Rohm החלה לייצר מודולי הספק מלאים מבוססי Silicon Carbide

7 יוני, 2012

להערכת החברה השימוש בטכנולוגיית SiC מקטין בכ-85% את הפסדי המיתוג בהשוואה לטכנולוגיית IGBT הנוכחית, ומצמצם בכ-50% את המימדים של מתג 400A

יצרנית השבבים הגרמנית Rohm Semiconductor החלה לייצר מודולי הספק המבוססים על גבישי Silicon Carbide למערכות הדורשות הספקים גבוהים מאוד (1,200V ו-100A).

להערכת החברה השימוש בטכנולוגיית SiC מקטין בכ-85% את הפסדי המיתוג בהשוואה לטכנולוגיית IGBT הנוכחית, ומצמצם בכ-50% את המימדים של מתג 400A.

סמיקונדקטורס הספקעל-פי ההערכות, צפויה טכנולוגיית SiC להיות משמעותית במערכות הספק אלקטרוניות (ציוד תעשייתי, תאים סולאריים, אלקטרוניקה ממונעת ורכבות). הפסדי ההספק הגדולים ביותר במערכות אלה נגרמים במהלך שלבי המרת האנרגיה. חברת Rohm מסרה בהודעה לעיתונות, שמסיבה זו החלה לחקור לפני מספר שנים את טכנולוגיית SiC, וכבר בשנת 2010 הצילחה לייצר טרנזיסטורי MOSFET המבוססים על גבישי SiC.

הקושי המרכזי באספקת מודולי הספק מבוססי SiC במלואם, היה נעוץ בקשיי ייצור שגרמו לחוסר יציבות בטמפרטורות גבוהות. החברה פיתחה תהליך ייצור מיוחד הכולול שיטת הקרנה חדשה ותהליך להפחתת פגמים, המעניק לרכיבים יציבות גם בטמפרטורות של עד 1,700ºC. החברה הודיעה על ייצור סדרתי של מספר רכיבים המבוססים על טכנולוגיית SiC שפיתחה: טרנזיסטורי MOSFET, מודולי הספק מלאים ודיודות שוקטי (Schottky Barrier Diodes) המתאימים לעבוד בתדרים של עד 100kHz.

Share via Whatsapp

פורסם בקטגוריות: ANALOG , חדשות , רכיבים