TSMC החלה בייצור המוני של שבבי 3 ננומטר

1 ינואר, 2023

להערכת החברה, היא השקיעה במתקן החדש כ-60.5 מיליארד דולר. גם המפעל באריזונה ייצר שבבי 3 ננומטר, בנוסף לשבבי 4 ננומטר. החברה נערכת לבניית מתקן ייצור בגיאומטריה של 2 ננומטר

בתמונה למעלה: חזית פאב 18, שבו ייוצרו שבבי 3 ננומטר

חברת TSMC הטאיוואנית חנכה בסוף השבוע את קו הייצור החדש של שבבים בגיאומטריה של 3 ננומטר. קו הייצור פועל במפעל Fab 18 בדרום טאיוואן, אשר מתפקד כמפעל-על (GIGAFAB) וכולל קווי ייצור של שבבי 5 ננומטר ו-3 ננומטר. בסוף השבוע היא הודיעה שקו ייצור השבבים החדש נכנס בהצלחה לשלב הייצור ההמוני, והשיג את רמת התפוקה הנדרשת לפעילות מסחרית. להערכת החברה, בחמש השנים הקרובות ייוצרו מוצרי אלקטרוניקה בשווי כולל של 1.5 טריליון דולר באמצעות טכנלוגיית 3 ננומטר.

החדרים הנקיים בטכנולוגיה החדשה כפולים בשטחם בהשוואה לטכנולוגיה הקודמת. המתקן כולל 8 חדרים נקיים בשטח של 58,000 מ"ר כל אחד. להערכת החברה, היא ביצעה במתקן השקעה כוללת בהיקף של כ-60.5 מיליארד דולר. בהקמת המפעל הועסקו 23,500 פועלי בניין. התפעול השוטף דורש 11,300 עובדים.

בימים אלה החברה בונה מפעל ייצור נוסף לשבבי 3 ננומטר, הפעם באריזונה, ארה"ב. במקור, המפעל נועד לייצר שבבי 4 ננומטר החל מ-2024, אולם בתחילת דצמבר החליטה TSMC להרחיב את תכולת המפעל האמריקאי, ולהוסיף לו את טכנולוגיית 3 ננומטר החדשה. הקו הנוסף צפוי להתחיל בייצור המוני במהלך 2026. בסך הכל, ההשקעה בהקמת המפעכל באריזונה צפויה להסתכם בכ-40 מיליארד דולר – ההשקעה הזרה הגדולה בתולדות אריזונה ואחת מההשקעות הזרות הגדולות ביותר בתולדות ארה"ב.

כעת נערכת TSMC לשלב הבא: הקמת מפעל לשבבי 2 ננומטר בפארק המדע סינצ'ו שבמרכז טאיוואן. בשלב הזה היא גם מקימה באתר מרכז מחקר ופיתוח עבור הטכנולוגיה הזו, אשר יעסיק כ-8,000 חוקרים ואנשי פיתוח.

פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס

פורסם בתגיות: 3 ננומטר , TSMC , סמיקונדקטורס , שבבים