3 ננומטר

תחזית הצמיחה של TSMC הקפיצה את מניות השבבים

פורסם בתאריך ע"י Techtime

בתמונה למעלה: הנהלת TSMC בשיחת הוועידה לאחר פרסום הדו"ח הרבעוני

הדו"ח הרבעוני האחרון של חברת TSMC הטאיוואנית היכה בשוק כמכת ברק: מדד נסד"ק 100 עלה ב-1.5%, מדד מניות השבבים (PHLX Semiconductor Index) זינק ביותר מ-3.3%, מניית חברת TSMC עצמה זינקה ביותר מ-9% והמניות של לקוחותיה הגדולים זינקו בהתאמה: מניית אנבידיה למשל זינקה בכ-2.5% ומניית אפל עלתה בכ-3.2%. ברבעון האחרון של שנת 2023 הסתכמו המכירות של חברת TSMC בכ-19.6 מיליארד דולר, כאשר המכירות בשנת 2023 כולה הסתכמו בכ-69.3 מיליארד דולר.

אומנם זוהי ירידה של 8.5% בהשוואה למכירות ב-2022 וירידה של 1.5% בהשוואה לרבעון המקביל אשתקד, אולם המכירות ברבעון האחרון צמחו בכ-13.6% בהשוואה לרבעון השלישי 2023. העלייה הזאת מייצגת מגמת תפנית כל-כך עמוקה בשוק השבבים ובתמהיל המוצרים של חברת TSMC, שמנכ"ל החברה, סי.סי. וויי,  אמר בשיחת הוועידה עם אנליסטים שהחברה צופה שהחל משנת 2024 – ולמשך מספר שנים קדימה – TSMC תציג צמיחה שנתית של 15%-20% במכירות.

מירוץ המיזעור תופס תאוצה

תחזית המכירות הזאת מבוססת על ההערכה שהשווקים הגדולים ביותר של חברת TSMC נמצאים במגת צמיחה בעקבות מהפיכת הבינה המלאכותית והקישוריות המהירה, ושהשוק עובר לשימוש בטכנולוגיות המתקדמות ביותר (טרנזיסטורים בעלי רוחב צומת של 7 ננומטר ומטה) שבהן החברה ממקדת את מאמציה – וגם נחשבת למובילה העולמית. המגמה הזו מורגשת היטב כבר בתוצאות הרבעון האחרון של 2023: ייצור בתהליכי 3 ננומטר היה אחראי לכ-15% מהמכירות, הייצור ב-5 ננומטר היה אחראי לכ-35% מהמכירות והייצור ב-7 ננומטר היה אחראי לכ-17% מהמכירות.

בסך הכל, התהליכים המתקדמים היו אחראים ל-67% מהמכירות ברבעון – בהשוואה לשיעור של 53% בשנת 2022. חברת TSMC צופה שהמגמה הזו תמשיך ותתרחב בשנים הבאות, מכיוון ששני שוקי היעד הגדולים והחשובים ביותר שלה – מחשבים חזקים (HPS) וסמארטפונים  – שכל אחד מהם אחראי לכ-43% ממכירותיה ברבעון – הם הלקוחות המרכזיים של תהליכים מתקדמים.

זהו גם התחום שבו החברה ממקדת את מאמצי ההצטיידות והפיתוח: וויי גילה בשיחת הוועידה שבשנת 2024 תשקיע TSMC כ-32 מיליארד דולר בהצטיידות ומו"פ שיאפשרו לה ליהנות מתנופת הבינה המלאכותית, ה-HPC וה-5G. מתוך הסכום הזה יושקעו 70%-80% בתהליכים מתקדמים ו-10%-20% במארזי מתקדמים. "אנחנו צופים שהמכירות של 3 ננומטר (N3) יוכפלו ביותר מאשר פי שלושה במהלך 2024, כאשר טכנולוגיית 2 ננומטר (N2) שלנו תתבסס על טרנזיסטורי narrow-sheet ומתוכננת להיכנס לייצור המוני בשנת 2025".

