סמסונג

סמסונג מנסה למצות את כל הפוטציאל של תהליך 4nm FinFET

פורסם בתאריך ע"י Techtime

למרות שהייתה מחלוצות המעבר אל טרנזיסטורי Gate-All-Around (GAA), חברת סמסונג פתחה בקמפיין שיווק של טכנולוגיית הייצור הקודמת המבוססת על טרנזיסטורי FInFET ברוחב צומת של 4 ננומטר. לפני שבוע החברה הכריזה על דור חדש של תהליך 4nm FinFET, שהוא למעשה אופטימיזציה של תהליך ותיק מאוד – וזה בעצם הייחוד שלו. החברה הוסיפה מספר יכולות בחירה בפרמטרים שונים כגון מהירות התגובה ומתחי השער, ועל-ידי כך, לטענתה, היא מספקת את הצרכים של שווקים מגוונים, החל ממרכזי AI וכלי רכב, וכלה במוצרים חסכוניים מאוד באנרגיה. היתרון הגדול של טכנולוגיית היצור הזו לא טמון במיזעור או מהירות יוצאת דופן – אלא בכך שהתהליך עבר דורות רבים של תיקון תקלות ו"שיוף" קצוות, שהפך אותו לאמין וזול מאוד שהשוואה לבילת הביצועים שהוא מספק.

בכך היא מנסה למעשה לחזור על ההצלחה של תהליך 28 ננומטר, אשר נחשב עד לפני כ-10 שנים לתהליך הייצור הכדאי ביותר שסיפק לחברות את נקודת האיזון הטובה ביותר בין ביצועים, מחיר ואמינות (yield). בבלוג הטכנולוגי שלה, החברה הסבירה שתהליך 4nm FinFET "ממוקם בנקודת המפגש שבין טכנולוגיות ייצור מתקדמות לבין טכנולוגיות בוגרות. הוא מאזן בין ביצועים לבין יכולת ייצור סדרתי יעילה". כדי למקם אותו בנקודה הזו, ביצעה סמסונג מספר שיפורים ייעודיים בתהליך:

היא מאפשרת להגדיר את מתחי הסף (Threshold Voltage – Vth) של הטרנזיסטורים בשב. כך למשל, רכיבי uLVT ‏(Ultra-Low Vth) משפרים את מהירות המיתוג ומתאימים במיוחד לתכנונים עתירי ביצועים, אולם בעלי צריכת אנרגיה גבוהה יחסית. לעומתם רכיבי HVT ‏(High Vth) איטיים יותר אולם מפחיתים את זרם הדליפה ובכך מקטינים את צריכת ההספק של השבב. החברה ביצעה שינויים במערך שכבות הקישוריות (interconnect stack) כדי לעניק שליטה רחבה יותר במאפייני ההתנגדות־קיבוליות (RC) של המוליכים החשמליים. במעגלים ממוזערים, העלייה בהתנגדות ובקיבוליות של שכבות המתכת מגבילה את מהירות התקדמות האותות. סמסונג הוסיפה שכבות קישוריות נוספות בעלות Pitch גדול יותר ומאפייני התנגדות־קיבוליות (RC) משופרים, שהובילו להפחתה של כ־26% בהשהיית RC.

אופטימיזציה של צריכת הספק ויעילות תרמית

אחד מהיתרונות שהחברה מקדמת הוא שמדובר בתהליך גמיש המתאים ליישומים שונים, גם אנלוגיים וגם דיגיטליים. כך למשל, זיכרונות HBM4 דורשים רוחב פס גבוה לצורך העברת נתונים בהיקפים גדולים, תוך פעולה במרחב פיזי מוגבל שבו צפיפות ההספק והניהול התרמי הם גורמים קריטיים. בסביבה כזו, יעילות ואיזון תרמי חשובים לעיתים יותר מאשר ביצועי שיא. תהליך ה־4 ננומטר ממזער הפסדי הספק באמצעות פעולה במתח נמוך ושכבות קישוריות בעלות התנגדות נמוכה, ובכך מאפשר תכנונים יעילים במיוחד גם בתרחישים של אינטגרציה צפופה. מאפיינים אלו הופכים אותו למתאים במיוחד למימוש שכבת ה־Base Die בזיכרונות HBM.

יישומי AI ו־HPC דורשים ארכיטקטורות שבבים גדולות (Large Die), אולם ככל ששטח השבב גדל, כך עולה גם ההסתברות לפגמים. בהקשר זה, החברה מאמינה, התהליך מספק את רמת האמינות הנדרשת. "יחידת LPU ‏(Language Processing Unit) של חברה אמריקאית מובילה, משתמשת בתהליך ה־4 ננומטר כדי להשיג גם קישוריות בצפיפות גבוהה ויעילות הספק, כאשר הדור הבא של יחידות ה-LPU ייכנס לייצור המוני במחצית השנייה של 2026".

"רכיבי SerDes הפועלים במהירויות של עשרות גיגה־ביט לשנייה, רגישים מאוד לשונות בתהליך הייצור ודורשים איזון מדויק בין שלמות אות (Signal Integrity – SI) לבין יעילות הספק. בנוסף, התמיכה ב־IP בדרגת תקן רכב דוגמת LPDDR, ‏PCIe, ‏MIPI M-PHY, ‏HDMI ו־USB מתאימה ליציור של מערכות ADAS ו-IVI, ותומכת במגוון רחב של פונקציות ברכב, החל מעיבוד חיישנים ועד להעברת נתונים במהירות גבוהה". החברה גם מדגישה בקמפיין ששוק ה־RF נמצא בתהליך מעבר מארכיטקטורות RFIC מסורתיות לתכנוני RF SoC בעלי אינטגרציה דיגיטלית רבה. "תהליך ה־4 ננומטר מתאים במיוחד לתכנוני RF SoC משולבי אותות (Mixed-Signal) לסביבות תקשורת מהדור הבא, כגון Wi-Fi 8 ו־6G".

שוד ה-DRAM הגדול: כך הוברחה טכנולוגיית הזיכרון הקוריאנית לסין

פורסם בתאריך ע"י Techtime

פרקליטות מחוז מרכז בסיאול חשפה בימים האחרונים פרשה חריגה בהיקפה, הנחשבת לאחת מפרשות הריגול התעשייתי החמורות שנחקרו עד כה בתעשיית השבבים הדרום-קוריאנית. על פי דיווח של סוכנות רויטרס, עשרה בני אדם הועמדו לדין בחשד להדלפה מתמשכת ומאורגנת של טכנולוגיית ייצור מתקדמת של זיכרונות DRAM לידי יצרנית שבבים סינית. בין הנאשמים נמנים בכיר לשעבר ומהנדסים שעבדו בעבר בסמסונג אלקטרוניקס, לצד גורמים נוספים שפעלו דרך חברות תיווך ומבנים עסקיים שנועדו לטשטש את מקור המידע. הפרשה ממחישה את מעמדה של הטכנולוגיה כמשאב אסטרטגי בזירה הגלובלית.

לפי כתב האישום, מוקד הפרשה הוא קבוצה של עובדים לשעבר בסמסונג, שהעבירו ליצרנית הזיכרונות הסינית ChangXin Memory Technologies (CXMT) ידע רגיש הנוגע לתהליך ייצור DRAM בטכנולוגיית 10 ננומטר – תהליך הנחשב לאחד המתקדמים, המורכבים והיקרים בעולם הזיכרונות. אחד המאפיינים החריגים בפרשה הוא אופן העברת הידע: התביעה טוענת כי אחד המהנדסים המרכזיים העתיק בכתב יד מאות שלבים מפורטים של תהליך הייצור. במקום שימוש בקבצים, צילומים או מסמכים דיגיטליים, הוא רשם באופן ידני את “מתכון הייצור” המלא – החל מסדר הפעולות במפעל, דרך פרמטרים של ציוד, ועד נקודות כשל, אופטימיזציות ותיקונים שגובשו לאורך שנים של ניסיון.

המטרה, לפי גורמי החקירה, הייתה לעקוף את מערכות ההגנה הדיגיטליות של סמסונג. מערכות ניטור, מניעת דלף מידע ובקרות גישה אינן מסוגלות לאתר מחברת ועט. מהחקירה עולה כי המידע שנכתב ביד הועבר בהמשך לגורמים נוספים, אורגן למסמכים מסודרים, ושימש תשתית לבניית תהליך הייצור של CXMT כמעט מאפס – אך מבלי לעבור את שלבי הניסוי והטעייה שאפיינו את הפיתוח המקורי. על פי כתב האישום, חלק מהידע הועבר דרך חברות קש וגופים מתווכים, במטרה לנתק את הקשר הישיר בין המהנדסים הקוריאנים לבין היעד הסיני. כך נוצרה שכבת הסוואה עסקית שאפשרה העברת ידע ותובנות תהליך במסווה של פעילות ייעוצית או מחקרית. כלי תקשורת בקוריאה דיווחו כי פעילות זו החלה כבר ב-2018 ונמשכה לאורך מספר שנים, תוך גיוס שיטתי של עובדים בעלי ידע קריטי.

מדוע DRAM בתהליך 10 ננומטר כה קריטי?

המשמעות של DRAM בתהליך 10 ננומטר חורגת מהקטנה פיזית של רכיבים. מדובר בתהליך ייצור המחייב שליטה קפדנית בסטיות, בתזמון, בחומרים ובציוד ליתוגרפי מהמתקדמים בעולם. כל חריגה זעירה עלולה להפוך השקעה של מיליארדי דולרים לכישלון תעשייתי. חברות כמו סמסונג ו-SK Hynix השקיעו שנים והון עתק כדי להגיע ליציבות בייצור בטכנולוגיה זו. הידע שנצבר אינו מופיע בפטנטים בלבד, אלא מבוסס על ניסיון מצטבר של אלפי תקלות, פתרונות ושיפורים – ידע מעשי שמאפשר ייצור בקנה מידה מסחרי. לפי עמדת התביעה, זהו בדיוק הפער ש-CXMT לא הייתה יכולה לגשר עליו בפרק זמן כה קצר ללא גישה לידע שנגנב.

מהחקירה עולה כי CXMT הצליחה כבר בשנת 2023 להציג ייצור DRAM בטכנולוגיית 10 ננומטר – לראשונה בקרב יצרנית סינית. בהמשך הציגה גם דגמי DDR5, המשמשים שרתים, מרכזי נתונים ומערכות עתירות ביצועים. עוד נמצא כי הידע שהודלף שימש בסיס גם לפיתוח זיכרונות HBM (High Bandwidth Memory), רכיב מפתח במחשוב בינה מלאכותית, במעבדים גרפיים ובמאיצים. מדובר בשוק הנשלט ברובו על ידי יצרניות קוריאניות ואמריקאיות, וכל ניסיון סיני לחדור אליו נתפס כמהלך בעל משמעות אסטרטגית.

CXMT עצמה נחשבת לאחת מיצרניות ה-DRAM הבולטות בסין, ומתמקדת בפיתוח וייצור שבבי זיכרון לצרכנים ולשרתים כחלק מהמאמץ הלאומי של בייג‘ינג לצמצם תלות בטכנולוגיה מערבית. החברה מתכננת הנפקה בבורסה בשנגחאי ברבעון הראשון של 2026, לפי הערכות שווי של כ-42 מיליארד דולר, במטרה לגייס הון משמעותי להתרחבות ולהעמקת הפעילות בתחום הזיכרונות המתקדמים.

“נזק חריג בהיקפו”

לפי הפרקליטות הדרום-קוריאנית, הנזק הכלכלי מהפרשה נאמד בעשרות טריליוני וון – סכום השווה למיליארדי דולרים. מעבר לפגיעה הישירה בסמסונג, מדובר בפגיעה רחבה ביכולת התחרות של תעשיית השבבים הקוריאנית ובאובדן יתרון טכנולוגי שנבנה לאורך עשרות שנים. גורמים במדינה מדגישים כי אין מדובר בעבירת קניין רוחני שגרתית, אלא בפגיעה בביטחון הכלכלי הלאומי, על רקע המאבק הגלובלי על שליטה בשרשראות הערך של תעשיית השבבים.

הפרשה הנוכחית מצטרפת לשורה של חקירות והעמדות לדין שניהלה דרום קוריאה בשנים האחרונות סביב דליפת ידע תעשייתי רגיש, בעיקר בתחום הזיכרונות שבו למדינה יתרון עולמי מובהק. עם זאת, המקרה הנוכחי בולט במיוחד בהיקפו, בשיטתיות שבה בוצע ובתוצאה המעשית: מוצרים מסחריים שכבר הגיעו לשוק, ושעל פי כתב האישום נשענים על ידע שהודלף שלא כדין.

מעבר לאולם בית המשפט בסיאול, לפרשה יש הד רחב הרבה יותר. היא מדגישה את הפער בין פיתוח תיאורטי לבין ייצור תעשייתי בקנה מידה גדול, ואת הערך האמיתי של ניסיון מצטבר. יותר מכל, היא ממחישה כיצד תעשיית השבבים הפכה לזירה גיאו-פוליטית, שבה ידע, עובדים ותהליכים הם נכסים אסטרטגיים – לא פחות מכל אמצעי כוח מסורתי.

המחסור העולמי מחמיר: סמסונג מקפיצה בחדות את מחירי הזכרונות

פורסם בתאריך ע"י Techtime

לפי דיווח של סוכנות רויטרס, חברת סמסונג העלתה את מחירי שבבי הזיכרון מסוג DRAM ו-DDR5 בעד 60% בחודשים האחרונים, זאת על רקע מחסור חריף המתפתח בשרשרת האספקה. הדיווח מבוסס על שני מקורות בתעשייה הבקיאים בפרטים. לפי הפרטים שנמסרו, המחיר של מודול DDR5 בנפח 32GB עלה מכ-149 דולר לכ-239 דולר. מודולי 16GB עלו בכ-50%, והמחיר של מודולי 128GB קפץ לכ-1,194 דולר.

המקורות ציינו כי העלייה החדה נובעת מירידה במלאים ובלחץ גובר מצד חברות ענן ו-AI, שמגבירות רכישות של רכיבי זיכרון לשרתים. סמסונג לא הגיבה לדיווח, אך אנליסטים מעריכים כי החוזים העתידיים יגלמו מחירים גבוהים עוד יותר אם המחסור יימשך. המשמעות המיידית היא עלייה בעלויות חומרה עבור יצרני שרתים, מחשבים ופתרונות ענן – כאשר חלק מהיצרנים כבר מתריעים על זמינות מוגבלת ועל עיכובים באספקה.

צמצום בהיצע – לא בביקוש

העלייה במחירי סמסונג משתלבת במגמה רחבה שנפרסת זה יותר משנה: מחירי ה-DRAM ה“רגילים” מזנקים אף שהביקוש הכולל לטלפונים ולמחשבים נותר חלש. הסיבה המרכזית אינה עלייה בביקוש, אלא צמצום בהיצע. יצרניות הזיכרון הגדולות – סמסונג, SK Hynix ומיקרון – מזרימות חלק ניכר מקווי הייצור לטובת זיכרונות HBM, המשמשים מאיצי AI של אנבידיה ו-AMD.

התוצאה היא ירידה חדה בייצור זיכרונות DDR5 לשרתים ולמחשבים. לפי נתוני TrendForce, מחירי חוזי DRAM עלו בכ-180% בין ספטמבר 2024 לספטמבר 2025, כאשר המחיר הממוצע למודול DDR5 לשרת זינק מ-58 דולר לכ-165 דולר. מגמה דומה נצפתה גם בדוחות של חברת המחקר Omdia, שהצביעו על קריסה במלאים: מממוצע של 31 שבועות בתחילת 2023 לרק 8 שבועות השנה – רמה המוגדרת “מחסור ממשי”.

