אינטל: מכונת הליתוגרפיה החדשה נכנסה לייצור סדרתי
17 דצמבר, 2025
החלה הפעלת המערכת המתקדמת ביותר של ASML. בשלב הנוכחי היא מייצרת רכיבים בתהליך של 1.8 ננומטר. בשלב הבא יבוצעו בה שינויים שיאפשרו לה לייצר שבבים בתהליך של 1.4 ננומטר
חברת אינטל (Intel) החלה להפעיל את מכונת הליתוגרפיה המתקדמת ביותר של SML, מדגם TWINSCAN EXE:5200B, לייצור סדרתי של מעבדים בטכנולודיית A18 במפעל החברה באורגון, ארה"ב. מעררכת הליתוגרפיה החדשה מבוססת על שימוש בעדשות ובמראות בעלות מיפתח רחב במיוחד להולכת קרינה אולטרא-סגולה (High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet) ומיועדת לייצור רכיבים ברוחב צומת של פחות מ-2 ננומטר. חברת אינטל מסרה שהמערכת תאפשר להאיץ את פיתוח טכנולוגיית הדור הבא, A14, לייצור טרנזיסטורים ברוחב צומת של 1.4 ננומטר.
גם אינטל וגם TSMC דוהרות לטרנזיסטורי 2D Materials
לצד המיזעור, המערכת החדשה מאפשרת לאינטל לקצר את תהליך הייצור: מספר הצעדים הנדרשים לייצור שכבה קריטית בשבב קוצר מ-40 צעדים לפחות מ-10 צעדים, ברמת דיוק של של 0.7 ננומטר בהנחת השכבות אחת על השנייה (Overlay). כיום המכונה מסוגלת לעבד 175 פרוסות סיליקון (Wafers) בשעה. אינטל הודיעה שהיא מתכננת לייעל את התהליך לקצב של יותר מ-200 פרוסות סיליקון בשעה. מפעל הייצור באורגון משמש כמרכז המחקר והפיתוח של אינטל לתהליכי ייצור חדשים. בשנה האחרונה ביצוע אינטל ו-ASML ניסויים רבים בהפעלת הטכנולוגיה החדשה, שכן ההערכה היא שאינטל מתייחסת אל טכנולוגיית הליתורגרפיה החדשה כאל אחת מאבני הייסוד של טכנולוגיות הייצור העתידיות שלה.
אחת מהטכנולוגיות האלה היא ייצור טרנזיסטורים מחומרים דו-מימדיים (2D Materials) שעוביים נמדד במספר אטומים בודדים, דוגמת גרפן (Graphene). לפני כשבוע חשף מכון המחקר IMEC שמרכזו בבלגיה, שהוא מפתח תהליך ייצור של טרנזיסטורי FET מחומרים דו-מימדיים בפרוסות סיליקון של 300 מ"מ. שיתוף הפעולה עם אינטל מתבצע במקביל לשיתוף פעולה דומה עם חברת TSMC. בשני המקרים פותחו תהליכי ראשוניים לייצור טרנזיסטורי nFET ו-pFET באמצעות חומרים דו-מימדיים. אינטל מסרה שהטכנולוגיה הזו מיועדת לעידן שבו הסיליקון יגיע לקצה גבול יכולת המיזעור שלו, שכן היא עשויה לאפשר ייצור טרנזיסטורים זעירים וחזקים מהטרנזיסטורים המיוצרים כיום.
פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס
פורסם בתגיות: אינטל , סמיקונדקטורס , שבבים