מדיהטק ו-TSMC פיתחו מעבד יישומים לייצור ב-3 ננומטר

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חברת מדיהטק (MediaTek) הטאיוואנית הודיעה שהיא הצליחה לפתח מעבד יישומים עבור אבזרים ניידים וטלפונים אשר ייוצר במתכונת של מערכת על-גבי שבב (SoC)  בטכנולוגיית 3 ננומטר של חברת TSMC הטאיוואנית. המעבד החדש, Dimensity SoC, פותח במשותף על-ידי שתי החברות. להערכת מדיהטק ו-TSMC, הייצור ההמוני צפוי להתחיל בשנת 2024. חברת TSMC מסרה שבהשוואה לתהליך TSMC N5, טכנולוגיית 3 ננומטר מספקת מהירות גבוהה יותר ב-18%, צפיפות גבוהה יותר ב-60% והפחתה של 32% בצריכת ההספק של השבב. חברת מדיהטק הודיעה שהמעבד מיועד לנהל מכשירי סמארטפון, טאבלטים, מכוניות חכמות ומוצרים נוספים.

משפחת מעבדי Dimensity הם מוצר הדגל של החברה, אשר החלה כיצרנית שבבים עבור אבזרים ניידים, וכעת נכנסת לתחום המחשבים החזקים. בחודש מאי 2023 היא הכריזה על שיתוף פעולה עם חברת אנבידיה, בפיתוח מערך של פתרונות לניהול הרכב החכם במטרה לספק מערך פתרונות משותף המספק מענה מלא לכל צורכי היצרניות. במסגרת שיתוף הפעולה, מדיהטק תפתח רכיבים במתכונת של chiplet הכוללים מעבדים מתוצרתה, רכיבי GPU של אנבידיה וקניין רוחני (IP) של אנבידיה, כשהם מקושרים במארג תקשורת פנימי מהיר. מנכ"ל אנבידיה, ג'נסן הואנג, אמר שהשילוב בין רכיבי ה-SoC של מדיהטק לבין מעבדי ה-GPU ותוכנות ה-AI של אנבידיה, "יאפשר לספק חוויית משתמש חדשה ברכב, לשפר את הבטיחות ולהעניק את צורכי הקישוריות של כלי-רכב בכל השווקים, ממכוניות עממיות ועד מכוניות יוקרה".

 

 

ירידה של 10% במכירות סמסונג אלקטרוניקס

פורסם בתאריך ע"י Techtime

ברבעון הראשון של שנת 2023 ירדו המכירות של חברת סמסונג אלקטרוניקס (Samsung Electronics) בכ-10% והסתכמו בכ-51 מיליארד דולר. החברה צופה שברבעון השני לא יחולו שינויים מהותיים בשוק, אולם נערכת לחיזוק ההיצע הטכנולוגי שלה באמצעות הגברת הייצור של זכרונות מתקדמים כמו DDR5 ו-LPDDR5x, ופיתוח מואץ של טכנולוגיית ייצור שבבים המבוססת על טרנזיסטורי Gate-All-Around – GAA ברוחב צומת של 2 ננומטר.

החברה אינה מספקת מידע מדוייק אל מגזרי השוק השונים שלה, מלבד הערכות כלליות מאוד. מגזר הפעילות הגדול ביותר של החברה הוא טלפונים ופתרונות תקשורת. חטיבת MX אחראית על התחום הזה ומכירותיה ברבעון הסתכמו בכ-25.6 מיליארד דולר (ורווח תפעולי של כ-3.1 מיליארד דולר). מכירות חטיבת ה-Device Solutions, אשר אחראית לטכנולוגיות ליבה כמו זכרונות וייצור שבבים, הסתכמו בכ-11 מיליארד דולר. היא סיימה את הרבעון בהפסד של כ-3.8 מיליארד דולר. מכירות חטיבת הצגים (SDC) הסתכמו בכ-5.3 מיליארד דולר (וברווח של כ-620 מיליון דולר).