למרות שוק PC וסמארטפונים חלש, התמחור הגבוה הפך את DRAM למנוע רווח חדש עבור היצרניות. סמסונג ו-SK Hynix כבר העלו מחירים בחוזים רב-רבעוניים, ומיקרון דיווחה על שיפור חד במרווחים. מנגד, יצרניות מחשבים כמו Dell ו-HP מתריעות על עלייה בעלויות ועל חוסר ודאות בזמינות רכיבי הזיכרון לקראת 2026.

הפרדוקס הנוכחי בשוק הזיכרונות הוא שמחירים מזנקים דווקא בשנה שבה הביקוש הכולל נחלש. ההכנסות הגלובליות משוק ה-DRAM ברבעון הראשון של 2025 אף ירדו ב-5.5% לעומת הרבעון הקודם. עם זאת, הירידה בהיצע גדולה מספיק כדי לדחוף מחירים כלפי מעלה, בעיקר בשרתים ובמרכזי נתונים.

אנליסטים מזהירים כי הסטת הקיבולת ל-HBM עלולה להביא לתנודתיות חריפה: אם הביקוש ל-AI יתייצב מוקדם מהצפוי, השוק עלול למצוא את עצמו בעודף DRAM ב-2026 – ולחוות שוב נפילה במחירים. בינתיים, היצרניות מגבירות השקעות בהרחבת קווים, אך לפי הערכות, הפער בין היצע לביקוש ייסגר רק באמצע 2026.

סמסונג תייצר את שבבי הקישוריות של Valens

פורסם בתאריך ע"י Techtime

בתמונה למעלה: מנכ"ל ולנס, גדעון בן צבי

חברת שירותי הייצור של סמסונג (Samsung Foundry) תייצר את שבבי הקישוריות מטכנולוגיית MIPI A-PHY של חברת ולנס (Valens Semiconductor) מהוד השרון, בתהליך ייצור שבבי הרכב המתקדם ביותר שלה, המבוסס על טרנזיסטורי FinFET. כך הודיעו שתי החברות בהודעה משותפת, שבה הן דיווחו על הידוק שיתוף הפעולה ביניהן. במסגרת ההסכם הודיעה סמסונג שהיא תומכת בתקן הקישוריות MIPI A-PHY המבוסס על טכנולוגיה של ולנס, לצורך פיתוח ואספקת פתרונות תקשורת מהירה בין החיישנים בתוך הרכב. במקביל, שתי החברות יפתחו ביחד את הדור הבא של פתרונות MIPI A-PHY, "במענה לדרישה גוברת של היצרניות הגלובליות (OEM) בשוק הרכב".

שתי החברות שיתפו פעולה גם בעבר. סמסונג הייתה מהמשקיעות הראשונות בחברת ולנס, והייתה מהחברות המייסדות של ארגון HDBaseT Alliance שהחברה הקימה ביחד עם סמסונג, LG וסוני, ושהגדיר את תקן MIPI A-PHY המבוסס על טכנולוגיית HDBaseT של ולנס. כיום התקן ניתמך על-ידי יותר מ-200 חברות, בהן יצרניות של מערכות אודיו-וידאו מקצועיות (ProAV). סגן נשיא בכיר לתכנון טכנולוגיית פאונדרי בסמסונג אלקטרוניקס, טייג'ונג סונג, אמר שהתקן מאפשר לספק ליצרניות רכב את תשתית התקשורת הדרושה למערכות ADAS מתקדמות ולנהיגה אוטונומית מתקדמת.

מנכ"ל ולנס, גדעון בן צבי, אמר שהתמיכה של ענקית אלקטרוניקה כמו סמסונג היא הוכחה לכך שזהו העתיד של התקשורת המהירה ברכב. "לאחר שהכרזנו על שלוש זכיות בפרויקטים עם יצרניות רכב אירופאיות מובילות, ולאחר שקיבלנו את הגיבוי והשותפות של חברת מובילאיי (Mobileye), אנחנו ממשיכים לקדם את אימוץ התקן ומצפים בקוצר רוח לפתח את הדור הבא של מוצרי A-PHY ביחד עם סמסונג". במחצית הראשונה של 2025 הסתכמו מכירות ולנס בכ-33.9 מיליון דולר, בהשוואה למכירות של 25.1 מיליון דולר בתקופה המקבילה אשתקד. החברה נסחרת בבורסת NYSE לפי שווי שוק של כ-198 מיליון דולר.

אסטרטגיית ה-AI של סמסונג פוגעת בוואריסייט

פורסם בתאריך ע"י Techtime

בתמונה למעלה: קו הייצור של ואריסייט בקרית גת. צילום: Techtime

המאמץ העיקרי של סמסונג אלקטרוניקס ממוקד כיום בתחרות מול SK Hynix הקוריאנית על קבלת הזמנות ייצור של זכרונות עבור המחשבים של חברת אנבידיה. במסגרת המאמץ הזה, היא אפילו מסיטה את התפוקה של קווי ייצור זכרונות ממוצרים תעשייתיים לכיוון ייצור זכרונות למרכזי AI. המהלך הזה מתבצע בשקט ובלא פרסום הודעות לעיתונות או למשקיעים, אבל בתעשייה הוא כבר מורגש היטב. חברת ואריסייט הישראלית (Variscite), הנמצאת בבעלותה המלאה של טלסיס (Telsys), מתמודדת כיום עם בעייה של מחסור בזיכרונות בעקבות המהלך השקט של סמסונג.

מנוע המכירות של טלסיס

חברת ואריסייט ׁׁמלוד עוסקת בפיתוח וייצור מודולים ממוחשבים (System on Modules) המיועדים להטמעה במערכות של הלקוחות, וערכות פיתוח וכרטיסי הרחבה עבור המודולים האלה. מפעל ייצור כרטיסי ה-SoM של החברה נמצא בקרית גת. כיום היא אחראית לעיקר המכירות של קבוצת טלסיס. במחצית הראשונה של 2025 הסתכמו מכירותיה בכ-142 מיליון שקל (בהשוואה לכ-146.7 מיליון שקל במחצית הראשונה של 2024).

בדו"ח התקופתי של טלסיס שפורסם בשבוע שעבר, החברה הסבירה שחברת סמסנוג מספקת לוואריסייט כ-20% מרכיבי הזיכרון שבהם היא משתמשת. "בעקבות עיכובים באספקת רכיבי הזיכרון, הסביר ספק הזכרונות של סמסונג שהחברה החליטה להסיט את קו ייצור רכיבי הזיכרון שלה לטובת ייצור מוצרים עבור שוק ה-AI". סמסונג לא פירסמה הודעה רשמית על המהלך, אבל המידע התקבל בחודש יולי 2025 בעל-פה מהספק הישראלי של סמסונג. "הדבר מחייב את ואריסייט לרכוש זכרונות אצל יצרנים אחרים, בהם חברת Micron, שגם כיום מספקת חלק גדול מרכיבי הזכרון המשמשים את החברה".

סמסונג מחזרת אחר אנבידיה

חברת סמסונג מרכזת כיום מאמץ מרכזי בייצור רכיבי זיכרון גדולים ומהירים (HBM3E) עבור אנבידיה, ובהשגת יתרון בייצור רכיבי הדור הבא, HBM4, המיועדים לשימוש במרכזי נתונים גדולים, המריצים בעיקר יישומי בינה מלאכותית. בשבועות הקרובים היא אמורה לקבל אישור סופי שזכרונות HBM3E עברו בהצלחה את מבחני הקבלה של אנבידיה. מחלקת המחקר של מורגן סטנלי מעריכה שעם קבלת ההסמכה, היא תתחיל בייצור המוני עבור אנבידיה כבר בנובמבר 2025.

טלסיס הבהירה שעדיין יש לוואריסייט מלאי רכיבי זיכרון שאמור להספיק לביצוע ההזמנות מלקוחות בטווח הקצר. אולם אם ההחלטה של סמסונג לא תשתנה, "חברת הבת ואריסייט עשויה להידרש להאריך את מועדי האספקה לחלק מהאספקות ללקוחותיה, ובמקביל להבטיח רכישה של רכיבי זכרון מיצרנים אחרים". המרכיב השני במכירות של טלסיס הוא חטיבת הפצת הרכיבים, שמכירותיה במחצית הראשונה של 2025 עלו בכ-46% בהשוואה למחצית הראשונה 2024, והסתכמו בכ-85.8 מיליון שקלים. הצמיחה נובעת בעיקר מאספקה ללקוח ישראלי שדחה את ההזמנות מהמחצית השנייה 2024, למחצית הראשונה 2025.

טרמאונט גייסה 50 מיליון דולר בהובלת AMD, סמסונג ו-KDT

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חברת טרמאונט (Teramount) מירושלים הודיעה על השלמת סבב גיוס בהיקף של 50 מיליון דולר, שנועד לתמוך בהתרחבות משמעותית של החברה ובהיערכות לייצור תעשייתי רחב. את הגיוס הובילה קרן Koch Disruptive Technologies (KDT), זרוע ההשקעות של תאגיד הענק Koch, ואליה הצטרפו כמה מהשמות הבולטים ביותר בעולם הטכנולוגיה: AMD, Samsung Catalyst, Hitachi, Wistron וקרנות הון סיכון קיימות דוגמת Grove Ventures של היזם דב מורן.

מדובר באחד הסבבים הבולטים ביותר שנרשמו השנה בתחום החומרה בישראל – לא רק בשל היקפו, אלא בעיקר בגלל הפרופיל המרשים של השותפות האסטרטגיות, המייצגות את כלל שרשרת הערך של תעשיית המוליכים למחצה והדאטה סנטרים: יצרניות שבבים, קבלניות חומרה, חברות תעשייתיות וטכנולוגיות ענק.

קישור ישיר בין סיבים אופטיים לשבבים

טרמאונט הוקמה על ידי ד"ר הישאם טאהא ו־ד"ר אבי ישראל, במטרה לפתור את אחת הבעיות המורכבות ביותר של עידן הדאטה – חיבור מהיר, אמין ואוטומטי בין סיבים אופטיים לרכיבי סיליקון. החברה מפתחת את פלטפורמת TeraVerse, אשר מאפשרות יישור מדויק ואוטומטי בין הסיבים לשבבים, תוך שמירה על תאימות מלאה לקווי הייצור הקיימים של תעשיית השבבים.

כלומר, טרמאונט לא מייצרת את השבבים הפוטוניים עצמם, אלא מציעה פתרון ביניים. המערכת של החברה היא פלטפורמה שלמה לחיבור בין סיבים לשבבים באמצעות רכיבים פיזיים שנקראים PhotonicPlug ו-PhotonicBump. אלו הם מעין "מחברים אופטיים מזעריים" המאפשרים חיבור סיב אופטי בקלות ובמדויק מאוד לשבב פוטוני, תוך התאמה לקווי ייצור סטנדרטיים של תעשיית השבבים (fabs). מדובר בחיבור אוטומטי, ללא צורך בכיוונון ידני מתיש תחת מיקרוסקופ (כפי שנעשה עד היום).

במילים פשוטות, הם פיתחו את המחבר, את התווך, את "השקע והתקע" שמאפשרים סוף סוף להרכיב סיבים אופטיים על שבבים בקנה מידה תעשייתי, בלי עלות יקרה לכל יחידה.  בתעשייה כיום, חיבור סיבים אופטיים לשבבים פוטוניים הוא תהליך ידני, יקר, איטי ורגיש, שמהווה צוואר בקבוק להפצת סיליקון פוטוניקס. החברה מסרה שהפתרונות שלה מאפשרים צמצום צריכת האנרגיה במערכות עיבוד, הגדלת רוחב הפס, הורדת זמן השהייה (latency), פישוט תהליכי ההרכבה של רכיבי פוטוניקה וחשוב מכל – שילוב מלא בייצור תעשייתי מסורתי של מוליכים למחצה.

עמוד השדרה החדש של תשתיות הבינה המלאכותית

הפיתוחים של טרמאונט משתלבים בתחום הסיליקון פוטוניקס (Silicon Photonics) – טכנולוגיה המשלבת רכיבי תקשורת אופטיים עם שבבי סיליקון סטנדרטיים. במקום להעביר מידע באמצעות זרם חשמלי בכבלי נחושת, סיליקון פוטוניקס משתמש באור המועבר דרך סיבים אופטיים, מה שמאפשר קצב תעבורה גבוה הרבה יותר, חיסכון בחשמל והפחתת חום. הטכנולוגיה נתפסת כמרכיב חיוני בעידן ה-AI: מערכות בינה מלאכותית צורכות כמויות עצומות של דאטה בזמן אמת, והתלות בתקשורת חשמלית מסורתית הופכת לחסם משמעותי.

העתיד – כפי שמבינים היטב ב-AMD, סמסונג והיטאצ’י – שייך לתקשורת אופטית בתוך מערכות עיבוד. לפי התחזיות, שוק הסיליקון פוטוניקס צפוי לצמוח בקצב שנתי דו-ספרתי ולהגיע לשווי של עשרות מיליארדי דולרים תוך חמש שנים, עם חדירה מהירה לעולמות של דאטה סנטרים, מחשוב עתיר ביצועים (HPC), רכב אוטונומי, תקשורת 6G ועוד

לדברי ד"ר טאהא, "הגיוס הזה, המאחד שחקנים מובילים בכל שרשרת האקוסיסטם, מהווה הבעת אמון יוצאת דופן בפוטנציאל של הפלטפורמה שפיתחנו. ההון שגוייס ישמש אותנו לגיוס כוח אדם, הקמת קווי ייצור והתרחבות גלובלית".

מייסדי טרמאונט, ד״ר השאם טאהא (ימין), וד״ר אבי ישראל (שמאל)

חבל ההצלה של טסלה לפאונדרי של סמסונג

פורסם בתאריך ע"י Techtime

אילון מאסק חשף היום, בציוץ מפתיע ב-X, כי יצרנית הרכב טסלה (Tesla) חתמה על הסכם אסטרטגי עם סמסונג לייצור שבבי AI בטכנולוגיית 2 ננומטר, בהיקף המוערך בכ-16.5 מיליארד דולר לאורך מספר שנים. ההסכם נוגע לדור הבא של שבבי העיבוד שפותחו על ידי טסלה, אשר צפויים להניע הן את מערכות הסופר-מחשב Dojo שלה והן את מערכות העיבוד בתוך כלי הרכב. עבור טסלה מדובר במהלך טכנולוגי רחב היקף, אך לא פחות מכך – במהלך גיאו־אסטרטגי שמרחיב את שרשרת האספקה שלה. עבור סמסונג, זהו חוזה עוגן שעשוי לשנות את מאזן הכוחות בשוק הפאונדרי העולמי.

מזנבת אחרי TSMC

בשנים האחרונות חטיבת הפאונדרי של סמסונג ניצבה בפני אתגרים מהותיים, הן טכנולוגיים והן פיננסיים. החברה התקשתה לעמוד בקצב ההתקדמות של המתחרה המרכזית, TSMC, בעיקר בכל הקשור לשיעורי תפוקה (yield) בטכנולוגיות ייצור מתקדמות כמו 3 ו-2 ננומטר. למרות השקעות עתק, כולל הקמת מפעלים בטקסס ובקוריאה, החטיבה נותרה עם נתח שוק של פחות מ-8% בלבד בשוק הפאונדרי העולמי – רחוק מאוד מיעד של 20% שהציבה לעצמה עד 2030. מוקדם יותר השנה אף דווח על קריסה זמנית בשרשרת ייצור בטכנולוגיית GAA החדשה, שהובילה לעיכובים בפרויקטים אסטרטגיים.

