סמסונג תייצר המודם 5G של קואלקום ב-7 ננומטר

25 פברואר, 2018

שבב ה-Snapdragon של קואלקום לדור החמישי ייוצר בטכנולוגיית EUV. שתי החברות כבר ביצעו ניסוי מוצלח ביישום תקשורת 5G. סמסונג הודיעה שהטכנולוגיה תאפשר להגיע בעתיד ל-4 ננומטר

[בתמונה: המפעל החדש של סמסונג לייצור שבבי 7 ננומטר]

החברות קואלקום (Qualcomm) וסמסונג (Samsung) מרחיבות את שיתוף הפעולה ביניהן אל הדור הבא של התקשורת הסלולרית ומזעור השבבים. שתי החברות המשתפות פעולה כבר למעלה מעשור, הודיעו כי שבבי Snapdragon החדשים של קואלקום אשר יתמכו בתקשורת סלולרית מהדור החמישי (5G), ייוצרו באופן המוני באמצעות שירותי הייצור (Foundry) של חברת סמסונג. השבבים של קואלקום ייוצרו בתהליך של 7 ננומטר שסמסונג השיקה לאחרונה, תוך שימוש בטכנולוגיה של ליטוגרפיה המבוססת על קרינת אולטרה-סגול קיצוני (EUV), המאפשרת למזער את גודל הצומת (node) של הטרנזיסטור ל-7 ננומטר וכך לדחוס יותר טרנזיסטורים על גבי פרוסת סיליקון. מזעור שבבי ה-5G של קואלקום ל-7 ננומטר יאפשר ליצרניות סמארטפונים להשתמש בשטח הפנוי כדי להוסיף יישומים חדשים או להגדיל את הסוללה, או לחילופין לפתח דגמים דקים וקטנים יותר.

הדור החמישי כבר כאן

בתוך כך, בשבוע שעבר הודיעה קואלקום כי השלימה ניסוי מוצל שבוצע בשיתוף סמסונג וחברת הטלקום הדרום קוריאנית SK, אשר בדק את היישום בפועל של תקשורת סלולרית 5G בין מספר ספקיות תקשורת. על-פי ההצהרה של קואלקום, במבדקים נעשה שימוש ברוחב פס בתדרים של 3.5 ג'יגה-הרץ ו-28 ג'יגה הרץ בהתאם לתקן הגלובלי לתקשורת 5G שקבע ארגון 3GPP. במבדקים שנערכו נמדדו מהירויות של מספר ג'יגה-בייט לשנייה בצד ההורדה וזמן שיהוי (Latency) של 1 מילי שניה בלבד.

בחודש דצמבר הודיע ארגון 3GPP, שתפקידו לקבוע תקינה גלובלית לתקשורת סלולרית ובו שותפות חברות טלקום ויצרניות שבבי תקשורת בינלאומיות, כי סיים לגבש את המאפיינים שיהוו את הסטנדרט העולמי עבור רשת ה-5G. התקינה החדשה למעשה מאפשרת לחברות סלולר להתחיל בפרישה רחבה של טכנולוגיית דור חמישי, שתחליף את טכנולוגיית ה-4G LTE. לפי ההערכות, כבר בתחילת 2019 יתחילו ספקיות התקשורת המובילות להציע שירותי דור חמישי נרחבים.

תקשורת הדור החמישי תציע למשתמשים מהירויות תקשורת של עד 5 ג'יגה-ביט לשנייה, בהשוואה למהירות ממוצעת של 150 מגה-ביט לשנייה עד 300 מגה-ביט לשנייה במערכות הדור הרביעי. קפיצת המדרגה הזו תאפשר תמיכה בתכנים שמחייבים העברת נפחי מידע גדולים בקצב מהיר כמו צפייה בווידאו ב-4K, תכני מציאות מדומה ומציאות מוגברת, משחקים ויישומים למוצרי IoT ויישומי תקשורת למערכות ראיית מכונה בכלי-רכב אוטונומיים.

המירוץ למזעור השבבים

מדובר בהישג עצום של סמסונג, אשר רק היא ורק חברת TSMC הטאיוואנית מציעות יכולת יציור המוני של שבבים בתהליך של 7 ננומטר. המתחרה העיקרית שלה, חברת אינטל, טרם הצליחה לבצע את קפיצת המדרגה הזו ועדיין מייצרת את השבבים למעבדים שלה בתהליך של 10 ננומטר בטכנולוגיית FinFET.

למרות ההערכות שונות בתעשייה כי קצב מזעור השבבים כבר אינו יכול לעמוד בחוק מור אשר מעריך שבכל 18-24 חודשים תוכפל צפיפות הטרנזיסטורים במעגל משולב באותה עלות, השימוש בטכנולוגיית EUV עשוי לשמר לזמן מה את המשך תהליך מיזעור השבבים. סמסונג הודיעה שליטוגרפיית EUV מאפשרת לשפר ב-40% את ניצול שטח המעגל ובה בעת להפחית את צריכת האנרגיה בשיעור של עד 55% בהשוואה לשבבי FinFET בתהליך של 10 ננומטר.

מוקדם יותר החודש חנכה סמסונג בעיר ווהסיאונג  (Hwaseong) שבדרום קוריאה מפעל חדש בהשקעה של 5.5 מיליארד דולר, לייצור המוני של שבבים בטכנולוגיית EUV. ההשקעה האדירה של סמסונג בטכנולוגיה החדשנית נועדה לסייע לחברה להקדים את מתחרותיה כמו GlobalFoundries ו-UME ולהגדיל את פעילות ה-Foundry שלה. סמסונג מחזיקה כעת בנתח של 7% בלבד משוק קבלנות הייצור העולמי, בעוד TSMC, שמתכננת גם כן להציע השנה יכולות ייצור המוני בתהליך 7 ננומטר, חולשת על 55% מהשוק. סמסונג צופה כי טכנולוגיית EUV תאפשר לה להשיק תהליכים מתקדמים יותר של 6 ננומטר, 5 ננומטר ו-4 ננומטר עד 2020.

פורסם בקטגוריות: טאבלט וסמארטפון , ייצור וקבלנות משנה , תקשורת אלחוטית