סמסונג צופה שהשוק יתחיל להתאושש במחצית השנייה של 2023, ומתכננת למגמה הזאת באמצעות חיזוק ההיצע של שרתים עתירי ביצועים וטלפונים ניידים מהקצה הגבוה של השוק. החברה מדווחת על "ירידה משמעותית" במכירות חטיבת הזכרונות בהשווה לקבעון המקביל אשתקד, עקב הצטברות מלאים אצל הלקוחות. המכירות של זכרונות DRAM סבלו בעיקר מביטול הזמנות מצד חברות ענן גדולות, אשר התאימו את היקף הרכש שלהן לשפל בשוק הטלפונים והמחשבים האישיים.

שוק כרטיסי האשראי החכמים יגדיל את המכירות

יחד עם זאת, החברה צופה בהמשך השנה לדרישה חזקה לזכרונות LPDDR5x ו-DDR5, בזכות הופעת דור חדש של שרתים ומעבדי CPU אשר מיועדים להתמודד עם העומסים הכבדים של בינה מלאכותית. החברה דיווחה שהיא הגדילה את מכירותיה בתחום זכרונות ה-NAND, למרות השפל בשוק, בזכות מעבר לזכרונות מתקדמים עבור כונני SSD המצויים בטלפונים ובמחשבים חדשים. גם בתחום הזה היא צופה התאוששות במחצית השנייה, וכניסת זכרונות quad-level cells אל שוק הטלפונים הניידים.

חטיבת השבבים הלוגיים של החברה (System LSI Business) ספגה, "ירידה חדה במכירות עקב צניחה בביקוש לרכיבים מרכזיים כמו רכיבי SoC, חיישנים ורכיבים לדחיפת צגים (DDI), אלם מכירותיה הכוללות צמחו בזכות מכירת רכיבי SoC לטלפונים ניידים ושבבי תקשורת אלחוטית קצרת טווח". גם כאן החברה מעריכה שצפויה התאוששות במחצית השנייה של השנה, במיוחד לאחר השקת מוצרי דגל חדשים והכניסה לשוק של כרטיסי אשראי המאומתים באמצעות טביעת אצבעות ולא באמצעות קוד סודי.

חטיבת ה-Foundry החלה בייצור המוני של 3 ננומטר

בתחום שירותי הייצור (Foundry Business), סמסונג נכנסה לייצור המוני של הדור הראשון של שבבי 3 ננומטר המבוססים על טרנזיסטורי GAA. הדור השני צפוי להיכנס לייצור המוני במהלך 2024, ומיועד לשימוש במוצרים חדשים הדורשים ביצועים גבוהים והספק נמוך, כמו סמארטפונים ומחשבים עתירי עיבוד (HPC). החברה לא מסרה מידע על היקף המכירות של החטיבה, אבל סיפקה תחזית צמיחה מתונה לאור ההתאוששות הצפויה בשוק. מנוע המכירות הגדול ביותר צפוי להיות תהליך GAA ב-3 ננומטר. "בנוסף, הצגנו תוצאות משמעותיות בתחום ה-2 ננומטר".

TSMC החלה בייצור המוני של שבבי 3 ננומטר

פורסם בתאריך ע"י Techtime

בתמונה למעלה: חזית פאב 18, שבו ייוצרו שבבי 3 ננומטר

חברת TSMC הטאיוואנית חנכה בסוף השבוע את קו הייצור החדש של שבבים בגיאומטריה של 3 ננומטר. קו הייצור פועל במפעל Fab 18 בדרום טאיוואן, אשר מתפקד כמפעל-על (GIGAFAB) וכולל קווי ייצור של שבבי 5 ננומטר ו-3 ננומטר. בסוף השבוע היא הודיעה שקו ייצור השבבים החדש נכנס בהצלחה לשלב הייצור ההמוני, והשיג את רמת התפוקה הנדרשת לפעילות מסחרית. להערכת החברה, בחמש השנים הקרובות ייוצרו מוצרי אלקטרוניקה בשווי כולל של 1.5 טריליון דולר באמצעות טכנלוגיית 3 ננומטר.

