. הדבר בא לידי ביטוי בשינוי בקצב הריענון שלהם. אם בעבר היה נהוג להניח שבכל 10,000 מחזורי קריאה/כתיבה צריך לרענן את המידע על הדיסק, הרי שבדיסקים החדשים יש לעתים צורך לרענן את המידע אחרי 10 מחזורי כתיבה/קריאה בלבד – ולעתים אף פחות מכך.
מדובר בבעיה קשה מאוד, במיוחד במרכזי נתונים גדולים המספקים שירות למיליוני צרכנים. אלא שבינתיים אין תחליף מלא וכוננים מגנטיים (HDD) ממשיכים למלא תפקיד מרכזי. להערכת IDC, הם יהיו אחראים לאיחסון 82% מכל המידע הארגוני בשנת 2025. טכנולוגיית OptiNAND מבוססת על שילוב של כרטיס זכרון iNAND בתוך הכונן, המקושר אל מעבד במערכת על שבב (SoC). הם עוקבים אחר פעילות הכונן, אוספים מידע על פעילותו, על קצב הגישה לסקטורים ועל אי-סדרויות בפעילות השוטפת. המידע הזה נשמר בכרטיס הזכרון ומשמש לניהול פעילות הכונן הקשיח. כך למשל, בכרטיס נשמרים פרטי מידע על פעולות הכתיבה והקריאה, ומאפשרים לשחזר במהירות את גושי הזיכרון שיש חשש שאיכותם נפגעה.
למידע נוסף: Technology Brief
פורסם בקטגוריות: חדשות
