וויביט ננו הוכיחה יכולת לייצר רכיבי זיכרון עצמאיים בטכנולוגיית ReRAM

29 יוני, 2021

השלימה אינטגרציה של רכיב הקרוי סלקטור, המאפשר לדחוס יותר תאי זיכרון לכל פרוסת סיליקון ולייצר זיכרונות ReRAM תלת-מימדייים. "זו הפעם הראשונה שמצליחים לעשות זאת". הזיכרון מיועד להחליף את הפלאש

בתמונה למעלה: מרכיב הסלקטור (OTS cell) בתא זיכרון ReRAM

חברת וויביט ננו (Weebit Nano) מהוד השרון השלימה בהצלחה אינטגרציה של רכיב קריטי הקרוי Selector, שתפקידו למנוע זליגת מידע בין תאי זיכרון שונים, בתוך יחידות זיכרון ה-ReRAM שהיא מפתחת. להערכת החברה, זו הפעם הראשונה בתעשיית השבבים שבה מבוצעת אינטגרציה מהסוג זה. המהלך הזה יאפשר לה לבצע פיתוח של שבב זיכרון עצמאי מבוסס ReRAM, בנוסף למכירת רישיונות תכנון ליצרנים אחרים.

מדובר בהכרזה משמעותית מאוד מבחינת שוקי היעד הפוטנציאליים של החברה. עד כה התמקדה החברה בפיתוח זיכרון ReRAM בלתי נדיף לעולם המערכות המשובצות. הצלחת השילוב של Selector פותחת בפניה מגזר חדש בתעשיית הזיכרונות: רכיבי זיכרון דיסקרטיים (discrete), כלומר רכיב עצמאי שיכול לשמש כפתרון אחסון חלופי לשימוש בכונני SSD או USB. אם תשלים החברה את הפיתוח בהצלחה, הזיכרון יוכל לשמש כחלופה לזיכרון פלאש (flash), המשמש כיום כזיכרון הדומיננטי לאחסון ארוך טווח של מידע.

תהליך הפיתוח התבצע במכון המחקר הצרפתי Leti, שבו מקיימת וויביט ננו את פעילות המו"פ שלה. פיתוח הסלקטור החל בתחילת 2020. חברת וויביט ננו מפתחת זיכרון התנגדותי מסוג חדש בטכנולוגיית Resistive Random Access Memory – ReRAM, אשר משלב בין היתרונות של זיכרונות בלתי נדיפים (פלאש) ושל זיכרונות נדיפים (DRAM): הוא בלתי נדיף, מהיר, פועל בהספק נמוך ובעל מחזור חיים ארוך. להערכת החברה, אב-הטיפוס שלה מהיר פי 1,000 מזיכרון פלאש ופועל בהספק נמוך ממנו פי 1,000.

ReRAM בזיכרונות תלת-מימדיים

אחד מהאתגרים בפיתוח זיכרון עצמאי קשור לרכיב הסלקטור. הסלקטור אחראי על ניתוק את כל התאים בזיכרון מלבד התאים הספציפיים הנדרשים לקריאה או לכתיבה, כדי למנוע זליגת זרמים והשראות אשר עשויים לשבש את פעולת הקריאה/כתיבה. האינטגרציה שביצעה וויביט ננו מאפשרת לייצר רכיבי זיכרון בטכנולוגיה תלת-מימדית (3d stacking) ועל-ידי כך לדחוס יותר נפח מידע בכל פיסת סיליקון, כפי שנהוג כיום בעולם הפלאש. בשיחה עם Techtime, הסביר סמנכ"ל הפיתוח העסקי של החברה, ערן ברימן, שזוהי יכולת קריטית בעולם הזיכרונות הדיסקטיים, שבו העלות היא גורם מכריע בשיקולים של הלקוחות.

"המחיר הוא אחד ההיבטים החשובים ביותר ליצרניות הזיכרונות. המחיר נגזר באופן ישיר מהטכנולוגיה עצמה. ככל שאתה מצליח לדחוס יותר זיכרון לאותה פרוסה, כך העלות לכל שטח זיכרון יורדת. הסלקטור מאפשר לנו למזער את תאי הזיכרון ולהציב מערכי זיכרון במארזים תלת-מימדיים. כעת, האתגר שלנו הוא לבנות מערכי זיכרון כדי להראות שהטכנולוגיה סקאלבילית ולבצע את ההתאמה לקו הייצור". להערכת חברת המחקר Markets&Markets שוק הזיכרונות הבלתי נדיפים והזיכרונות הדיסקרטיים צפוי להגיע להיקף של 82 מיליארד דולר ב-2022.

פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס

פורסם בתגיות: ReRam , Weebit Nano , ערן ברימן