סמסונג החלה בייצור המוני של שבבים בתהליכי 7 ננומטר ו-6 ננומטר

24 פברואר, 2020

בשלב הראשון מייצר מפעל V1 שבבי מובייל עבור חברות אחרות בתהליך של 7 ננומטר. סמסונג פיתחה ליתוגרפיית EUV המאפשרת למפעל החדש לייצר שבבי 5 ננומטר, ובעתיד לייצר גם שבבים בתהליך של 3 ננומטר

חטיבת שירותי הייצור של סמסונג, Samsung Foundry, החלה בייצור המוני במתקן הייצור החדש בעיר וואסונג בקוריאה. המתקן החדש בשם V1, הוא המפעל הראשון של סמסנוג המייצר שבבים בליתוגרפיית אור סגול (Extreme Ultraviolet – EUV) ומיועד לייצור שבבים בגיאומטריה של 7 ננומטר, 6 ננומטר ואפילו פחות מכך. עבודות ההקמה של המפעל הסתיימו בפברואר 2018 והייצור הנסיוני החל רק במחצית השנייה של 2019. החברה דיווחה שהשבבים הראשונים יימסרו ללקוחות ברבעון הראשון של 2020.

בשלב הראשון המפעל מייצר שבבים לטלפונים ניידים בגיאומטריה של 6/7 ננומטר, ובעתיד הוא ייצר שבבים בטכנולוגיה של 3 ננומטר. החברה לא מסרה מי הן הלקוחות הראשונים, אולם בשנת 2018 היא חתמה על הסכם עם קואלקום לייצור שבבי Snapdragon 5G במפעל החדש בטכנולוגיה של 7 ננומטר.

בסך הכל, עד סוף 2020 יסתכמו ההשקעות של סמסנוג בהקמת המפעל בכ-6 מיליארד דולר. בעקבות כניסת המפעל לייצור, כולל תשתית הייצור של סמסנוג 6 מפעלים הפועלים בקוריאה ובארצות הברית, בהם מפעל אחד המייצר שבבים בפרוסות סיליקון בקוטר של 200 מ"מ, וחמישה מפעלים המייצרים בפרוסות סיליקון בקוטר של  300 מ"מ.

טכנולוגיית EUV של סמסנוג

כאשר מייצרים שבבים, הם נבנים במתכונת של שכבה על-גבי שכבה. במהלך הייצור של כל שכבה, פרוסת הסיליקון מצופה בחומר רגיש לאור. בשלב הבא מאירים אזורים מוגדרים על גבי השכבה באמצעות מכשיר לייזר (scanner) או באמצעות אור המועבר דרך מסיכה בתהליך הקרוי פוטוליתוגרפיה. באמצעות תהליכים כימיים מסירים את האזורים המוארים ומייצרים על-ידי כך מבנה של טרנזסיטורים, שכבה אחר שכבה.

בטכנולוגיית EUV, מכשיר הלייזר הסורק מאפשר לייצר קווי חומר דקים מאוד באמצעות שימוש באורכי גל של אור אולטרא-סגול קיצוני, עד 13.5 ננומטר. בחודש אפריל 2019 דיווחה סמסנוג שהיא השלימה את הפיתוח של תהליך EUV המאפשר לייצר שבבים הבנויים מטרנזיסטורי FinFET בגיאומטריה של 5 ננומטר.

בהשוואה לטכנולוגיית 7 ננומטר הנוכחית, שטח הרכיבים החדשים קטן ב-25%, הביצועים שלהם טובים ב-10% וצריכת ההספק שלהם נמוכה בכ-20%. החברה דיווחה שניתן לבצע את המעבר מ-7 ננומטר ל-5 ננומטר בלא צורך לבצע שינויים בתכנון המעגל.

Share via Whatsapp

פורסם בקטגוריות: חדשות , ייצור וקבלנות משנה , סמיקונדקטורס

פורסם בתגיות: ליתוגרפיית EUV , סמסונג , שבבים