כתוצאה מכך, רווחיות החטיבה נשחקה, והמאזן הפיננסי של החטיבה התדרדר בעקביות. ברבעון השני דיווחה החטיבה על הפסד תפעולי של כחצי מיליארד דולר. על רקע זה, ההסכם עם טסלה נתפס כקרש הצלה אסטרטגי. ההזמנה בהיקף עצום תספק לחטיבת הפאונדרי זרם הכנסות קבוע, צפוי להפחית את ההפסדים בפעילותה השוטפת ביותר מ-70% עד 2027, ואף עשוי לדחוף את החטיבה לאיזון או לרווחיות מוקדם מהצפוי.

מעבר לכך, העובדה שטסלה בחרה בסמסונג לייצר שבבי AI בטכנולוגיית 2 ננומטר משדרת אמון טכנולוגי – מהלך שעשוי לעודד לקוחות נוספים לעבור מהמתחרים ולהזמין ממנה שבבים עתידיים. ההסכם, אם יבוצע בהצלחה, עשוי להיות נקודת מפנה לא רק בפן הכלכלי, אלא גם בתדמית של סמסונג כשחקנית רצינית בשוק הפאונדרי המתקדם.

ניהול סיכונים גיאו-פוליטי

טסלה צפויה לייצר אצל סמסונג את שבבי הדור הבא של מערכות ה-AI שלה – Dojo AI6 – שתוכננו במיוחד לצרכים של עיבוד מתקדם למודלים של נהיגה אוטונומית. שבבים אלו ישמשו הן את תשתית הסופר־מחשב של טסלה, Dojo, לצורך אימון מאסיבי של רשתות נוירונים על בסיס נתוני וידאו מכלי הרכב, והן את מערכות העיבוד שיותקנו בעתיד בתוך הרכב עצמו.

המטרה היא לספק יכולת עיבוד מקבילית עצומה לניתוח מידע חזותי ותחושתי בזמן אמת, ולקבלת החלטות קריטיות לנהיגה – כמו זיהוי סכנות, היגוי ובלימה אוטונומיים. שלא כמו רוב יצרני הרכב המשתמשים ב-GPU מסחריים, טסלה מפתחת שבבים בארכיטקטורה ייעודית (ASIC) המותאמת ספציפית למשימות של למידת מכונה. השבבים החדשים יתבססו על תהליך ייצור של 2 ננומטר בסמסונג – קפיצת מדרגה ביחס לדור הקודם שיוצר בטכנולוגיית 7 ננומטר של TSMC.

להשתדרג ל-2 ננומטר

המעבר הזה יאפשר לשבב להכיל יותר טרנזיסטורים, לעבוד ביעילות אנרגטית גבוהה יותר, ולהציע ביצועים טובים יותר בעיבוד מדויק ומהיר של מודלי AI. אם סמסונג תעמוד ביעדי האיכות, מדובר לא רק בשדרוג טכנולוגי עבור טסלה – אלא גם באבן דרך לקראת יכולת נהיגה אוטונומית מלאה, שבה כל תהליך ההחלטה מתבצע בתוך הרכב עצמו וללא תלות בענן.

ההחלטה של טסלה לשלב את סמסונג בשרשרת הייצור שלה משקפת מהלך אסטרטגי רחב יותר לגיוון מקורות האספקה, על רקע מתחים גיאופוליטיים, צווארי בקבוק תעשייתיים ותלות גוברת ביכולות חישוב ייעודיות. עד כה התבססה טסלה בעיקר על שיתוף פעולה הדוק עם TSMC, יצרנית השבבים המובילה בעולם, שייצרה עבורה את שבבי ה-D1 לדור הקודם של פלטפורמת Dojo בטכנולוגיית 7 ננומטר.

TSMC נחשבת לסטנדרט הזהב בתחום הפאונדרי, אך טסלה – כמו שחקנים אחרים – מודאגת מהתלות ביצרן יחיד, במיוחד כזה שפועל מתוך טייוואן הנמצאת באי־יציבות גיאו-אסטרטגית. הכנסת סמסונג כשותפה שנייה, ודווקא בייצור שבבי 2 ננומטר המתקדמים, מאפשרת לטסלה לפזר סיכונים, להגביר את הגמישות התפעולית שלה, ולהאיץ את קצב הפיתוח – תוך ניצול יכולות הייצור של שתי ענקיות שבבים במקביל.

הייצור של שבבי ה-AI צפוי להתבצע במפעל החדש של סמסונג בטיילור, טקסס – פרויקט דגל של החברה בהשקעה כוללת של יותר מ-40 מיליארד דולר. המפעל, שעד כה סבל מדחיות וקשיים בהגעה ליעדי תפוקה מתקדמים, יוקדש באופן ייעודי לביצוע החוזה עם טסלה, ויהפוך למבחן מפתח ליכולות הפאונדרי של סמסונג בדור ה-2 ננומטר.

אילון מאסק עצמו ציין כי יעקוב מקרוב אחר ההתקדמות ויפקח אישית על עמידת סמסונג בסטנדרטים הנדרשים – הצהרה נדירה שמצביעה על הרגישות האסטרטגית של ההסכם עבור טסלה. עבור סמסונג, מדובר לא רק בחוזה מסחרי אלא בהזדמנות אמיתית לשקם את המוניטין שלה מול תעשיית השבבים כולה, ולהוכיח שהיא מסוגלת להתמודד באותה ליגה עם TSMC גם בטכנולוגיות המתקדמות ביותר. הצלחה בפרויקט הזה עשויה לשנות את מעמדה של סמסונג בשוק הפאונדרי כולו.

סמסונג מדווחת: הפסד תפעולי ב-Foundry, עיכובים ב-HBM ופיגור במרוץ ה-AI

פורסם בתאריך ע"י Techtime

הדו"ח של סמסונג לרבעון השני של 2025, שפורסם הלילה, חושף תמונה מורכבת עבור ענקית הטכנולוגיה הקוריאנית. על אף עלייה קלה בהכנסות הכלליות, חטיבת השבבים – ובעיקר פעילות ה-Foundry – ממשיכה לרשום הפסדים, זאת על רקע מגבלות רגולטוריות, תחרות עזה ושיבושים בשרשרת האספקה הגלובלית.

סמסונג ציינה בדוחותיה כי חטיבת ה-Foundry, האחראית על ייצור שבבים עבור חברות חיצוניות, סבלה מהפסד תפעולי של כ־670 מיליארד וון (כ־485 מיליון דולר) ברבעון השני של השנה. הכנסות החטיבה הסתכמו בכ־4.33 טריליון וון (כ־3.14 מיליארד דולר), ירידה לעומת רבעונים קודמים. הגורמים המרכזיים לכך הם שיעור ניצול נמוך של קווי הייצור, ירידה בביקוש מצד לקוחות מובילים, והמשך ההגבלות על ייצוא טכנולוגיות מתקדמות לסין. ארצות הברית הגבילה את האפשרות של סמסונג לספק שבבים מתקדמים ללקוחות סיניים, מה שפגע קשות בהכנסות מהשוק האסייתי שהיה עד לאחרונה מהותי במיוחד לחברה.

אחד הנושאים המרכזיים בדו"ח הוא תחום ה-HBM – שבבי זיכרון מהירים במיוחד הנדרשים לפיתוח מערכות בינה מלאכותית. סמסונג משקיעה רבות בדור החדש של HBM3E ואף החלה בייצור ראשוני של HBM4, אך לפי דיווחי החברה, טרם התקבלה הסמכה מלאה מצד לקוחות מרכזיים כמו אנבידיה. המשמעות: סמסונג עדיין לא מספקת את השבבים בכמויות משמעותיות, בזמן שמתחרותיה, ובראשן SK hynix הקוריאנית ומיקרון האמריקאית, כבר מיישמות ייצור ואספקה שוטפת של HBM3 ללקוחות הדגל בשוק.

היחסים עם אנבידיה הם נקודה רגישה נוספת בדוח. בעוד אנבידיה מהווה לקוח מרכזי בשוק ה-AI העולמי, היא נוטה להעדיף את SK hynix בזכות אמינות אספקה ויעילות אנרגטית של הדורות האחרונים של שבבי HBM. סמסונג, למרות יתרונה בגודל ובהיקף ייצור, טרם הצליחה להשיג יתרון תחרותי טכנולוגי מובהק בתחום הקריטי הזה. החברה מציינת כי הבדיקות מול אנבידיה עדיין בעיצומן, וכי היא שואפת להתחיל אספקה מסחרית של HBM3E כבר במחצית השנייה של השנה.

ההקשר הרחב יותר מציב את סמסונג בצומת דרכים. מצד אחד, החברה משקיעה השקעות ענק בהרחבת תשתיות ה-Foundry בטקסס, בקוריאה ובאירופה, מתוך מטרה למשוך לקוחות נוספים ולשפר את ניצול הקיבולת. מצד שני, היא נאלצת להתמודד עם ירידה כללית בביקוש לשבבים לשימושים מסורתיים, כמו סמארטפונים, ועם עלויות קבועות גבוהות שהופכות את כל פרויקט הייצור לפי הזמנה (Foundry) למאתגר מבחינה כלכלית.

בתוך כך, המתחרות לא מחכות: TSMC מטייוואן, המתחרה הגדולה ביותר של סמסונג בתחום ה-Foundry, ממשיכה לחזק את מעמדה כבחירה המועדפת של חברות אמריקאיות ואירופיות, בעיקר בזכות ייצור שבבי 3 ננומטר בהיקפים גדולים יותר. SK hynix מצדה הופכת לשם הנרדף ל-HBM מהדור החדש, וביססה לעצמה מוניטין איתן אצל הלקוחות המרכזיים של מהפכת הבינה המלאכותית.

סמסונג מציינת כי היא מצפה לצמצם את ההפסדים בחטיבת השבבים במחצית השנייה של 2025, בין היתר בזכות קווי ייצור חדשים, אופטימיזציה של עלויות וחזרה הדרגתית בביקושים לשבבי AI מתקדמים. עם זאת, על מנת לחזור ולהוביל את התחום, החברה תידרש לא רק לטכנולוגיה פורצת דרך – אלא גם לשיקום האמון עם הלקוחות, לוגיסטיקה מדויקת והסתגלות גמישה לגיאופוליטיקה המשתנה.

סמסונג נכנסת לתחום הרובוטים דמויי-אדם

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חברת סמסונג (Samsung) הודיעה שהיא עומדת לפרסם הצעת רכש לבעלי המניות של חברת Rainbow Robotics הקוריאנית, שתהפוך אותה לבעלת השילטה בחברה ותכניס אותה למגזר פעילות חדש של רובוטים ליישומים מגוונים, כוללים רובוטים דמויי-אדם (Humanoid Robot). כיום מחזיקה סמסונג בכ-14.7% ממניות ריינבואו. היא הדיעה שבכוונתה לרכוש חבילת מניות נוספת שתעניק לה 35% בעלות בחברה. בעקבות ההודעה עלתה מניית בבורסה הקוריאנית בכ-15.2% וכעת היא נסחרת פי שווי חברה של כ-2.1 מיליארד דולר. פירוש הדבר שסמסונג מתכננת לשלם כ-426 מיליון דולר.

החברה הוקמה בשנת 2011 על-ידי קבוצת חוקרים מהמכון לטכנולוגיות מתקדמות של קוריאה (KAIST). לאחר השלמת העיסקה, תירשם ריינבואו כחברה בת של סמסונג (Samsung Electronic) ותופיע בדוחות הכספיים שלה. אחת ממטרות העיסקה היא לשלב בין הטכנולוגיה הרובוטית של ריינבואו והמשאבים של סמסנוג בתחום תוכנות הבינה המלאכותית, כדי לפתח רובוטים דמויי-אדם אינטיליגנטיים. במקביל, תוקם ועדת תיאום בין שתי החברות, אשר תאתר טכנולוגיות ושווקים בהן הן מתכננות להיות המובילות, ולתאם את מאמצי המחקר והפיתוח בשתי החברות כדי להשיג את היעד הזה.

נכון לעכשיו, סמסונג הגדירה שלושה סוגי רובוטים שבהם היא מתכננת לייצר הובלה בשיתוף עם ריינבואו רובוטיקס: רובוטים דמויי-אדם, מערכות רובוטיות ניידות אוטונומיות ליישומי יציור תעשייתי וניהול מתקנים לוגיסטייםורובוטים כפולי זרועות למטלות ייצור תעשייתי. כדי לעמוד ביעד, הקימה סמסונג יחידה חדשה בשם Future Robotics Office, אשר מדווחת ישירות למנכ"ל סמסונג. היחידה הזו תפעל במתכונת של צוות ייעודי אשר יפתח טכנולוגכיי רובוטיקה חדשוןת שיבטיחו את ההובלה של סמסונג בתחום. מייסד משותף של חברת ריינבואו רובוטיקס ומרצה ב-KAIST, ד"ר ז'ון-הו או, ישמש כראש המשרד החדש לרובוטיקה מתקדמת.

iFixit ביטלה השת"פ עם סמסונג בגלל טכניקות ייצור בעייתיות

פורסם בתאריך ע"י Techtime

בתמונה למעלה: הסרת סוללת ליתיום-יון מודבקת במכשיר גלאקסי של סמסונג. מקור: iFixit

חברת iFixit שמרכזה בארה"ב ובגרמניה, הודיעה על הפסקת שיתוף הפעולה עם חברת סמסונג (Samsung) בייצור ובאספקת מדריכים לתיקון מכשירי הטלפון שלה. בפוסט כועס מאוד שפירסם מנהל שירותי הלוגיסטיקה של החברה, סקוט האד, הוא מאשים את סמסונג בכך שניצלה את הקשר עם iFixit לצורך יחסי ציבור בלבד, שהיא איננה מספקת תמיכה למעבדות שירות ותיקונים ושהיא אימצה שיטות ייצור המונעות אפשרות לתקן מכשירים מקולקלים, ולכן מיייצרת פסולת אלקטרונית מיותרת.

חברת iFixit היא מותג עולמי בתחום התיקון של ציוד חשמלי ואלקטרוני. היא הוקמה בשנת 2003 כדי לקדם את החזון של תיקון ציוד במקום זריקתו לפח. החברה בנתה קהילה תוססת שכתבה עד היום יותר מ-100,000 מדריכי תיקון לציוד חשמלי ואלקטרוני. היא גם מוכרת חלפים מתוצרת היצרנים עליהם חיברה מדריכים, וציוד למעבדות שירות. בתעשייה היא מוכרת בזכות פרוייקטי Teardown הזוכים לכיסוי נרחב, משום שהיא חושפת בהם את המבנה הפנימי ואת הרכיבים המצויים במוצרים אלקטרוניים.

חלפים במחיר לא סביר

סקוט האד מדווח שהוויכוח עם סמסונג החל מיד לאחר ששתי החברות הכריזו לפני כשנתיים על שיתוף פעולה בתחום התיקון של מכשירים מצותרת סמסונג. במסגרת שיתוף הפעולה, חברת iFixit התחיייבה לחבר מדריכי תיקון ולספק חלקי חילוף, ואילו סמסונג התחייבה לייצר  מכשירים באופן המקל על תיקונם. אלא שהמציאות היתה שונה. האד: "לכל אורך הדרך נתקלנו במכשולים שגרמו לנו לפקפק במחוייבות של סמסונג לסייע בתיקון מכשיריה. התקשינו לקבל ממנו חלקי חילוף עבור מעבדות תיקון בכמות ובמחירים הדרושים. המחיר היה כל-כך גבוה שהלקוחות העדיפו להחליף מכשירים במקום לתקן אותם.

לקח "הסוללות המתפוצצות" לא נלמד

"גם הייצור של מכשירי גלאקסי נשאר כשהיה – מבוסס על הדבקה מתסכלת של החלקים הפנימיים. כך למשל, סמסונג לא סיפקה סוללות להחלפה – רק סוללות המודבקות ללא הפרד למסכי המכשיר. כדי להחליף סוללה צריך להחליף גם את המסך היקר". שורשיו של הוויכוח העקרוני בין iFixit וסמסונג נעוצים במשבר הסוללות המתפוצצות שהיכה בסמסונג בשנת 2016. באותה שנה התברר שסוללות הליתיום-יון במכשיר Note 7 נוטות להתלקח באופן ספונטני. סמסונג החליפה מכשירים ללקוחות, אבל גם הם התלקחו. בסופו של דבר היא ביקשה מהם לכבות את המכשירים ולהפסיק להשתמש בהם כליל.

