חברת Kioxia היפנית (לשעבר Toshiba Memory) השלימה את רכישת חברת Solid State Storage Technology, שהיא חטיבת כונני ה-SSD של חברת LITE-ON Technology הטאיוואנית. העיסקה היתה אמורה להסתיים בחודש מרץ 2020, אולם עקב מגיפת הקורונה נאלצו שתי החברות לעצור את פעילויות העברת העובדים והמתקנים, ולכן העיסקה הושלמה רק השבוע. העיסקה, בהיקף של כ-160 מיליון דולר, נועדה לחזק את מעמדה של החברה כספקית כונני זכרון למרכזי נתונים ולתשתיות ענן.
החברה הטאיוואנית הוקמה בשנת 2009 ומתמקדת בייצור כונני איחסון עבור מרכזי נתונים, תשתיות ענן ומרכזי מחשוב ארגוניים. מדובר במהלך נוסף בסדרה של פעולות שנועדו להחזיר את יצרנית זכרונות הפלאש היפנית אל מסלול הצמיחה. בשנת 2018 נפרדה טושיבה מקבוצת הזכרונות שלה, ובאוקטובר 2019 היא החליפה את המותג מטושיבה זכרונות ל-Kioxia, המורכב מהמילה היפנית kioku שמשמעה זכרון, ומהמילה היוונית axia שמשמעותה הוא "ערך".
קיוקסיה מחפשת אסטרטגיית צמיחה
החברה מתמודדת עם ירידה גדולה במכירות: בשנת 2019 הסתכמו מכירותיה בכ-9.2 מיליארד דולר, בהשוואה למכירות בהיקף של כ-11.7 מיליארד דולר בשנת 2018. כדי לחדש את הצמיחה, היא מינתה השבוע את נשיא ומנכ"ל אפלייד מטיריאלס לשעבר, מייק ספלינטר, לדירקטור שתפקידו לקדם את צמיחת החברה. ספלינטר הוא אחד מהמנהלים הוותיקים והמצליחים בתעשיית השבבים העולמית. הוא החל את דרכו בשנות ה-70 כמנהל מפעל ייצור השבבים רוקוול, לאחר מכן שימש במשך כ-20 שנה בתפקידי סגן נשיא תפעולי בחברת אינטל העולמית, ובשנים 2003-2013 ניהל את חברת אפלייד מטיריאלס. כיום הוא משמש דירקטור בחברת TSMC ויו"ר חברת NASDAQ, שהיא הבורסה הטכנולוגית החשובה ביותר בעולם.
זכרון פלאש תלת-מימדי בעל 112 שכבות
במקביל, היא חשפה טכנולוגיית זיכרון חדשה, והחלה לספק השבוע דוגמאות הנדסיות ללקוחות פוטנציאליים של כונן ה-SSD החדש בפורמט E3.S המיועד למרכזי מחשוב גדולים. הכונן מבוסס על משפחת כונני CM6 של החברה ומופיע בגודל של "2.5. הוא כולל רכיבי זכרון מסוג BiCS FLASH 3D TLC, ומיועד לפעול במערכות המבוססות על תקן ערוץ התקשורת החדש, PCIe 5.0. הכונן מבוסס על טכנולוגיה חדשה שהחברה חשפה בחודש ינואר השנה.
מדובר בדור החמישי של שבבי זכרון פלאש בלתי נדיפים (NVME) של החברה. היא כוללת איחסון של 3 ביטים בכל תא זיכרון, ומיוצרת בתצורה תלת-מימדית המעמידה תאי זכרון אחד על-גבי השני במתכונת מגדל, בתהליך הכולל 112 שכבות ייצור סיליקון נפרדות. בשלב הראשון החברה מתכננת לספק את הרכיבים ברמת נפח זכרון של 512Gbit, ובהמשך לשדרג אותם לנפח זכרון של 128Gbit ו-1.33Terabit בתהליך ייצור עתידי הכולל שמירת מידע של 4 ביטים בתא זכרון יחיד.