סמסונג פיתחה תהליך לייצור רכיבי RF בגיאומטריה של 8 ננומטר

9 יוני, 2021

הכריזה על השקעה של 150 מיליארד דולר בתשתיות ייצור ומו"פ. פיתחה טכנולוגיה המאפשרת לייצר רכיבי אותות מעורבים - אנלוגיים, דיגיטליים ו-RF - בתהליך RFextremeFET המקטין את שטח הסיליקון בכ-35%

בתמונה למעלה: בניית מפעל הייצור של סמסונג בעיר פיונגטיק. מקור: סמסונג

חברת סמסונג (Samsung Electronics) יוזמת מהלך רחב היקף שנועד לסייע לה במאבק מול חברת TSMC הטאיוואנית. לפני שבועיים היא הודיעה שתגדיל את היקף ההשקעות שלה בפיתוח טכנולוגיות ייצור שבבים חדשות בסכום כולל של כ-150 מיליארד דולר עד לשנת 2030. בכך היא הכפילה ביותר מפי ארבעה את היקף ההתחייבות להשקעה שעליה הכריזה בחודש אפריל 2019. ההשקעה העיקרית תתבצע בתחום שירותי הייצור שסמסונג מספקת לחברות אחרות (Foundry Business), ושבו חברת TSMC הטאיוואנית היא המתחרה המרכזית שלה.

בימים אלה היא נמצאת בתהליכי הקמה של מפעל לייצור שבבים בעיר פיונגטיק בקוריאה, אשר ייצר זיכרונות DRAM בתהליך ייצור של 14 ננומטר, עבור המוצרים של סמסונג, ורכיבים לוגיים בתהליך ייצור של 5 ננומטר עבור סמסונג ועבור לקוחות של קבוצת ה-Foundry. עבודות ההקמה מתוכננות להסתיים במחצית השנייה של 2022. במקביל, היא הודיעה על פריצת דרך בתחום המיזעור של רכיבי תקשורת. החברה פיתחה טכנולוגיה לייצור רכיבי RF בתהליך של 8 ננומטר עבור מערכות תקשורת מהדור החמישי (5G).

עדיין לא ברור מה כוללת ארכיטקטורת RFextremeFET

התהליך החדש יאפשר לייצר פתרונות תקשורת מלאים בשבב יחיד, הכוללים גם מעגלי תקשורת מרובי ערוצים וגם ריבוי אנטנות. הטכנולוגיה מיועדת לשימוש במערכות תקשורת בטווח רחב של תדרים, החל מתדרי sub-6GHz וכלה בתדרי מיקרוגל (mmWave). סמסונג הגדירה את שוק התקשורת האלחוטית כשוק יעד מרכזי ובעבר פיתחה עבורו תהליכי ייצור ייעודיים ב-28 ננומטר וב-14 ננומטר. החברה מסרה שמאז שנת 2017 היא סיפקה יותר מ-500 מיליון רכיבי תקשורת אלחוטיים.

בניגוד למעגלים לוגיים וזיכרונות אשר מובילים את תהליך המיזעור בייצור שבבים, בתחום המעגלים האנלוגיים ומעגלי ה-RF היצרנים מתקשים למזער את תהליכי הייצור, עקב הופעת תופעות פרזיטיות כמו למשל עלייה בהתנגדות החשמלית של מוליכים דקים מאוד. כתוצאה מכך, רכיבי תקשורת רבים מתמודדים עם ביצועי RF נמוכים מהנדרש. כדי להתמודד עם הבעיה הזאת פיתחה סמסונג את ארכיטקטורת RFextremeFET, שהסימן המסחרי שלה הוא RFeFET.

החברה לא מסרה מידע על הטכנולוגיה, אולם מתוך השם שלה ניתן להניח שהיא מבוססת על שימוש בחומר פרואלקטרי (Ferroelectric) אשר ממוקם בתוך הצומת של טרנזיסטור FET. להערכת סמסונג, התהליך החדש משפר את צריכת ההספק של הרכיבים ב-35% ומקטין את שטח הסיליקון של המעגל בכ-35%.

Share via Whatsapp

פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס

פורסם בתגיות: סמיקונדקטורס , סמסונג , שבבים