חברת iFixit ניסתה להתמודד עם הבעיה באמצעות החלפת הסוללה מקו הייצור המקולקל בסוללה תקינה, אולם גילתה שהדבר קשה מאוד לביצוע, "לפחות כמו ניתוח מוח: הסוללה מודבקת בדבק חזק מאוד וללא ברגים, כאשר כדי להגיע אליה צריך להשתמש באוויר חם ולהסיר מספר שכבות של רכיבים וחלקים מודבקים אחרים". המהלך הנוכחי של סיום הקשר בין שתי החברות, מלמד שסמסונג לא שינתה את שיטות הייצור שלה מאז אותו משבר.

סמסונג מקימה בטקסס מפעל של 2 ננומטר

פורסם בתאריך ע"י Techtime

משרד המסחר האמריקאי הודיע כי יעניק מענק בגובה של 6.4 מיליארד דולר לחברת סמסונג לצורך הקמת שני פאבים לייצור ואריזת שבבים, כמו גם מרכז מו"פ, בעיר טיילור שבמדינת טקסס. התמריצים ניתנים לסמסונג במסגרת חוק CHIPS שהוביל ממשל ביידן על מנת לבסס פעילות ייצור שבבים על אדמת ארצות הברית ולהפחית את התלות בייצור חיצוני.

כיום יש לסמסונג שני פאבים בעיר אוסטין, לא רחוק מהעיר טיילור. הפרויקט צפוי לייצר יותר מ-21 אלף מקומות עבודה. כמו כן, כ-40 מיליון דולר יושקעו בהכשרת עובדים מיומנים לתעשיית השבבים. בנוסף למענק מהממשל האמריקאי, סמסונג הכריזה כי בכוונתה להשקיע כ-40 מיליארד דולר בפיתוח יכולות ייצור בטקסס. במשרד המסחר האמריקאי מעריכים כי הודות להשקעות הללו, עד 2030 ארצות הברית תהיה אחראית לייצור כחמישית מהמעבדים בעולם.

לפי דיווחים בארצות הברית, הפאבים יכללו קווי ייצור שבבים ב-2 וב-4 ננומטר. לפי אותם דיווחים, ייצור השבבים ב-2 ננומטר יהיה זמין כבר ב-2026, ובכך תקדים סמסונג את TSMC. לפני מספר שבועות הודיעה משרד המסחר האמריקאי כי הגיע להבנות ראשוניות עם TSMC למתן מענק של עד 6.6 מיליארד דולר, ועוד כ-5 מיליארד דולר בהלוואות, לצורך הקמת פאב שני באריזונה, אשר צפוי לייצר ב-2 ננומטר רק ב-2028.

ביוני 2023 הציגה סמסונג מפת דרכים לפיה כבר ב-2025 תייצר שבבים ב-2 ננומטר לשוק הסמרטפונים. ב-2026 יהיה זמין התהליך לתחום מחשוב עתיר-ביצועים (HPC) וב-2027 לשוק הרכב. באחרונה דיווחה סמסונג כי זכתה בחוזה ראשון לייצור המוני ב-2 ננומטר. סמסונג לא חשפה את זהות הלקוח, אך לפי דיווחים בתקשורת הקוריאנית מדובר בסטארט-אפ יפני בשם PFN, המתמחה בייצור שבבי AI.

נובה וסמסונג יציגו פתרונות מתקדמים לבדיקת זכרונות

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חברת נובה (Nova) וחברת סמסונג (Samsung) יציגו בכנס SPIE Advanced Lithography 2024 שני מחקרים משותפים הנוגעים לשיטות מדידה ובדיקה מתקדמות של זכרונות. שני המחקרים הם תולדה של מספר תוכניות פיתוח משותפות של שתי החברות לפיתוח טכנולוגיות מתקדמות לייצור ובדיקה של שבבים.

המחקרים מתמקדים בתחום מארזי זכרונות מתקדמים ומדגימים מספר טכנולוגיות שמפתחת נובה, על מנת לאפשר מדידה ובדיקה של פרמטרים קריטיים במבנים מורכבים של מערכי זכרונות.

כותרתו של המחקר הראשון היא "Unique Spectral Interferometry Solutions for Complex High Aspect Ratio 3D NAND Structures", והוא מדגים כיצד שימוש בשיטות מתקדמות של ספקטרוסקופיה ובינה מלאכותית יכולים לפתור אתגרים במדידה של זכרונות 3D NAND. כותרתו של המחקר השני היא "On-Cell Thickness Monitoring of Chalcogenide Alloy Layer using Spectral Interferometry, Raman Spectroscopy, and Hybrid Machine Learning", והוא עוסק בשימוש במתודה של ספקטרוסקופיה המאפשרת ללמוד על מצבי האנרגיה של החומר על סמך דפוסי פיזור האור (Raman Spectroscopy).

לצד היותה חברה מובילה בתחום האלקטרוניקה הצרכנית, סמסונג היא גם אחת מקבלניות ייצור השבבים (foundry) הגדולות בעולם והיא מובילה, לצד TSMC ואינטל, את פיתוח תהליכי הייצור המתקדמים בתחום המארזים המתקדמים והגיאומטריות הזעירות ב-3 ננומטר ומטה. כיצרנית שבבים, סמסונג היא לקוחה של נובה לרכש מערכות מדידה ובדיקה עבור קווי הייצור שלה.

הטכנולוג הראשי של נובה, ד"ר שי וולפלינג, אמר כי "שיתוף הפעולה הזה עם סמסונג מאפשר לנו לבדוק ולשפר ולהרחיב את השימושים שלנו בסוגים שונים של ספקטרוסקופיה עבור תהליכים קריטיים בייצור ארכיטקטורות הזיכרון המתקדמות והמורכבות ביותר. המאמץ המשותף הזה מדגים כיצד שיתוף פעולה עם מחלקות המו"פ של לקוחותינו מאפשר לנו לפתח פתרונות פורצי דרך המאפשרים מעבר מהיר לייצור המוני."

המציאות הפיננסית שאילצה את אינטל להיכנס לשוק שירותי הייצור

פורסם בתאריך ע"י Techtime

בתמונה למעלה, שער הכניסה לפאב 34 באירלנד. כל מכונת ליתוגרפיה עולה 200 מיליון דולר. צילום: Techtime

מאת: רוני ליפשיץ

כאשר חברת אינטל אימצה בחודש מרץ 2021 את אסטרטגיית IDM 2.0 והקימה את חטיבת שירותי הייצור Intel Foundry Services כזרוע פעילות אסטרטגית אשר מובילה השקעות בהיקף של עשרות מיליארדי דולרים בארה"ב ובאירופה, הדבר ניתפש כאיום ישיר על קבלנית שירותי הייצור הגדולה בעולם, TSMC. זאת במיוחד לאור העובדה שמנכ"ל אינטל ומגבש האסטרטגיה, פט גלסינגר, הדגיש מספר פעמים את הכוונה של אינטל להיות ספקית שירותי ייצור מהמובילות בעולם.

הרעיון נראה בלתי סביר: מדוע שיצרנית שבבים מקורית המוכרת מעבדים שהיא פיתחה תמורת שולי רווח גבוהים מאוד, תעבור למודל עסקי של מתן שירותי ייצור, שבו שולי הרווח נמוכים בהרבה? גם המשקיעים לא התלהבו מהרעיון. בחודש מרץ 2021 נסחרה מניית החברה בנסד"ק ב-64 דולר. כיום היא נסחרת במחיר של כ-35.5 דולר בלבד, המעניק לה שווי שוק של 149 מיליארד דולר. אלא שביקור של Techtime במפעל Fab 34 החדש של אינטל באירלנד, מגלה שהסיבה העומדת מאחורי המודל העסקי החדש היא טכנולוגית, לא עסקית. ליתר דיוק: העלות העצומה של המעבר לתהליכי ייצור מתקדמים.

17 מיליארד אירו וחמש שנות הקמה

בשבוע שעבר אינטל חנכה את תחילת הייצור במפעל החדש, אשר ייצר מעבדים בטכנולוגיית Intel 4 הנחשבת למעין מקבילה של 7 ננומטר. הקמת המפעל החלה בשנת 2019 ודרשה השקעה של כ-17 מיליאר אירו. לשם השוואה, אינטל מפעילה באתר שליד דבלין עוד 3 מפעלי ייצור בטכנולוגיות ישנות שעלות הקמתם המשותפת היתה 13 מיליארד אירו בלבד. מדובר בקפיצת מדרגה בעלויות שכמעט ולא ניתן לעמוד בה. כך למשל על-פי הערכות בתעשייה, מפעל מהסוג הזה זקוק ל-10-20 מכונות ליתוגרפיה מסוג EUV ׁ(אולטרה סגול קיצוני). החברה היחידה בעולם המייצרת מערכות כאלה היא ASML ההולנדית, אשר מספקת אותן תמורת כ-200 מיליון דולר לכל מכונה.

בתוך פאב 34. העלויות גבוהות מדי. צילום: Intel
בתוך פאב 34. העלויות גבוהות מדי. צילום: Intel

לכך יש להוסיף חדר נקי שהוא גדול בהרבה מחדרים מקבילים בטכנולוגיות מיושנות יותר, חומרים כימיים חדשים לייצור טרנזיסטורי RibbonFET, פיתוח מערכות מטרולוגיה ייחודיות וחדר נקי ברמת דרישות מסדר גודל חדש לגמרי. חברה יחידה אשר צריכה להתמודד עם העלות הזאת עבור המוצרים שלה בלבד – לא תצליח למכור אותם במחיר המכסה את ההוצאה הזאת. זו כנראה הסיבה שכיום רק 3 חברות מנהלות תחרות על תהליכי הייצור המתקדמים: סמסונג, TSMC ואינטל. החברה העצמאית אחרונה שהשתתפה במירוץ הזה היתה Globalfoundries, שכבר ב-2018 הודיעה שהיא פורשת ממנו.

אינטל הולכת בעקבות סמסונג

חברת סמסונג הכירה מוקדם מאוד בקיומה של הבעיה הזאת, ופיתחה מודל עסקי הכולל ייצור שבבים פרי תכנון עצמי במקביל למתן שירותי ייצור לחברות מתחרות, כמו אפל וקואלקום לשם המחשה. יש חברות נוספות שאימצו את הגישה הזאת, למרות שהן לא נמצאות במירוץ לטכנולוגיות מתקדמות. חברת STMicroelectronics הצרפתית, למשל, מאזנת את עלויות הייצור שלה עם מתן שירותי ייצור לחברות כמו מובילאיי, שהיא מלקוחותיה הגדולים ביותר. למעשה, המהלך של אינטל משאיר את TSMC לבד במערכה: היא החברה היחידה שפועלת במודל עסקי נקי המבוסס על מתן שירותי ייצור בלבד. כיום כל המתחרות הגדולות של אינטל, כמו AMD ואנבידיה למשל, מייצרות את השבבים המתקדמים שלהן בחברת TSMC.

מכאן שהמודל העסקי של אינטל לא מאיים על TSMC, ואינטל אפילו לא מתכננת להתחרות ב-TSMC. למעשה היא מנסה לצמצם את הסיכון הכרוך בכניסה לתהליכי ייצור מתקדמים, מכיוון שזהו סיכון שהיא חייבת לקחת אם ברצונה להמשיך ולהוביל את שוק המעבדים. בטקס חנוכת המפעל שהתקיים בסוף השבוע באירלנד, סיפרה מנהלת הפיתוח הטכנולוגי באינטל, ד"ר אן קהלר, שהחברה כבר מפתחת ארבעה תהליכים חדשים: אינטל 3, אינטל 20A, אינטל 18A והתהליך המתקדם ביותר, Intel NEXT. קהלר: "המטרה שלנו היא להגיע לכטריליון טרנזיסטורים בשבב עד לשנת 2030".

ד"ר אן קהלר חושפת את מפת הדרכים של אינטל. צילום: Techtime
ד"ר אן קהלר חושפת את מפת הדרכים של אינטל. צילום: Techtime

ה-Chiplets דורשים רצפת ייצור פתוחה

מהפיכה הכלכלית נדחפת על-ידי גורם טכנולוגי נוסף הנכנס למשוואה הזאת: מעבר לרכיבי ענק היברידיים הכוללים מספר אריחים (Chiplets) שכל אחד מהם מיוצר בתהליך שונה. השינוי הזה מייצר מודל עסקי חדש. מעבד מודרני אינו מבוסס אך ורק על שבב CPU מתקדם, אלא על שבבים היקפיים משלימים מתוצרת חברות מתמחות ועל מצע מתקדם אשר יכול לקשר ביעילות מספר רב של אריחים. הדבר דומה לאופן שבו פועלת תעשיית תכנון השבבים: כל SoC כולל מודול ייחודי של היצרנית עם הערך המוסף המיוחד שלה, ועוד עשרות מודולי קניין רוחני (IP) מתוצרת חברות מתמחות, אשר תומכים בליבת השבב.

מכאן שהמעבר לרכיבים מרובי-אריחים מרחיב את המודל ה-IP אל רמת החומרה, ומשנה את אופי קווי הייצור. אפילו אינטל כבר נמצאת בעולם הזה: 75% משטח אריחי הסיליקון בשבב המעבד החדש שלה, Meteor Lake, מיוצר עבורה בחברת TSMC. רק 25% ממנו מיוצרים באינטל עצמה. השינוי הזה מחייב אותה לנהל רצפת ייצור פתוחה, אשר יודעת לקבל אריחים שיוצרו במקומות אחרים, יכולה לייצר אריחים מסוגים שונים ומאפשרת לשלב סיליקון זר בתוך הרכיבים שלה, ולהעביר סיליקון שלה אל תוך הרכיבים של חברות אחרות – אפילו של חברות מתחרות. נראה שאינטל בחרה לבנות את מודל הייצור הפתוח שלה באמצעות שילוב של פיתוח וייצור עצמיים, ביחד עם מתן שירותי ייצור לחברות אחרות.

המודל הסיני מגיע למערב

הלקח האחרון מהביקור בפאב 34 קשור למעמד של הממשלות בתעשיית השבבים. עלות התהליכים המתקדמים כל-כך גבוהה, שאפילו חברות כמו אינטל זקוקות לתמריצים ממשלתיים. לכן אירלנד וישראל כל-כך אטרקטיביות, לכן חוק השבבים האמריקאי דחף גל של הקמת מתקני ייצור בארה"ב, ולכן אינטל ממתינה לאישור של האיחוד האירופה לפני שלב בניית התשתיות הבא שלה: הקמת מפעל ייצור ווייפרים במגדבורג, גרמניה, והקמת מפעל הרכבות ובדיקות בוורוצלב, פולין. במובן מסויים, התעשייה העולמית מאמצת את מודל התמיכה הסיני: כסף ציבורי מועמד לרשות חברות הייצור, על-מת לייצר מקורות תעסוקה ולספק תמיכה בתעשייה המקומית הזקוקה לשבבים החדשים.

ירידה של 10% במכירות סמסונג אלקטרוניקס

פורסם בתאריך ע"י Techtime

ברבעון הראשון של שנת 2023 ירדו המכירות של חברת סמסונג אלקטרוניקס (Samsung Electronics) בכ-10% והסתכמו בכ-51 מיליארד דולר. החברה צופה שברבעון השני לא יחולו שינויים מהותיים בשוק, אולם נערכת לחיזוק ההיצע הטכנולוגי שלה באמצעות הגברת הייצור של זכרונות מתקדמים כמו DDR5 ו-LPDDR5x, ופיתוח מואץ של טכנולוגיית ייצור שבבים המבוססת על טרנזיסטורי Gate-All-Around – GAA ברוחב צומת של 2 ננומטר.

