קיידנס הכריזה על שבב בדיקה בתהליך FinFET עם מעבד ARM

13 דצמבר, 2012

השבב והמערכת התומכת בו מהווים ציון דרך ביישום ההסכם הרב-שנתי שנחתם בין ARM, קיידנס ו-IBM, לפיתוח מערכות על-גבי שבב (SoCs)

טכנולוגיית FinFET משפרת את ביצועי הטרנזיסטור באמצעות שינוי תצורת השער (Gate)

חברת קיידנס (Cadence), הודיעה שהיא עוברת לשלבי הייצור של שבב בדיקה הכולל מעבד Cortex-M0 של ARM, אשר מיוצר בגיאומטריה של 14 ננומטר באמצעות תהליך FinFET של חברת IBM. השבב והמערכת התומכת בו מהווים ציון דרך משמעותי בהסכם הרב-שנתי שנחתם בין ARM, קיידנס ו-IBM, במטרה לפתח מערכות על-גבי שבב (SoCs) בטכנולוגיית ה-14 ננומטר ומעבר לה. החברה מסרה שרכיבי ה-SoCs החדשים יספקו הפחתה משמעותית בצריכת ההספק.

פיתוח השבב נועד לאמת את אבני הבניין של foundation IP עבור תכנוני 14 ננומטר. בנוסף למעבד של ARM, כלולים בו גם בלוקי זיכרון SRAM ובלוקים נוספים המספקים את נתוני האפיון הנחוצים לפיתוח foundation IP עבור IP פיזי של ארכיטקטורת ARM Artisan בטכנולוגיית FinFET. טכנולוגיה זו דומה במהותה לטכנולוגיית Tri-Gate של אינטל, ומאפשרת לשפר את ביצועי הטרנזיסטור באמצעות שינוי התצורה של השער (Gate).

חברת קיידנס נחשבת לאחת מהחברות המובילות בתחום ה-EDA-Electronic Design Automation, והכנסותיה בשנת 2011 הסתכמו ב-1.15 מיליארד דולר. היא מפעילה בישראל מרכז פיתוח המעסיק כ-120 עובדים ומבוסס על התשתית של חברת Verisity שאותה היא רכשה ב-2005.

פורסם בקטגוריות: Test & Measurments , חדשות , סמיקונדקטורס , תוכנה ותכנון אלקטרוני