סמסונג החלה לייצר שבבי 3 ננומטר

3 יולי, 2022

התהליך משמש לייצור טרנזיסטורי MBCFET, שהיא הגרסה של סמסונג לארכיטקטורת הצומת הצפה GAA. בשלב הראשון החברה מייעדת את התהליך לייצור מעבדים ליישומים נייחים, ובהמשך ליישומים ניידים וסמארטפונים

חברת סמסונג (Samsung Electronics) הכריזה על תחילת הייצור של טרנסיסטורים בגאומטריה של 3 ננומטר. התהליך הראשון הוא של טרנזיסטורים מסוג Multi-Bridge-Channel FET – MBCFET, שהם הגרסה של סמסונג לטרנזיסטורים הבנויים בארכיטקטורת "צומת צפה" (Gate-All-Around – GAA), שבה השער המבקר את פעולת הטרנזיסטור מקיף את הצומת מכל הכיוונים. להערכת סמסונג, סטנזיסטורי MBCFET מספקים ביצועים טובים יותר מאשר טרנזיסטורי FinFET, המשמשים כיום לייצור רוב הרכיבים הגדולים בתהליכים המתקדמים.

בשלב הראשון החברה מייעדת את התהליך לייצור מעבדים ליישומים נייחים, ובהמשך ליישומים ניידים וסמארטפונים. טכנולוגיית MBCFET של סמסונג כוללת שימוש בלוחות זעירים (nanosheets) שבהם המוליכים החשמליים רחבים יותר מאשר ב-nanowires המקובלים ברוב טכנולוגיות ה-GAA הקיימות בשוק. לדברי החברה, הטכנולוגיה מאפשרת להתאים את רוחב המוליכים לצרכים של היישום הספציפי. החברה הסבירה שרכיבי 3 ננומטר מהדור הראשון מספקים חסכון של 45% בצריכת ההספק, הפחתה של 16% בשטח הסיליקון ושיפור כולל של ב-23% בביצועים, בהשוואה לשבבים שיוצרו בגאומטריה של 5 ננומטר. שבבי הדור השני יספקו חסכון של יותר מ50% בהספק, שיפור של 30% בביצועים וחסכון של 35$ בשטח הסיליקון – בהשוואה לרכיבי 5 ננומטר.

במקביל להכרזה, הודיעה סמסונג שברבעון השליש של 2021 היא ייסדה קבוצת תמיכה בלקוחות בשם Samsung Advanced Foundry Ecosystem – SAFE, אשר מסייעת לה לספק כלי תכנון ובדיקה המותאמים לתהליך החדש, במטרה לסייע ללקוחות שירותי הייצור (foundry) לתכנן שבבים לייצור בתהליך. הקבוצה הזאת כוללת את קיידנס, סינופסיס, Ansys וסימנס.

פורסם בקטגוריות: חדשות , סמיקונדקטורס

פורסם בתגיות: 3 ננומטר , סמיקונדקטורס , סמסונג , שבבים