החברה אינה מספקת מידע מדוייק אל מגזרי השוק השונים שלה, מלבד הערכות כלליות מאוד. מגזר הפעילות הגדול ביותר של החברה הוא טלפונים ופתרונות תקשורת. חטיבת MX אחראית על התחום הזה ומכירותיה ברבעון הסתכמו בכ-25.6 מיליארד דולר (ורווח תפעולי של כ-3.1 מיליארד דולר). מכירות חטיבת ה-Device Solutions, אשר אחראית לטכנולוגיות ליבה כמו זכרונות וייצור שבבים, הסתכמו בכ-11 מיליארד דולר. היא סיימה את הרבעון בהפסד של כ-3.8 מיליארד דולר. מכירות חטיבת הצגים (SDC) הסתכמו בכ-5.3 מיליארד דולר (וברווח של כ-620 מיליון דולר).

סמסונג צופה שהשוק יתחיל להתאושש במחצית השנייה של 2023, ומתכננת למגמה הזאת באמצעות חיזוק ההיצע של שרתים עתירי ביצועים וטלפונים ניידים מהקצה הגבוה של השוק. החברה מדווחת על "ירידה משמעותית" במכירות חטיבת הזכרונות בהשווה לקבעון המקביל אשתקד, עקב הצטברות מלאים אצל הלקוחות. המכירות של זכרונות DRAM סבלו בעיקר מביטול הזמנות מצד חברות ענן גדולות, אשר התאימו את היקף הרכש שלהן לשפל בשוק הטלפונים והמחשבים האישיים.

שוק כרטיסי האשראי החכמים יגדיל את המכירות

יחד עם זאת, החברה צופה בהמשך השנה לדרישה חזקה לזכרונות LPDDR5x ו-DDR5, בזכות הופעת דור חדש של שרתים ומעבדי CPU אשר מיועדים להתמודד עם העומסים הכבדים של בינה מלאכותית. החברה דיווחה שהיא הגדילה את מכירותיה בתחום זכרונות ה-NAND, למרות השפל בשוק, בזכות מעבר לזכרונות מתקדמים עבור כונני SSD המצויים בטלפונים ובמחשבים חדשים. גם בתחום הזה היא צופה התאוששות במחצית השנייה, וכניסת זכרונות quad-level cells אל שוק הטלפונים הניידים.

חטיבת השבבים הלוגיים של החברה (System LSI Business) ספגה, "ירידה חדה במכירות עקב צניחה בביקוש לרכיבים מרכזיים כמו רכיבי SoC, חיישנים ורכיבים לדחיפת צגים (DDI), אלם מכירותיה הכוללות צמחו בזכות מכירת רכיבי SoC לטלפונים ניידים ושבבי תקשורת אלחוטית קצרת טווח". גם כאן החברה מעריכה שצפויה התאוששות במחצית השנייה של השנה, במיוחד לאחר השקת מוצרי דגל חדשים והכניסה לשוק של כרטיסי אשראי המאומתים באמצעות טביעת אצבעות ולא באמצעות קוד סודי.

חטיבת ה-Foundry החלה בייצור המוני של 3 ננומטר

בתחום שירותי הייצור (Foundry Business), סמסונג נכנסה לייצור המוני של הדור הראשון של שבבי 3 ננומטר המבוססים על טרנזיסטורי GAA. הדור השני צפוי להיכנס לייצור המוני במהלך 2024, ומיועד לשימוש במוצרים חדשים הדורשים ביצועים גבוהים והספק נמוך, כמו סמארטפונים ומחשבים עתירי עיבוד (HPC). החברה לא מסרה מידע על היקף המכירות של החטיבה, אבל סיפקה תחזית צמיחה מתונה לאור ההתאוששות הצפויה בשוק. מנוע המכירות הגדול ביותר צפוי להיות תהליך GAA ב-3 ננומטר. "בנוסף, הצגנו תוצאות משמעותיות בתחום ה-2 ננומטר".

סמסונג החלה לייצר שבבי 3 ננומטר

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חברת סמסונג (Samsung Electronics) הכריזה על תחילת הייצור של טרנסיסטורים בגאומטריה של 3 ננומטר. התהליך הראשון הוא של טרנזיסטורים מסוג Multi-Bridge-Channel FET – MBCFET, שהם הגרסה של סמסונג לטרנזיסטורים הבנויים בארכיטקטורת "צומת צפה" (Gate-All-Around – GAA), שבה השער המבקר את פעולת הטרנזיסטור מקיף את הצומת מכל הכיוונים. להערכת סמסונג, סטנזיסטורי MBCFET מספקים ביצועים טובים יותר מאשר טרנזיסטורי FinFET, המשמשים כיום לייצור רוב הרכיבים הגדולים בתהליכים המתקדמים.

בשלב הראשון החברה מייעדת את התהליך לייצור מעבדים ליישומים נייחים, ובהמשך ליישומים ניידים וסמארטפונים. טכנולוגיית MBCFET של סמסונג כוללת שימוש בלוחות זעירים (nanosheets) שבהם המוליכים החשמליים רחבים יותר מאשר ב-nanowires המקובלים ברוב טכנולוגיות ה-GAA הקיימות בשוק. לדברי החברה, הטכנולוגיה מאפשרת להתאים את רוחב המוליכים לצרכים של היישום הספציפי. החברה הסבירה שרכיבי 3 ננומטר מהדור הראשון מספקים חסכון של 45% בצריכת ההספק, הפחתה של 16% בשטח הסיליקון ושיפור כולל של ב-23% בביצועים, בהשוואה לשבבים שיוצרו בגאומטריה של 5 ננומטר. שבבי הדור השני יספקו חסכון של יותר מ50% בהספק, שיפור של 30% בביצועים וחסכון של 35$ בשטח הסיליקון – בהשוואה לרכיבי 5 ננומטר.

במקביל להכרזה, הודיעה סמסונג שברבעון השליש של 2021 היא ייסדה קבוצת תמיכה בלקוחות בשם Samsung Advanced Foundry Ecosystem – SAFE, אשר מסייעת לה לספק כלי תכנון ובדיקה המותאמים לתהליך החדש, במטרה לסייע ללקוחות שירותי הייצור (foundry) לתכנן שבבים לייצור בתהליך. הקבוצה הזאת כוללת את קיידנס, סינופסיס, Ansys וסימנס.

סמסונג ונצ'רס משקיעה בסטארט-אפ ה-AI ניוריאליטי

פורסם בתאריך ע"י yochais

ענקית האלקטרוניקה הקוריאנית סמסונג ביצעה השקעה, באמצעות זרוע ההשקעות סמסונג ונצ'רס (Samsung Ventures), בסטארט-אפ הבינה המלאכותית ניוריאליטי (NeuReality), המפתח פתרונות הסקה (inference) ליישומים דוגמת ראיה ממוחשבת ועיבוד שפה טבעית (NLP). סכום ההשקעה לא נמסר. מניוריאליטי נמסר כי בכוונת החברה, המעסיקה כיום כ-30 עובדים, להכפיל את גודלה בשנה הקרובה ולגייס טאלנטים בתחומי תכנון השבבים, הבינה המלאכותית, התוכנה והחומרה, על מנת להאיץ את תהליכי הפיתוח.

אורי קירשנר, העומד בראש סמסונג ונצ'רס ישראל, מסר כי ההשקעה בניוריאליטי נובעת מהצורך המהותי והמיידי בשיפור היעילות וקלות ההתקנה של פתרונות הסקה לדטה סנטרים ולמערכות הפרוסות באתרים של חברות. "זו הסיבה שאנו משקיעים בניוריאליטי. הטכנולוגיות החדשניות של החברה הכוללות את יכולת הפרדת עיבוד AI מהעיבוד הכללי (disaggregation), שינוע הנתונים ועיבוד הנתונים משפרות את ביצועי המערכת בעיבוד AI ובשינוע המידע בין מערכות אחסון (storage) ויחידות המחשוב שבתוכן (computational storage). כל אלה הם קריטיים ליכולת לאמץ ולהרחיב את הפריסה של פתרונות AI."

משה תנך, מנכ"ל ומייסד-משותף של ניוריאליטי, שיתף כי המימון יסייע לחברה לקחת את החברה לשלב הבא ולסיים את פיתוח שבב ה-NR1 שלנו לקראת ייצור המוני. "מהלך זה יאפשר ללקוחות שלנו לשדרג את המערכות שלהם עם ארכיטקטורת AI-Centric העדיפה בהרבה על הארכיטקטורות הקיימות. התפתחות זו תקל עליהן להגדיל את היקף תשתיות ה-AI שלהם בדטה סנטרים שלהם, בענן או במערכות המותקנות באתרי החברה".

ניוריאליטי יצאה מ-stealth בשנה שעברה כשהכריזה על גיוס סיד של 8 מיליון דולר מ-Cardumen Capital, OurCrowd ו-Varana Capital. בנובמבר 2021, הכריזה החברה על חתימת הסכם עם IBM לפיתוח הדור הבא של פלטפורמות בינה מלאכותית עתירות ביצועים להסקה (inference) שיציעו שיפורים משמעותיים בעלויות ובצריכת ההספק ביישומי למידה עמוקה. ניוריאליטי משתפת פעולה גם עם AMD בכדי לספק ללקוחות את פלטפורמות הAI-centric מבוססות ה-FPGA שלה, עבור האצת יכולות הסקה.

ניוריאליטי נוסדה בשנת 2019 ומונהגת על ידי צוות הנהלה בעל ניסיון רב בארכיטקטורת דטה סנטרים, מערכות ותוכנה. מייסדי החברה הם משה תנך, המשמש כמנכ"ל, צביקה שמואלי, סגן נשיא לתפעול, ויוסי קסוס המשמש כסגן נשיא לפיתוח שבבים. לפני הקמת ניוריאליטי, משה תנך כיהן בתפקידים בכירים כמנהל הנדסה במארוול ובאינטל וסגן נשיא למו"פ בדיזיינארט נטוורקס (שנרכשה מאוחר יותר על ידי קוואלקום). צביקה שמואלי כיהן כסגן נשיא Backend במלאנוקס וכסגן נשיא להנדסה בהבאנה לאבס. יוסי קסוס שימש כדירקטור בכיר להנדסה במלאנוקס וכראש תחום פיתוח השבבים באיזיצ'יפ. הצוות המוביל של החברה כולל את ה-CTO ליאור חרמוש, לשעבר מייסד משותף ומדען ראשי של ParallelM ו-fellow בחברה PMC Sierra.

סמסונג שילבה GPU של AMD במעבד הסמארטפונים החדש

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חברת סמסונג (Samsung) הכריזה על שבב ליבה למכשירים ניידים המספק ביצועים גרפיים המשתווים לאלה של קונסולות משחקים ומבוסס על תהליך ייצור של 4 ננומטר. החברה דיווחה שהשבב החדש נכנס לייצור סדרתי. השבב החדש מדגם Exynos 2200 בנוי במתכונת של מערכת על-גבי שבב (SoC), וכולל תמיכה בזכרונות מהירים, בינה מלאכותית, מחשוב גרפי ובטכנולוגיות הדור החמישי.

ליבת העיבוד שלו מבוססת על התפישה של אשכולות מעבדים המבצעים משימות שונות בהתאם לעוצמת העיבוד הנדרשת (בדומה למעבדי אינטל החדשים). היא כוללת ליבת Cortex-X2 שהוא המעבד החזק ביותר של ARM, שלוש ליבות Cortex-A710 לביצועים עתירי עיבוד וארבע ליבות Cortex-A510 קטנות יותר למשימות הדורשות יעילות. מבחינת סמסונג, אחת מהתכונות החשובות של הרכיב החדש הוא המעבד הגרפי, אשר מספק לו, להערכתה, ביצועים של קונסולת משחקים.

החברה הטמיעה ברכיב את המעבד Xclipse GPU, אשר מבוסס על המיקרוארכיטקטורה של AMD, מסוג RDNA 2. היא כוללת שתי תכונות שהיו חסרות עד היום בסמארטפונים: עקיבת תאורה (Ray Tracing) והצללה דינמית (Variable Rate Shading). עקיבת התאורה מספקת לתמונה את התאורה הנכונה של כל עצם המוצג על המסך, בהתאם למיקום ולעוצמה של מקורות התאורה בסביבה המיוצגת ובהתאם לאופי החזרת האור של כל מישטח. ההצללה הדינמית מייעלת את עבודת המעבד הגרפי באמצעות חישוב המקרים שבהן ההצללה מעלימה פרטים מהעין באופן טבעי, ולכן אין צורך לחשב אותם.

האפקטים הוויזואליים מחוזקים על-ידי מעבד רשת נוירונים (NPU) בעוצמה כפולה בהשוואה למעבד הקודם, המבצע חישובי נקודה צפה בעומק של 16 סיביות (FP16) בנוסף לחישובי מספרים שלמים בעומק של 16 סיביות. חברת סמסונג תכננה מחדש את ארכיטקטורת עיבוד התמונה ברכיב (Image Signal Processor) כדי לתמוך בחיישנים חזקים מאוד המספקים תמונות בנפח של עד 200 מגה-פיקסל, או סרטי וידאו HD התומכים בתמונות בנפח של עד 108 מגה-פיקסל המתעדכנות 30 פעמים בשנייה (30fps).

סמסונג מפתחת תהליכי ייצור של 2 ו-3 ננומטר

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חברת סמסונג (Samsung Electronics) מתכננת להשתמש בטכנולוגיית הייצור של טרנזיסטורי Gate-All-Around – GAA כדי להמשיך בתהליך המיזעור ולפתח טכנולוגיות ייצור בגודל צומר של 3 ננומטר ו-2 ננומטר. כך גילה בשבוע שעבר נשיא קבוצת שירותי הייצור (Foundry Business) בסמסונג, ד"ר סיונג צ'ואי (בתמונה למעלה). ביסודה, טכנולוגיית GAA מבוססת על הרעיון של "צומת צפה" שבה השער המבקר את פעולת הטרנזיסטור של הטרנזיסטור מקיף את הצומת מכל הכיוונים.

באמצעות המבנה הזה ניתן להעביר גם מטענים קטנים מאוד במהירות גדולה בהרבה. ביסודו הרעיון אינו חדש, וכבר בסוף שנות ה-80 הדגימה טושיבה יכולת ייצור של טרנזיסטור בעל צומת צפה והעניקה לו את השם Gate-All-Around. גם אינטל מפתחת כיום תהליך GAA, ובחודש יולי 2021 היא הכריזה על הטרנזיסטור החדש RibbonFET אשר צפוי להיכנס לייצור סדרתי בשנת 2024. מדובר בגרסה שלה לטרנזיסטורי GAA, אשר תחליף בהדרגה את ה-FinFET המשמש כיום כסוס העבודה המרכזי של התעשייה.

תהליך 3 ננומטר יגיע לשוק ב-2022

סמסונג העניקה לטרנזיסטורי ה-GAA שלה את הכינוי Multi-Bridge Channel FET – MBCFET, וכבר ב-2020 הודיעה שתהליך ה-3 ננומטר העתידי יתבסס עליהם. בכנס הלקוחות שסמסונג קיימה ב-7 באוקטובר גילה צ'ואי, שהייצור של שבבי לקוחות בדור הראשון של טכנולוגיית 3 ננומטר יתחיל במחצית השנייה של 2022, והדור השני של הטכנולוגיה יגיע לייצור בשנת 2023. "טכנולוגיית ה-3 ננומטר תקטין את שטח השבב ב-35%, תשפר את הביצועים ב-30% ותפחית את צריכת ההספק בכ-50%".