החדרים הנקיים בטכנולוגיה החדשה כפולים בשטחם בהשוואה לטכנולוגיה הקודמת. המתקן כולל 8 חדרים נקיים בשטח של 58,000 מ"ר כל אחד. להערכת החברה, היא ביצעה במתקן השקעה כוללת בהיקף של כ-60.5 מיליארד דולר. בהקמת המפעל הועסקו 23,500 פועלי בניין. התפעול השוטף דורש 11,300 עובדים.

בימים אלה החברה בונה מפעל ייצור נוסף לשבבי 3 ננומטר, הפעם באריזונה, ארה"ב. במקור, המפעל נועד לייצר שבבי 4 ננומטר החל מ-2024, אולם בתחילת דצמבר החליטה TSMC להרחיב את תכולת המפעל האמריקאי, ולהוסיף לו את טכנולוגיית 3 ננומטר החדשה. הקו הנוסף צפוי להתחיל בייצור המוני במהלך 2026. בסך הכל, ההשקעה בהקמת המפעכל באריזונה צפויה להסתכם בכ-40 מיליארד דולר – ההשקעה הזרה הגדולה בתולדות אריזונה ואחת מההשקעות הזרות הגדולות ביותר בתולדות ארה"ב.

כעת נערכת TSMC לשלב הבא: הקמת מפעל לשבבי 2 ננומטר בפארק המדע סינצ'ו שבמרכז טאיוואן. בשלב הזה היא גם מקימה באתר מרכז מחקר ופיתוח עבור הטכנולוגיה הזו, אשר יעסיק כ-8,000 חוקרים ואנשי פיתוח.

סמסונג החלה לייצר שבבי 3 ננומטר

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חברת סמסונג (Samsung Electronics) הכריזה על תחילת הייצור של טרנסיסטורים בגאומטריה של 3 ננומטר. התהליך הראשון הוא של טרנזיסטורים מסוג Multi-Bridge-Channel FET – MBCFET, שהם הגרסה של סמסונג לטרנזיסטורים הבנויים בארכיטקטורת "צומת צפה" (Gate-All-Around – GAA), שבה השער המבקר את פעולת הטרנזיסטור מקיף את הצומת מכל הכיוונים. להערכת סמסונג, סטנזיסטורי MBCFET מספקים ביצועים טובים יותר מאשר טרנזיסטורי FinFET, המשמשים כיום לייצור רוב הרכיבים הגדולים בתהליכים המתקדמים.

בשלב הראשון החברה מייעדת את התהליך לייצור מעבדים ליישומים נייחים, ובהמשך ליישומים ניידים וסמארטפונים. טכנולוגיית MBCFET של סמסונג כוללת שימוש בלוחות זעירים (nanosheets) שבהם המוליכים החשמליים רחבים יותר מאשר ב-nanowires המקובלים ברוב טכנולוגיות ה-GAA הקיימות בשוק. לדברי החברה, הטכנולוגיה מאפשרת להתאים את רוחב המוליכים לצרכים של היישום הספציפי. החברה הסבירה שרכיבי 3 ננומטר מהדור הראשון מספקים חסכון של 45% בצריכת ההספק, הפחתה של 16% בשטח הסיליקון ושיפור כולל של ב-23% בביצועים, בהשוואה לשבבים שיוצרו בגאומטריה של 5 ננומטר. שבבי הדור השני יספקו חסכון של יותר מ50% בהספק, שיפור של 30% בביצועים וחסכון של 35$ בשטח הסיליקון – בהשוואה לרכיבי 5 ננומטר.

במקביל להכרזה, הודיעה סמסונג שברבעון השליש של 2021 היא ייסדה קבוצת תמיכה בלקוחות בשם Samsung Advanced Foundry Ecosystem – SAFE, אשר מסייעת לה לספק כלי תכנון ובדיקה המותאמים לתהליך החדש, במטרה לסייע ללקוחות שירותי הייצור (foundry) לתכנן שבבים לייצור בתהליך. הקבוצה הזאת כוללת את קיידנס, סינופסיס, Ansys וסימנס.