סמסונג מפתחת תהליכי ייצור של 2 ו-3 ננומטר

10 אוקטובר, 2021

התהליכים החדשים יתבססו על טרנזיסטורי MBCFET, שהם הגרסה של סמסונג לטכנולוגיית Gate-All-Around הנמצאת בפיתוח גם באינטל. במקביל, סמסונג מפתחת תהליך 17 ננומטר חדש, שנועד להחליף את ה-28 ננומטר הוותיק והיעיל

חברת סמסונג (Samsung Electronics) מתכננת להשתמש בטכנולוגיית הייצור של טרנזיסטורי Gate-All-Around – GAA כדי להמשיך בתהליך המיזעור ולפתח טכנולוגיות ייצור בגודל צומר של 3 ננומטר ו-2 ננומטר. כך גילה בשבוע שעבר נשיא קבוצת שירותי הייצור (Foundry Business) בסמסונג, ד"ר סיונג צ'ואי (בתמונה למעלה). ביסודה, טכנולוגיית GAA מבוססת על הרעיון של "צומת צפה" שבה השער המבקר את פעולת הטרנזיסטור של הטרנזיסטור מקיף את הצומת מכל הכיוונים.

באמצעות המבנה הזה ניתן להעביר גם מטענים קטנים מאוד במהירות גדולה בהרבה. ביסודו הרעיון אינו חדש, וכבר בסוף שנות ה-80 הדגימה טושיבה יכולת ייצור של טרנזיסטור בעל צומת צפה והעניקה לו את השם Gate-All-Around. גם אינטל מפתחת כיום תהליך GAA, ובחודש יולי 2021 היא הכריזה על הטרנזיסטור החדש RibbonFET אשר צפוי להיכנס לייצור סדרתי בשנת 2024. מדובר בגרסה שלה לטרנזיסטורי GAA, אשר תחליף בהדרגה את ה-FinFET המשמש כיום כסוס העבודה המרכזי של התעשייה.

תהליך 3 ננומטר יגיע לשוק ב-2022

סמסונג העניקה לטרנזיסטורי ה-GAA שלה את הכינוי Multi-Bridge Channel FET – MBCFET, וכבר ב-2020 הודיעה שתהליך ה-3 ננומטר העתידי יתבסס עליהם. בכנס הלקוחות שסמסונג קיימה ב-7 באוקטובר גילה צ'ואי, שהייצור של שבבי לקוחות בדור הראשון של טכנולוגיית 3 ננומטר יתחיל במחצית השנייה של 2022, והדור השני של הטכנולוגיה יגיע לייצור בשנת 2023. "טכנולוגיית ה-3 ננומטר תקטין את שטח השבב ב-35%, תשפר את הביצועים ב-30% ותפחית את צריכת ההספק בכ-50%".

17 ננומטר במקום 28 ננומטר

החברה מתכננת להמשיך בפיתוח, ולהביא את טכנולוגיית MBCFET בגודל צומת של 2 נומטר אל השוק במהלך שנת 2025. במקביל, היא הכריזה על פיתוח תהליך שנועד להחליף את הייצור של טרנזיסטורי FinFET בגיאומטריה של 28 ננומטר, שהיא אחת מטכנולוגיות הייצור היעילות והפופולריות ביותר בשוק. התהליך החדש הוא FinFET בגודל של 17 ננומטר, אשר בהשוואה לתהליך ה-28 ננומטר הוא יספק חיסכון של 43% בשטח, חיסכון של 49% בצריכת ההספק ושיפור של 39% ביצועים.

Share via Whatsapp

פורסם בקטגוריות: חדשות

פורסם בתגיות: סמסונג