17 ננומטר במקום 28 ננומטר

החברה מתכננת להמשיך בפיתוח, ולהביא את טכנולוגיית MBCFET בגודל צומת של 2 נומטר אל השוק במהלך שנת 2025. במקביל, היא הכריזה על פיתוח תהליך שנועד להחליף את הייצור של טרנזיסטורי FinFET בגיאומטריה של 28 ננומטר, שהיא אחת מטכנולוגיות הייצור היעילות והפופולריות ביותר בשוק. התהליך החדש הוא FinFET בגודל של 17 ננומטר, אשר בהשוואה לתהליך ה-28 ננומטר הוא יספק חיסכון של 43% בשטח, חיסכון של 49% בצריכת ההספק ושיפור של 39% ביצועים.

סמסונג פיתחה תהליך לייצור רכיבי RF בגיאומטריה של 8 ננומטר

פורסם בתאריך ע"י Techtime

בתמונה למעלה: בניית מפעל הייצור של סמסונג בעיר פיונגטיק. מקור: סמסונג

חברת סמסונג (Samsung Electronics) יוזמת מהלך רחב היקף שנועד לסייע לה במאבק מול חברת TSMC הטאיוואנית. לפני שבועיים היא הודיעה שתגדיל את היקף ההשקעות שלה בפיתוח טכנולוגיות ייצור שבבים חדשות בסכום כולל של כ-150 מיליארד דולר עד לשנת 2030. בכך היא הכפילה ביותר מפי ארבעה את היקף ההתחייבות להשקעה שעליה הכריזה בחודש אפריל 2019. ההשקעה העיקרית תתבצע בתחום שירותי הייצור שסמסונג מספקת לחברות אחרות (Foundry Business), ושבו חברת TSMC הטאיוואנית היא המתחרה המרכזית שלה.

בימים אלה היא נמצאת בתהליכי הקמה של מפעל לייצור שבבים בעיר פיונגטיק בקוריאה, אשר ייצר זיכרונות DRAM בתהליך ייצור של 14 ננומטר, עבור המוצרים של סמסונג, ורכיבים לוגיים בתהליך ייצור של 5 ננומטר עבור סמסונג ועבור לקוחות של קבוצת ה-Foundry. עבודות ההקמה מתוכננות להסתיים במחצית השנייה של 2022. במקביל, היא הודיעה על פריצת דרך בתחום המיזעור של רכיבי תקשורת. החברה פיתחה טכנולוגיה לייצור רכיבי RF בתהליך של 8 ננומטר עבור מערכות תקשורת מהדור החמישי (5G).

עדיין לא ברור מה כוללת ארכיטקטורת RFextremeFET

התהליך החדש יאפשר לייצר פתרונות תקשורת מלאים בשבב יחיד, הכוללים גם מעגלי תקשורת מרובי ערוצים וגם ריבוי אנטנות. הטכנולוגיה מיועדת לשימוש במערכות תקשורת בטווח רחב של תדרים, החל מתדרי sub-6GHz וכלה בתדרי מיקרוגל (mmWave). סמסונג הגדירה את שוק התקשורת האלחוטית כשוק יעד מרכזי ובעבר פיתחה עבורו תהליכי ייצור ייעודיים ב-28 ננומטר וב-14 ננומטר. החברה מסרה שמאז שנת 2017 היא סיפקה יותר מ-500 מיליון רכיבי תקשורת אלחוטיים.

בניגוד למעגלים לוגיים וזיכרונות אשר מובילים את תהליך המיזעור בייצור שבבים, בתחום המעגלים האנלוגיים ומעגלי ה-RF היצרנים מתקשים למזער את תהליכי הייצור, עקב הופעת תופעות פרזיטיות כמו למשל עלייה בהתנגדות החשמלית של מוליכים דקים מאוד. כתוצאה מכך, רכיבי תקשורת רבים מתמודדים עם ביצועי RF נמוכים מהנדרש. כדי להתמודד עם הבעיה הזאת פיתחה סמסונג את ארכיטקטורת RFextremeFET, שהסימן המסחרי שלה הוא RFeFET.

החברה לא מסרה מידע על הטכנולוגיה, אולם מתוך השם שלה ניתן להניח שהיא מבוססת על שימוש בחומר פרואלקטרי (Ferroelectric) אשר ממוקם בתוך הצומת של טרנזיסטור FET. להערכת סמסונג, התהליך החדש משפר את צריכת ההספק של הרכיבים ב-35% ומקטין את שטח הסיליקון של המעגל בכ-35%.

סמסונג בנתה את הפאב הגדול ביותר בעולם

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חברת סמסונג החלה בייצור רכיבי זכרון DRAM חדשים מסוג LPDDR5 בנפח של 16 ג'יגה-ביט (Gb). זהו הזכרון הגדול מסוגו בתעשייה. הוא מיוצר בתהליך 1z של סמסונג המבוסס על טרנזיסטורים ברוחב צומת של 10 ננומטר ועל שימוש בליתוגרפיית EUV. הרכיבים החדשים מיועדים לשימוש באבזרים ניידים וסמארטפונים, בעיקר במוצרי הדור החמישי ובמערכות הכוללות בינה מלאכותית. מנהל מוצרי ה-DRAM בחברה, יונג-ביי לי, אמר שהחברה הצליחה לייצר את הרכיבים החדשים לאחר שהתגברה על קשיים רבים בתהליך הייצור. "נמשיך להוציא לשוק מוצרים חדשים שיסייעו לנו לשמור על המעמד המוביל שלנו בשוק הזכרונות".

לצורך ייצור הזכרונות החדשים, הוסיפה סמסונג קו ייצור נוסף לקומפלקס הייצור שלה בעיר פיונגטק בקוריאה. הקו החדש, Pyeongtaek Line 2, הוא כיום מתקן ייצור השבבים הגדול בעולם ומשתרע על-פני שטח של 128,900 מ"ר – שווה ערך ל-16 מגרשי כדורגל. מפעל הייצור החדש ישמש כאתר הייצור המרכזי של סמסונג לטכנולוגיות ייצור מתקדמות של רכיבי זכרון, כולל רכיבי הדור הבא שייוצרו בטכנולוגיית V-NAND ומתן שירותי ייצור ללקוחות חיצוניים.

הזכרון החדש דק ב-30% ומהיר ב-16% מרוב זכרונות ה-16Gb LPDDR5 המותקנים כיום באבזרים ניידים, ומגיע לקצב העברת נתונים של עד 6,400Mb/s. החברה מסרה לאחרונה שהיא חשה בתחילתה של מגמת התאוששות בשוק, לאחר השפל שגרמה מגיפת הקורונה. ברבעון השני של 2020 הסתכמו מכירות סמסונג אלקטרוניקס בכ-44.5 מיליארד דולר. מדובר בירידה של 6% בהשוואה לרבעון המקביל אשתקד, עקב השפל בשוק הסמארטפונים. שוק הזכרונות עצמו התנהג בצורה הפוכה: המכירות עלו בזכות דרישה גוברת לשירותי מרכזי נתונים ולזכרונות עבור מחשבים אישיים, והסתכמו בכ-15.4 מיליארד דולר ברבעון.

 

התחרות עוברת למארז: סמסוג הכריזה על טכנולוגיית X-Cube

פורסם בתאריך ע"י Techtime

בתמונה למעלה: הדמיית אמן של סמסונג להרכבת מעגל בטכנולוגיית X-Cube

ארבעה ימים לאחר שחברת אינטל הכריזה על טרנזיסטור מסוג חדש ושיפורים בטכנולוגיית היצור ובמארזי השבבים המתקדמים, חברת סמסונג מכריזה על הטכנולוגיה שלה לייצור שבבים תלת-מימדיים. היא חשפה את טכנולוגיית X-Cube אשר מאפשרת לקשר זכרון SRAM בתצורת מגדל על-גבי מעגל לוגי המיוצר בתהליך של 7 ננומטר. באופן זה נבנה מארז תלת מימדי (3D) שבו אריחי הסיליקון מצויים זה מעל זה, במקום בתצורת 2D הנוכחית שלה, שבה אפשר להניחם זה לצד זה (בתמונה למטה).

השם המלא של הטכנולוגיה הוא eXtended-Cube והיא מתבססת על טכנולוגיית מארזי 3D IC של סמסונג, אשר מבוססת על ייצור מוליכים זעירים בתוך פרוסות הסיליקון (Via) המאפשרים לקשר את הטרנזיסטורים של פרוסת סיליקון אחת אל מגעים כדוריים זעירים (Micro-bumps) המצויים בפרוסה שמעליה. החברה מסרה שהמארז החדש הוא דק במיוחד, ועל-ידי כך מקצר את אורך המוליכים החשמליים, ועל-ידי כך מקטין את התנגדותם החשמלית.

סגן נשיא לייצור בסמסונג, מונסו קאנג, אמר שהחברה תמשיך לפתח טכנולוגיות 3D IC כדי להעצים את יכולות השבבים. מההודעת סמסונג עולה שהטכנולוגיה ישימה גם לטכנולוגיות ייצור של 5 ננומטר, ושמספר לקוחות כבר החלו לתכנן שבבים שיתבססו של המארז החדש. ראוי לציין שחברת אינטל הודיעה שטכנולוגיית Foveros התלת-מימדית שלה מתאימה לכל סוגי הרכיבים. סמסונג ציינה שבינתיים היא ביצעה הדגמה של חיבור זכרון SRAM אל מעגל לוגי, אבל לא הסבירה האם הטכנולוגיה מיועדת רק לחיבור זכרונות אל מעגלים לוגיים, או שהיא מתאימה לכל סוגי המעגלים.

המחשה של סמסונג לרכיב הכולל מספר שבבים מקושרים בתצורה דו-מימדית (2D)
המחשה של סמסונג לרכיב הכולל מספר שבבים מקושרים בתצורה דו-מימדית (2D)

TSMC תייצר את שבבי ה-5 ננומטר לרכב של NXP

TSMC SEMICONDUCTORS FAB
פורסם בתאריך ע"י Techtime

חברת NXP תייצר את השבבים המתקדמים שלה עבור תעשיית הרכב בטכנולוגיית 5 ננומטר של חברת TSMC. החברה תאמץ את תהליך N5P, שהוא גרסה משופרת של תהליך ה-5 ננומטר המקורי של TSMC, אשר מספק חיסכון של 40% בהספק , ושיפור של 20% במהירות, בהשוואה לתהליך 7 ננומטר של TSMC. שתי החברות ישתפו פעולה בייצור רכיבי SoC בכל מגוון הפתרונות של NXP לתעשיית הרכב, כאשר בשלב הראשון הן יבצעו  המרה פלטפורמת S32 של NXP, הכוללת מעבדים ומיקרו-בקרים ממונעים, לטכנולוגיית 5 ננומטר. המטרה היא לספק את הרכיבים הראשונים ללקוחות כבר בשנת 2021.

חברת NXP תהיה אחת מהלקוחות הראשונים של טכנולוגיית N5P, המבוססת על שימוש בטרנזיסטורי FinFET ואשר תתחיל להיכנס לייצור בשבועות הקרובים. חברת TSMC הטאיוואנית נמצאת בתחרות הדוקה מול סמסונג במירוץ ה-5 ננומטר. בחודש שעבר הודיעה סמסונג על הרחבת מפעל ה-7 ננמוטר שלה בקוריאה, ותחילת הייצור כבר השנה של שבבים בטכנולוגיות קטנות מ-7 ננומטר. החברה שילשה את היקפו של מפעל הייצור V1 בקוריאה, והכינה אותו לייצור שבבי 5/6 ננמוטר שיתחיל כבר השנה. במקביל, היא מתחילה לפתח את טכנולוגיית הדור הבא: 3 ננומטר.

סמסונג מסרה שטכנולוגיית ה-5 ננומטר שלה מציעה גידול של כ-25% בצפיפות הטרנזיסטורים, חיסכון של 20% בצריכת ההספק ושיפור של 10% בביצועים בהשוואה לטכנולוגיית 7 ננומטר. מאחר והתהליך החדש מתבסס על IP דומה לתתהליך ה-7 ננומטר של החברה שהושק באוקטובר 2018, לקוחות המייצרים כעת ב-7 ננומטר יוכלו לעבור בצורה פשוטה לתהליך החדש. 

מסונג ו-TSMC הן שתי החברות היחידות שמפתחות קווי יצור ב-5 ננומטר והן צפויות לחלוש באופן בלעדי על השוק הזה. בשל משאבי העתק הדרושים כדי לפתח את התהליכים המתקדמים הללו, שאר קבלניות הייצור החליטו להתמקד בתהליכים האחרים. כך למשל, כבר באוגוסט 2018 הודיעה גלובל-פאונדריז שהיא זונחת את תוכנית הפיתוח של 7 ננומטר ומתרכזת בתהליכי 14 ו-28 ננומטר. אומנם גם אינטל הודיעה על כוונתה לפתח תהליך דומה, אך אינטל אינה מספקת שירותי ייצור לחברות שבבים חיצוניות אלא מייצרת רק את השבבים שלה עצמה.

סמסונג החלה בייצור המוני של שבבים בתהליכי 7 ננומטר ו-6 ננומטר

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חטיבת שירותי הייצור של סמסונג, Samsung Foundry, החלה בייצור המוני במתקן הייצור החדש בעיר וואסונג בקוריאה. המתקן החדש בשם V1, הוא המפעל הראשון של סמסנוג המייצר שבבים בליתוגרפיית אור סגול (Extreme Ultraviolet – EUV) ומיועד לייצור שבבים בגיאומטריה של 7 ננומטר, 6 ננומטר ואפילו פחות מכך. עבודות ההקמה של המפעל הסתיימו בפברואר 2018 והייצור הנסיוני החל רק במחצית השנייה של 2019. החברה דיווחה שהשבבים הראשונים יימסרו ללקוחות ברבעון הראשון של 2020.

בשלב הראשון המפעל מייצר שבבים לטלפונים ניידים בגיאומטריה של 6/7 ננומטר, ובעתיד הוא ייצר שבבים בטכנולוגיה של 3 ננומטר. החברה לא מסרה מי הן הלקוחות הראשונים, אולם בשנת 2018 היא חתמה על הסכם עם קואלקום לייצור שבבי Snapdragon 5G במפעל החדש בטכנולוגיה של 7 ננומטר.

בסך הכל, עד סוף 2020 יסתכמו ההשקעות של סמסנוג בהקמת המפעל בכ-6 מיליארד דולר. בעקבות כניסת המפעל לייצור, כולל תשתית הייצור של סמסנוג 6 מפעלים הפועלים בקוריאה ובארצות הברית, בהם מפעל אחד המייצר שבבים בפרוסות סיליקון בקוטר של 200 מ"מ, וחמישה מפעלים המייצרים בפרוסות סיליקון בקוטר של  300 מ"מ.

טכנולוגיית EUV של סמסנוג

כאשר מייצרים שבבים, הם נבנים במתכונת של שכבה על-גבי שכבה. במהלך הייצור של כל שכבה, פרוסת הסיליקון מצופה בחומר רגיש לאור. בשלב הבא מאירים אזורים מוגדרים על גבי השכבה באמצעות מכשיר לייזר (scanner) או באמצעות אור המועבר דרך מסיכה בתהליך הקרוי פוטוליתוגרפיה. באמצעות תהליכים כימיים מסירים את האזורים המוארים ומייצרים על-ידי כך מבנה של טרנזסיטורים, שכבה אחר שכבה.

בטכנולוגיית EUV, מכשיר הלייזר הסורק מאפשר לייצר קווי חומר דקים מאוד באמצעות שימוש באורכי גל של אור אולטרא-סגול קיצוני, עד 13.5 ננומטר. בחודש אפריל 2019 דיווחה סמסנוג שהיא השלימה את הפיתוח של תהליך EUV המאפשר לייצר שבבים הבנויים מטרנזיסטורי FinFET בגיאומטריה של 5 ננומטר.

