חברת RAAAM Memory Technologies מפתח תקווה בחרה בחברת אבנט אייסיק (Avnet ASIC Israel) לניהול הייצור של זכרונות בטכנולוגיית Gain-Cell Random Access Memory (GCRAM) שהיא פיתחה, אשר נועדה לפתור את בעיית צוואר הבקבוק בשימוש בזכרונות SRAM בתוך המעבד. במסגרת ההסכם, אבנט אייסיק תשמש כשותפת Value Chain Aggregator – VCA בתהליך ייצור הרכיבים בטכנולוגיית 2 ננומטר של TSMC. היא תהיה אחראית על התאמת התכנון לתהליכי הייצור של TSMC, לצד תמיכה הנדסית, ניהול ייצור ואינטגרציה של תהליכים.
חברת אבנט אייסיק היא מרכז תכנון וייצור רכיבי ASIC ו-SoC המהווה חטיבה עסקית של Avnet Silica, הנמצאת בבעלות Avnet העולמית. היא הוקמה לפני כ-35 שנים וביצעה כמה מאות פרוייקטי בישראל ובחו"ל. החברה מחזיקה בהסמכה רשמית של TSMC המעניק לה מעמד של VCA. היא צברה ניסיון בתהליכי 3 ננומטר ויש לה גישה לטכנולוגיות 2 ננומטר של TSMC הצפויות להגיע בקרוב לשוק. שתי החברות מסרו שהטכנולוגיה של RAAAM נמצאת כעת בתהליכי הסמכה, ואפילו שולבה בשבב ניסוי של לקוח שביצע Tape-Out במרץ 2026.
טכנולוגיית GCRAM היא טכנולוגיית זיכרון משובץ (Embedded Memory) אשר נועדה להחליף את בלוק זכרון ה-SRAM הקיים היום במעבדים. מכיוון שזמני הבאת מידע אל המעבדים ארוכים פי 100 מזמני העברת מידע בתוך השבב, יצרנים רבים משלבים בלוק זכרון SRAM בתוך השבב, עבור מידע הדרוש מיידית. אלא שהבלוק הזה דורש שטח גדול יחסית (לעתים עד כמחצית משטח הרכיב כולו). להערכת חברת RAAAM, טכנולוגיית SRAM לא עונה לדרישות החדשות בשוק, וזכרונות מבוססי GCRAM עשויים להחליף אותה מכיוון שהם מאפשרים הקטנה של 50% בשטח הסיליקון, והפחתה של עד פי 10 בצריכת ההספק של הזכרונות, תוך שמירה על תאימות לתהליכי CMOS סטנדרטיים.
שיתוף פעולה ישראלי שווייצרי
חברת RAAAM הוקמה בשנת 2021 על-ידי ארבעה חוקרים מתחום ה-VLSI מאוניברסיטת בר-אילן ומהמכון הטכנולוגי של לוזאן, שווייץ, וקיבלה תמיכה מהאיחוד האירופי, תוכנית אינטל איגנייט וממשקיעים פרטיים, בהם גם חברת NXP. הטכנולוגיה של החברה מבוססת על תא זיכרון מסוג Gain Cell המשתמש ב-3 טרנזיסטורים בלבד לכל ביט, במקום 6 טרנזיסטורים בזכרונות SRAM. מדובר בטכנולוגיית ביניים שבין SRAM שאינו דורש ריענון (Refresh), לבין הזיכרון הדינמי DRAM אשר דורש רענון תקופתי. זכרון GCRAM מבצע ריענון תקופתי, אולם בקצב נמוך יותר מ-DRAM ובאופן סמוי מהמעגלים החיצוניים.
הטכנולוגיה של RAAAM מאפשרת לעבוד במתח נמוך מאוד של עד 450mV בטרנזיסטורי FinFET, מיוצרת בתהליך סטנדרטי וכוללת פורטים נפרדים לקריאה ולכתיבה. במערכות מודרניות המפעילות יישומי AI בקצה או אלרתמים מורכבים, הדבר מאפשר לשבץ במעבד זיכרון בנפח כפול על אותו שטח סיליקון וגם לחסוך באנרגיה. למעשה, היא מתחרה על גומחת השוק של חברת וויביט ננו, אשר פיתחה זכרון התנגדותי משובץ ( ReRAM).