בהשוואה לטכנולוגיית 7 ננומטר הנוכחית, שטח הרכיבים החדשים קטן ב-25%, הביצועים שלהם טובים ב-10% וצריכת ההספק שלהם נמוכה בכ-20%. החברה דיווחה שניתן לבצע את המעבר מ-7 ננומטר ל-5 ננומטר בלא צורך לבצע שינויים בתכנון המעגל.

ירידה של 18% במכירות יצרניות השבבים הגדולות

פורסם בתאריך ע"י Techtime

שנת 2019 הסוערת הולכת ומצטיירת כשנת קיפאון בתעשיית השבבים העולמית. מסיכום ביניים שביצעה חברת המחקר IC Insights, מסתבר שרוב היצרניות הגדולות דיווחו על ירידה בהיקף המכירות במחצית הראשונה של שנת 2019, בהשוואה למחצית הראשונה של 2018. למעשה, היקף המכירות המצרפי של 15 יצרניות השבבים הגדולות בעולם צנח במחצית 2019 בכ-18%. במחצית 2019 הסתכמו המכירות בכ-149 מיליארד דולר – בהשוואה למכירות בהיקף של כ-181 מיליארד דולר במחצית 2018.

בתקופה הזאת הצטמצם שוק השבבים העולמי בכ-14%, פחות מהמכה שספגו המובילות. את מהלומה החזקה ביותר ספגו חברות המייצרות רכיבי זיכרון, בעקבות התמוטטות שוק רכיבי ה-flash וה-DRAM. בזכות רכיבי הזיכרון הצליחה סמסונג לעקוף את אינטל בשנת 2017 כיצרנית השבבים הגדולה בעולם. אולם התפוצצות בועת הזיכרון הפילה את היקף מכירותיה בכ-33%. התוצאה: במחצית 2018 סמסונג עקפה את אינטל ב-22%, אולם במחצית 2019 מכירות אינטל היו גבוהות ב-20% מהמכירות של סמסונג.

בועת הזיכרון מתפוצצת, והעיצומים על וואווי משפיעים על הטבלה

התמונה חוזרת על עצמה אצל שאר יצרניות רכיבי הזיכרון: המכירות של SK Hynix צנחו בכ-35%, המכירות של Micron ירדו בכ-34% והמכירות של Toshiba Memory ירדו ב-27%. לרשימת 15 החברות המובילות הצטרפו השנה שתי חברות חדשות: חברת הפאבלס הסינית MediaTek נכנסה לטבלה למקום ה-15, וחברת IDM Sony נכנסה למקום ה-14, לאחר שהיתה יצרנית השבבים היחידה שדיווחה על עלייה במכירות. רוב מכירותיה הן של חיישני תמונה (image sensors), שהם אחד מתחומי הצמיחה הבולטים של 2019. החיישנים הזניקו אותה להיקף מכירות של כ-3.4 מיליארד דולר במחצית 2019.

הרשימה מסתירה סיפור דרמטי המתחולל במקום ה-16. לפי היקף מכירות, במקום הזה נמצאת כיום חברת הפאבלס הסינית HiSilicon, שהגיעה להיקף מכירות של כ-3.5 מיליארד דולר במחצית הראשונה של השנה. אלא שיותר מ-90% ממכירותיה מיועדות לחברת וואווי הסינית. לאור העיצומים שהממשל האמריקאי נוקט כנגד וואווי, מעריכה חברת IC Insights שמכירותיה יירדו במחצית השנייה של 2019, והיא עשויה להתרחק מנקודת הכניסה אל טבלת החברות המובילות בתעשייה.

סמסונג הקדימה את TSMC והשיקה תהליך ייצור ב-5 ננומטר

פורסם בתאריך ע"י yochais

סמסונג היא קבלנית הייצור (Foundry) הראשונה שהשלימה פיתוח של קו ייצו בתהליך של 5 ננומטר על בסיס טכנולוגיה של אולטרה-סגול קיצוני (EUV). החברה הודיעה כי קו הייצור בפאב S3 של החברה בעיר Hwaseong בקוריאה מוכן לייצר דוגמאות ראשונות ללקוחות. החברה הודיעה כי  5 ננומטר מתייחס לגודל הצומת של הטרנזיסטור. ככל שהגודל הצומת קטן יותר ניתן לדחוס יותר טרנזיזטורים על גבי השבב. טכנולוגיית 5 ננומטר מהווה את מידת המזעור המתקדמת ביותר בתעשיית השבבים עד כה ומסמנת את השלב הבא בתהליך מזעור השבבים על פי חוק מור. בכך סמסונג הצליחה להקדים את מתחרתה הגדולה בתחום התהליכים המתקדמים, TSMC הטאיוונית.

על פי הודעתה של סמסונג, טכנולוגיית ה-5 ננומטר של החברה מציעה גידול של כ-25% בצפיפות הטרנזיסטורים, חיסכון של 20% בצריכת ההספק ושיפור של 10% בביצועים בהשוואה לטכנולוגיית ה-7 ננומטר. בסמסונג מציינים כי מאחר שהתהליך החדש מתבסס על IP דומה לתתהליך ה-7 ננומטר של החברה, שהחברה השיקה באוקטובר 2018 וגם כן עושה שימוש ב-EUV, לקוחות המייצרים כעת ב-7 ננומטר יוכלו לעבור בצורה פשוטה לתהליך החדש. בסמסונג פועלים כעת להגדלת הקיבולת של קו הייצור והחברה צפויה לפתוח קו ייצור נוסף, באותו פאב, במחצית השנייה של 2019.

צ'רלי בהה, מנהל חטיבת ה-Foundry של סמסונג, צופה ביקוש גדול לתהליך החדש. "היתרונות של התהליך המתקדם יאפשרו חדשנות בתחום הדור החמישי, בינה מלאכותית, מחשוב עתיד ביצועים, ורכב."

המשך מזעור השבבים מתאפשר כתוצאה משימוש בליתוגרפיית EUV, טכנולוגיה אופטית מבוססת לייזר המשתמשת באורכי גל קצרים יותר ומאפשרת להשתמש במסכות דקות יותר בתהליך שרטוט שכבת המתכת המוליכה.

בעולם קבלנות הייצור, סמסונג ו-TSMC הן שתי החברות היחידות שמפתחות קווי יצור ב-5 ננומטר והן צפויות לחלוש באופן בלעדי על שוק זה. בשל משאבי העתק הדרושים כדי לפתח את התהליכים המתקדמים הללו, יתר קבלניות הייצור החליטו להתמקד בתהליכים האחרים. כך למשל, קבלנית הייצור גלובל-פאונדריז הודיעה בחודש אוגוסט האחרון כי היא זונחת את תוכנית הפיתוח של תהליך 7 ננומטר ומתרכזת בתהליכים של 14 ו-28 ננומטר. יש לציין כי גם אינטל הודיעה על כוונתה לפתח תהליך דומה, אך אינטל אינה מספקת שירותי ייצור לחברות שבבים חיצוניות אלא מייצרת רק את השבבים שלה.

TSMC אינה מפגרת הרבה מאחורי סמסונג. החברה הטאיוואנית, שנחשבת לקבלנית הייצור הגדולה בעולם, הודיעה בתחילת החודש כי החלה להציע באופן מוגבל (Risk Production) ייצור בתהליך 5 ננומטר ללקוחות נבחרים. בחברה מצפים ולעבור לייצור המוני בתהליך במחצית השנייה של 2020. התהליך של TSMC מתבסס על שילוב בין ליתוגרפיית EUV  וליתוגרפיית DUV (אולטרה-סגול עמוק), כאשר ה-EUV משמש לצורך בניית 14 השכבות הקריטיות בשבב.

הנסיגה בשוק הזיכרונות תקזז 20% מהכנסות השבבים של סמסונג

פורסם בתאריך ע"י yochais

הצמיחה הנמשכת בשוק רכיבי הזיכרון היתה מנוע הצמיחה המרכזי של תעשיית הסמיקונדוקטור בשנים האחרונות, והיטיבה בעיקר עם יצרניות הזיכרונות וחברות שבבים המייצרות רכיבים וציוד לשוק הזיכרונות. בין השאר היא היתה אחראית לתפנית היסטורית, כאשר סמסונג עקפה את אינטל בדירוג יצרנית השבבים הגדולה בעולם. אולם כעת נראה ששוק רכיבי הזיכרון נחלש, והדבר ישפיע באופן משמעותי על החברות שצמחו על-גבי השוק הזה. התוצאה הבולטת ביותר: סמסונג, שבשנים 2017 ו-2018 הדיחה את אינטל ממעמד יצרנית השבבים הגדולה בעולם, שבו היא החזיקה 23 שנה, צפויה לפנות את המקום הראשון לטובתה של אינטל, כך עולה ממחקר שוק חדש של חברת המחקר IC Insights.

להערכת החברה, שוק הזיכרונות צפוי להתכווץ בשנת 2018 בשיעור מסחרר של 24% ולגרור את תעשיית הסמיקונדוקטור כולה לירידה של 7% במכירות. סמסונג, ש-83% ממכירות השבבים שלה ב-2018 היו בתחום הזיכרונות, צפויה להיפגע בצורה הקשה ביותר: להערכת IC Insghts, מכירות השבבים של סמסונג צפויות לרדת בכ-19.7% ולהסתכם ב-63.1 מיליארד דולר בלבד. אומנם אינטל עצמה צפויה לצמוח בשנה ב-1% בלבד, , אולם זה יספיק כדי להדיח את סמסונג מהמקום הראשון, ולחבוש את כתר מלכת השבבים עם מכירות שנתיות בהיקף של כ-70.6 מיליארד דולר.

בשורה רעה לנובה וקמטק

חברת סמסונג לא תהיה היחידה שתיפגע משינוי הכיוון של שוק הזיכרונות. על-פי הדו"ח, גם יצרניות הזיכרונות המובילות האחרות, ובהן SK Hynix, מיקרון וטושיבה, צפויות לרשום השנה ירידה בשיעור של כ-20%, מה שעשוי להוריד את היקף ההכנסות שלהן לרמה של 2017. מסקר DRAMeXchange, עולה שכבר ברבעון הראשון של השנה צנחו מחירי זיכרונות ה-DRAM וה-NAND בכ-30%. זוהי הירידה הרבעונית החדה ביותר בשוק מאז שנת 2011.

חברות אחרות אשר עשויות להיפגע הן ספקיות ציוד לקווי הייצור של יצרניות רכיבי הזיכרון. בהקשר הזה, שתי החברות הישראליות נובמה מכשירי מדידה וקמטק נמצאות המצב רגיש במיוחד: שתיהן דיווחו בשנה האחרונה על מכירות מוגברות עבור קווי ייצור שבבים, והאטה בשוק הזכרונות עשויה להשפיע על נתח מרכזי מהמכירות שלהן.

נקמה מתוקה: ברודקום עוקפת את קואלקום

אם הדו"ח של IC Insights התמקד ביצרניות השבבים, חברת המחקר TrendForce פרסמה דו"ח על המגזר המשמעותי האחר בתעשיית השבבים: חברות ה-Fabless. להערכת TrendForce, גם בקרב חברות הפאבלס נרשמו ב-2018 חילופי מקום בפסגת הדירוג, כאשר חברת ברודקום (Broadcom) העפילה למקום הראשון ועקפה את קואלקום, שניצבה בפסגה יותר מ-10 שנים. הכנסותיה של ברודקום צמחו ב-2018 ב-2.6% להיקף של כ-18.9 מיליארד דולר, הרבה מתחת לשיעור הצמיחה של שוק הסמיקונדוקטור כולו, שעמד ב-2018 ב-13.7%.

אולם הצמיחה המתונה הזו הספיקה לברודקום לעקוף את קואלקום, שסיימה שנה עגומה למדי עם ירידה של 3.9% בהכנסות ל-16.3 מיליארד דולר, על רקע ההיחלשות הכללית בשוק הסמארטפונים ואובדן הלקוחה הגדולה ביותר בשוק, אפל, שהפסיקה להשתמש במודמים של קואלקום בעקבות הסכסוך המשפטי בין שתי החברות. כזכור, ברודקום ניסתה לרכוש את קואלקום ב-2017 במהלך שנתפס כ"השתלטות עוינת". המהלך נגדע לאחר מספר חודשים בצו מיוחד של הנשיא טראמפ, אשר התנגד לעיסקה  משיקולי "ביטחון לאומי".

מבין עשר חברות הפאבלס המובילות, החברה היחידה הנוספת שסיימה את 2018 עם ירידה במכירות (0.7%) היא חברת MediaTek שכמו קואלקום מירב הכנסותיה מגיע משוק הסמארטפונים. מנגד, חברת אנבידיה (Nvidia) שגשגה עם צמיחה של 28.4% במכירות, שהביאה אותה לדירוג של יצרנית השבבים שלישית בגודלה בקבוצת חברות הפאבלס. אנבידיה קיבלה זריקת עידוד הודות לדרישה הגוברת לממערכות מחשוב גרפיות מבוססות GPU עבור יישמי בינה מלאכותית ולימוד עומק, וכדי להאיץ את הביצועים של תשתיות ענן ומרכזי הנתונים.

חברה אחרת שהחלה לדהור בשנת 2018 צריכה לעורר מחשבות בחברת אינטל: המתחרה היחידה שלה מתחום המעבדים בארכיטקטורת X86, חברת AMD, הציגה עלייה של 23.3% במכירות, בעיקר הודות לצמיחה של 38.6% במכירות של מוצרי המחשוב והמעבדים הגרפיים.

מפת הדרכים של יצרניות השבבים הגדולות

פורסם בתאריך ע"י yochais

ההתקדמות העקבית של תעשיית השבבים נשענת על היכולת של יצרניות השבבים להציע שיטות ייצור חדשות שיספקו ביצועים גבוהים יותר בעלויות נמוכות יותר. זוהי למעשה גם מהותו של חוק מור, המנבא את קצב ההתקדמות של תעשיית השבבים.  דו"ח חדש של חברת המחקר IC Insights  נותן תמונת מצב על אסטרטגיית הייצור של קבלניות ייצור השבבים הגדולים בעולם: TSMC, סמסונג, גלובל פאונדריז (GlobalFoundries) וגם אינטל, המייצרת בעצמה את שבביה. הדו"ח מגלה הבדלים בקצב ההתקדמות ובאסטרטגיה של כל אחת מיצרניות השבבים הגדולות.

TSMC מתקדמת ל-5 ננומטר

קבלנית הייצור הטייוואנית TSMC השיקה בסוף 2016 תהליך ייצור ב-10 ננומטר בטכנולוגיית FinFET, אך התקדמה במהרה לתהליך של 7 ננומטר, וזאת מתוך הערכה של החברה כי טכנולוגיית ייצור ב-7 ננומטר תהיה בעלת תוחלת חיים ארוכה כמו תהליכי 28 ננומטר ו-16 ננומטר.

במקביל, TSMC כבר נמצאת בתהליכי פיתוח של תהליך 5 ננומטר, וצפויה להתחיל ולהציע באופן מוגבל (Risk Production) את התהליך במחצית הראשונה של השנה, ולעבור לייצור המוני בתהליך במהלך 2020. התהליך החדשני יתבסס על ליטוגרפיית אולטרה-סגול קיצוני (EUV), טכנולוגיה אופטית מבוססת לייזר המשתמשת באורכי גל קצרים יותר ובכך מאפשרת לייצר טרנזיסטורים קטנים יותר. לא יהיה זה התהליך הראשון של TSMC שמתבסס על EUV. החברה תשתמש בטכנולוגיה הזו לצורך שדרוג הייצור ב-7 ננומטר (N7+). בגרסה המשודרגת של התהליך ב-7 ננומטר, שתושק במחצית השנייה של השנה, ייעשה שימוש בליטוגרפיית EUV רק לצורך בניית השכבות הקריטיות (4 שכבות) בשבב. בתהליך של 5 ננומטר ייעשה שימוש ב-EUV לצורך בנייה של 14 שכבות.

סמסונג מאמינה ב-10 ננומטר

בתחילת 2018 הוציאה לשוק סמסונג, שמספקת גם שירותי ייצור לחברות שבבים, את הדור השני של תהליך הייצור ב-10 ננומטר, שנקרא 10LPP (low power plus). בהמשך 2018 השיקה החברה כבר דור שלישי של התהליך, 10LPU (low power ultimate), שהציע ביצועים גבוהים יותר. בשונה מ-TSMC, בסמסונג מאמינים כי תהליכי 10 ננומטר (ובכלל זה הנגזרת של 8 ננומטר) יהיו בעלי מחזור חיים ארוך.

סמסונג החלה בהיצע מוגבל של טכנולוגיית 7 ננומטר באוקטובר 2018. בחברה החליטו לוותר על שימוש בליטוגרפיית immersion (שבה ממלאים את חלל האוויר שבין העדשות ובמשטח הפרוסה בתווך נוזלי בעל מקדם שבירה גדול מאחד) לצורך שדרוג התהליך, ולדלג ישר לתהליך 7 ננומטר המבוסס על EUV. ב-7 ננומטר תעשה סמסונג שימוש בליטוגרפיית EUV לצורך ייצור 8-10 שכבות.

גלובל-פאונדריז פרשה מהמירוץ ל-7 ננומטר

GF השיקה באמצע שנת 2018 את התהליך 22 ננומטר FD-SOI, המהווה עבורה תהליך משלים לטכנולוגיית 14 ננומטר FinFET. החברה טוענת כי התהליך הזה מספק ביצועים כמעט שקולים לטכנולוגיית FinFET אך בעלויות של טכנולוגיית 28 ננומטר.

באוגוסט 2018 ביצעה GF הערכה מחודשת לאסטרטגיה שלה והכריזה כי היא מספיקה את מאמצי הפיתוח של טכנולוגיית 7 ננומטר, וזאת בשל המשאבים הגדולים הכרוכים בפיתוח הטכנולוגיה ובשל הערכת החברה כי הביקוש לתהליך יהיה מצומצם למדי. בעקבות כך מיקדה החברה את מאמצי המחקר והפיתוח שלה לשדרוג פלטפורמות הייצור של 14 ננומטר ו-12 ננומטר בטכנולוגיית FinFET ואת טכנולוגיית ה- FD-SOIשלה.

אינטל עוברת מ-14 ננומטר ל-10 ננומטר

הדור התשיעי של מעבדי אינטל, שהושק בסוף 2018 תחת השם “Coffee Lake-S”. אינטל לא חשפה פרטים רבים על תהליכי הייצור של מעבדים אלה, להערכת IC Insights מדובר בגרסה משודרגת של הדור השני של תהליך ייצור ב-14 ננומטר, שבו ייצרו הדור השמיני של מעבדי החברה.

החברה תחל בייצור המוני בתהליך של 10 ננומטר במהלך השנה עם השקת משפחת המעבדים “Sunny Cove”, שהחברה כבר הציגה בדצמבר 2018. ב-2020 צפויה החברה להציג את הדור הבא של תהליך 10 ננומטר.

מפת הדרכים של יצרניות השבבים

בחמשת העשורים האחרונים נרשמה התקדמות אדירה בפרודוקטיביות ובביצועים של טכנולוגיית ייצור מעגלים משולבים. ב-IC Insights מסכמים את הדו"ח וטוענים כי למרות הצלחתה של התעשייה להתגבר על מכשולים רבים בדרך, המחסומים הפיזיקליים והטכניים נהיים מורכבים יותר ויותר. כדי להתגבר עליהם, בתעשייה מפתחים פיתרונות מהפכניים שמגדילים את הפונקציונאליות של השבבים.

 

סמסונג תשלב את הפלטפורמה של EyeSight במערכת ניטור נהג

פורסם בתאריך ע"י yochais

חברת EyeSight מהרצליה הודיעה על שיתוף פעולה בתחום המערכות לפנים הרכב עם חברת סמסונג, שבמסגרתו תשלב ענקית האלקטרוניקה את פלטפורמת הראייה הממוחשבת של אייסייט בפתרונות המצלמה לפנים הרכב שהיא מציעה ליצרניות רכב. סמסונג היא הבעלים של חברת HARMAN, אחת מספקיות המערכות לרכב הגדולות בעולם. לדברי אייסייט, השילוב בין שתי הטכנולוגיות "יצור את מערכת ניטור הנהג המתקדמת בשוק".

אייסייט פיתחה טכנולוגיית זיהוי מחוות המאפשרת למשתמש לשלוט באמצעות שפת גוף אינטואיטיבית וללא מגע יד במכשירים דיגיטליים כגון סמארטפון, מחשב נייד, טלוויזיה, ועוד שורה של מוצרים. החברה מפתחת יישומים המתבססים על הטכנולוגיה הזו למגוון של תחומים כגון בית חכ, רובוטיקה, והאינטרנט של הדברים.

בפברואר 2017 השיקה החברה מערכת חישה ושליטה המיועדת לפנים הרכב ומשמשת בראש ובראשונה למעקב אחר רמת העירנות של הנהג וזאת באמצעות ניתוח פרמטרים כמו הטיית הראש, היציבה הכללית ותנועות העפעפיים. המערכת, המבוססת על ראיית מכונה ובינה מלאכותית, יודעת לזהות הסחת דעת של הנהג מהדרך באמצעות מעקב אחר האישונים, האופן שבו הוא בוהה ועוד, ומתריעה בפניו בכל פעם שרמת עירנותו יורדת.

בנוסף, המערכת גם ניתנת לשילוב במערכות המידע והבידור (Infotaiment) האלקטרוניות ובמערכות מיזוג האוויר, ומאפשרות לנהג להפעיל את יישומי המערכות הללו באמצעות מחוות יד פשוטות. כך למשל, הנהג יכול לענות לשיחות טלפון נכנסות ולשלוט במסך התצוגה ברכב באמצעות מחוות יד פשוטות כגון סימון בשתי אצבעות, מבלי לגעת במסך השליטה או להסיט את מבטו מהנסיעה.

שני שליש מתאונות הדרכים – בגלל הסחות דעת

על פי מחקר של חברת הביטוח Atlas, כשני שליש מתאונות הדרכים נגרמות כתוצאה מהסחת דעת של הנהג. כלי רכב אמנם מצוידים כיום במערכות בטיחות מתקדמות כגון בקרת נתיב ובלימה אוטומטית. ואולם, לצד השיפור בבטיחות, מערכות אלה עשויות ליצור לעיתים תחושת שאננות ואשליית בטיחות, שעלולות לגרום לנהג לבצע פעולות מסוכנות כמו שליחת הודעות במהלך הנסיעה.

על כן, לצד מערכות בטיחות המופנות כלפי הכביש, יש חשיבות למערכות המופנות כלפי פנים הרכב אשר עוקבות אחר דריכותו של הנהג ומאפשרות לו לבצע פעולות שונות מבלי להסיט את עיניו מהדרך. גם הרגולטור כבר מתחיל להפנים זאת. כך למשל, התוכנית האירופית לדירוג כלי רכב חדשים (Euro NCAP), המעניקה לכל דגם רכב ציון בטיחות, הודיעה כי החל מ-2020, תכלול בהערכות הבטיחות שלה את הצורך במערכות ניטור נהג.

 

 

השקעות השיא של סמסונג עשויות להפיל את שוק הזיכרונות  

פורסם בתאריך ע"י yochais

על פי ההערכה הרווחת בשוק, סמסונג צפויה לחתום את 2018 כיצרנית השבבים הגדולה ביותר בעולם, מבחינת היקף מכירות, זו השנה השנייה ברציפות, וזאת לאחר שהדיחה מהמקום הראשון את אינטל ששלטה בכיפה יותר מ-20 שנה. מתברר שגם בצד ההשקעות, סמסונג מקדימה את כל יתר יצרניות השבבים, ובפער גדול.

על פי דו"ח של IC Insights, הסוקר את היקף השקעות ההון (Capex) של יצרניות השבבים המובילות, סמסונג היקף השקעות ההון שסמסונג הוציאה בשנתיים האחרונות על הרחבת קווי הייצור והגדלת הקיבולת צפוי להסתכם ב-46.8 מיליארד דולר, שקול כמעט לסכום שהוציאו אינטל ן-TSMC ביחד באותה תקופה – כ-48.4 מיליארד דולר. חשוב לציין כי לא מדובר בכלל ההוצאות של החברה, אלא רק בהשקעות של סמסונג בהגדלת התפוקה.

לאחר שהשקיעה כ-24.2 מיליארד דולר ב-2017, סמסונג, שלא רק מייצרת את מוצריה אלא גם מספקת שירותי ייצור (Foundry) לחברות שבבים אחרות, צפויה להערכת IC Insights להוציא השנה כ-22.6 מיליארד דולר. מדובר בירידה של 7% בהשוואה ל-2017, אך עדיין הרבה יותר מארבע יצרניות השבבים המובילות ובהן אינטל, SK Hynix, TSMC ומיקרון.

הזינוק המשמעותי בהיקף ההשקעה בתחום הסמיקונדוקטור חל בשנתיים האחרונות. בין 2010 ל-2016 השקיעה סמסונג בממוצע כ-12.0 מילארד דולר בשנה. ואולם, לאחר שב-2016 עמד הסכום על 11.6, ב-2017 הכפילה סמסונג את התקציב.

מירב המשאבים של סמסונג מתמקדים בהגדלת קיבולת הייצור בתחום זיכרונות ה-NAND וה-DRAM. סמסונג היא יצרנית הזיכרונות הגדולה בעולם. לאחר מספר שנים של השקעות חסר בתחום הזיכרונות מצד יצרניות השבבים, נוצר בשוק בשלוש השנים האחרונות מצב אקוטי של עודף ביקושים, שהוביל לזינוק במחירים. כעת מנסה סמסונג, ויתר יצרניות השבבים המובילות, לסגור את הפער.

אין ספק שההגדלה הניכרת בתקציב השקעות ההון בשנתיים האחרונות מסמנת אסטרטגיה אגרסיבית יותר מצדה של סמסונג, שמעוניינת לקלוט את הביקושים העודפים בשוק, אך גם מידה מסוימת של נטילת סיכון. ב-IC Insights סבורים כי ההשקעה המסיבית בשנתיים האחרונות עשויה להיות בעלת השלכות לשנים הקרובות. התוצאה הראשונה, שכבר ניכרת לטענת מכון המחקר, היא תפוקת-יתר בשוק רכיבי זיכרונות ה-3D NAND.

כאמור לא רק סמסונג הגדילה באופן ניכר את השקעותיה בתחום, אלא גם יתר יצרניות הזיכרונות המובילות כגון SK, מיקרון, טושיבה, אינטל ועוד. על פי התחזית של IC Insights, אינטל תגדיל השנה את השקעותיה ב-32%, SK ב-58% ומיקרון ב-54%. בסך הכול, היקף השקעות ההון בתעשיית הסמיקונדוקטור צפויה לטפס השנה כ-15% לכ-107.1 מיליארד דולר, שיא של כל הזמנים.

המחזוריות בשוק הזיכרונות מתהפכת

לפני חודשים פרסמה IC Insights אנליזה שממנה עלה כי היקף ההשקעות המתוכננות בפועל מצד יצרניות הזיכרונות הגדולות בהגדלת תפוקת הייצור בתחום ה-3D NAND גבוה מן העלייה הצפויה בביקושים ובכך עשוי להוביל לירידת מחירים בשוק הזיכרונות. הנתונים הנוכחיים מלמדים כי ההערכה של IC Insights היתה מוצדקת. על פי מכון DRAMeXchange, העוקב אחר המחירים בשוק הזיכרונות, מחירי ה-3D NAND ירדו בכ-50% ב-2018 וצפויים לרדת בשיעור נוסף של 25%-30% בשנת 2019, וזאת בעוד מחירי ה-DRAM נותרו יציבים יחסית.

לאור שינוי הכיוון הזה יצרניות הזיכרונות צפויות להקטין בשנה הבאה את היקף ההשקעות. ב-IC Insights מעריכים כי ב-2019 ישקיעו שלוש יצרניות הזיכרונות המובילות – סמסונג, SK ומיקרון – כ-37.5 מיליארד דולר, ירידה של 17% בהשוואה ל-2018.

 

 

סמסונג צפויה להיות יצרנית השבבים הגדולה בעולם גם ב-2018

פורסם בתאריך ע"י yochais

סמסונג, שעקפה בשנה שעברה את אינטל לאחר 23 שנה והפכה ליצרנית השבבים הגדולה בעולם, צפויה לשמור על המקום הראשון גם ב-2018 ואף להרחיב את הפער מאינטל, כך על פי דו"ח של חברת המחקר IC Insights המפרט את תחזית המכירות ל-2018 של 15 יצרניות השבבים המובילות הגדולות בעולם מבחינת היקף מכירות.

על פי IC Insights, היקף מכירות השבבים של סמסונג ב-2018 צפוי לגדול ב-26% ולהסתכם ב-83.3 מיליארד דולר, כ-19% יותר מאשר אינטל, שצפויה לסיים את השנה עם היקף מכירות של 70.1 מיליארד דולר. ב-2017 עמד הפער בין סמסונג לאינטל על 7% בלבד.

סמסונג טיפסה בשנה שעברה לראש הדירוג בעיקר הודות לשגשוג האדיר בשוק הזיכרונות. גם השנה, הנתח המשמעותי של סמסונג בשוק הזיכרונות צפוי לדחוף את מכירותיה של החברה הדרום קוריאנית. על פי IC Insights, היקף מכירות שבבי הזיכרונות של סמסונג צפוי לצמוח השנה ב-31% ולהגיע להיקף של 70 מיליארד דולר. לעומת זאת, מכירות השבבים שאינן זיכרונות צפויות לגדול ב-6% בלבד ולהסתכם ב-13.3 מיליארד דולר. הנתונים הללו ממחישים את התלות המשמעותית של סמסונג בשוק הזיכרונות.

עוד עולה מהדו"ח כי היקף מכירות השבבים של כלל 15 היצרניות המובילות צפוי לצמוח ב-2018 בשיעור מרשים של 18%, כ-2% יותר משיעור הצמיחה הצפוי של שוק הסמיקונדוקטור ב-2018.

מבין 15 יצרניות השבבים המופיעות ברשימה של IC Insights, 9 צפויות לסיים את 2018 עם גידול בשיעור דו-ספרתי, ו-5 מתוכן אף יציגו צמיחה הגבוהה מ-20% – סמסונג, SK Hynix, מיקרון, אנבידיה ו-ווסטרן דיגיטל. קואלקום צפויה להיות יצרנית השבבים היחידה ברשימה שתציג ב-2018 גידול שלילי, בשיעור של 3%, במכירות.

מעיין לציין כי למרות סימני ההיחלשות הניכרים בחודשים האחרונים בשוק הזיכרונות, המתבטאים בירידת מחירים, שלוש יצרניות הזיכרונות המובילות, סמסונג, SK Hynix ומיקרון צפויות לסיים את 2018 עם צמיחה של יותר מ-25% במכירות בהשוואה ל-2017, שהיתה בפני עצמה שנה חזקה מאוד עבורן. SK הדרום קוריאנית תציג על פי תחזית מכון המחקר את הצמיחה הגבוהה ביותר השנה, כ-41%, להיקף של 37.7 מיליארד דולר.