MICROELECTRONIS

NXP תקיים כנס טכנולוגיה שנתי ראשון בישראל

פורסם בתאריך ע"י Techtime

אירוע NXP Technology Day יתקיים ביום ג', ה-22 במרץ 2016, במלון דן פנורמה בתל-אביב. במהלכו ייחשפו הפתרונות החדשים של NXP, יוצגו שיתופי פעולה עם התעשייה הישראלית וישתתפו מנהלים בכירים מ-NXP העולמית

SEMICONDUCTOR-NXP

יצרנית השבבים העולמית NXP תקיים לראשונה בתולדותיה אירוע טכנולוגי רחב-היקף עבור קהיליית ההייטק הישראלית. האירוע ייערך תחת השם NXP Technology Day, יתקיים ביום ג', ה-22 במרץ 2016, במלון דן פנורמה בתל-אביב. בארוע ישתתפו כ-500 לקוחות, שותפים עסקיים ומפתחים. זו הפעם הראשונה ש-NXP ההולנדית תקיים אירוע מסוג זה בארץ, ובו היא ממשיכה את המסורת שייסדה פריסקייל העולמית, שקיימה בארץ שנים רבות את הארוע השנתי DWF – Design with Freescale.

אירוע NXP Technology Day מיועד לסייע למהנדסים להאיץ את הפיתוח של מוצרים חדשניים, תוך שימוש בטכנולוגיות המתקדמות והעדכניות ביותר של NXP, ולתת השראה לרעיונות פיתוח חדשים. האירוע יכלול מגוון מסלולים מקצועיים שיציגו את פתרונות NXP עבור השוק העולמי בכלל ועבור השוק הישראלי בפרט. המסלולים כוללים מבחר גדול של הרצאות טכנולוגיות והפעלות Demo, בדגש על יישומי IoT (אינטרנט של הדברים), וחשיפה של שיתופי פעולה מעניינים עם חברות ישראליות.

בחודש דצמבר 2015 הודיעו החברות NXP ו-Freescale על השלמת המיזוג ביניהן, כאשר הישות החדשה תחת השם NXP הפכה לענקית שבבים המדורגת רביעית בגודלה בתעשיית הסמיקונדוקטור העולמית. היא מעסיקה 45,000 עובדים, מהם 11,000 מהנדסים, מספקת 550 משפחות מוצרים, ומחזיקה ביותר מ-900 משפחות של פטנטים.

לדברי שמואל ברקן, מנכ"ל משותף ב-NXP ישראל, חברת NXP הינה כיום החברה מספר 1 בתעשיית המוליכים למחצה לתחום הרכב ובתחום ה-RF והחברה, "שיש לה טכנולוגיות רלוונטיות ל-IoT יותר מכל חברה אחרת בעולם". ברקן יארח במסגרת האירוע מנהלים בכירים מ-NXP העולמית שיגיעו לישראל.

למידע נוסף והרשמה: NXP Technology Day

NXP-TECHNOLOGY-DAY

זריקת עידוד לחוק מור: טרנזיסטור אופטי מסוג חדש

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חוקרים מאוניברסיטת נורת' קרוליינה הציגו סוג חדש של טרנזיסטור בשם light-effect transistor, שיכול להחליף את טרנזיסטורי FET ולהאיץ את תהליך מיזעור השבבים

טרנזיסטור FET סטנדרטי (מימין) וטרנזיסטור LET החדש
טרנזיסטור FET סטנדרטי (מימין) וטרנזיסטור LET החדש

בימים שבהם התעשייה מתחילה להתרגל לרעיון שייתכן כי חוק מור הגיע לסוף דרכו, החוקרים באקדמיה לא מוותרים על הרעיון שניתן להמשיך לייעל ולמזער את המעגלים האלקטרוניים. צוות חוקרים בראשות פרופ' ג'ייסון מארמון מהתוכנית לננו-טכנולוגיה באוניברסיטת צפון קרוליינה בארצות הברית, חשף מבנה של טקנזיסטור מסוג חדש לחלוטין, שבו הצומת מבוקר על-ידי אור ולא על-ידי מתח, כמו בטרנזיסטורי MOSFET הנמצאים כיום בשימוש נרחב בתעשייה.

הרכיב החדש נקרא light-effect transistor ומבוסס על שימוש בננו-צינוריות המורכבות מקדמיום סלניום (CdSe), שהוא גביש מסוג N-Type שניתן להשיג אותו בקלות בתצורה של ננו-צינוריות (Nanowires). צינוריות אלו משמשות לבניית הצומת המרכזית ברכיב. הארת הצומת באור כחול או ירוק, גורמת לצומת לעבור ממצב של מבוסס חשמלי למצב של מוליף חשמלי, ועל-ידי כך לבצע פעולת מיתוג (מעבר ממצב Off למצב On, ולהיפך).

עקרונית, אפשר לומר שהטרנזיסטור פועל כמו רכיב פוטו-אלקטרי קלאסי, עם הבדל מרכזי: התופעה הפוטו אלקטרית הרגילה מתרחשת רק קרוב מאוד לפני השטח ולכן היא בעלת הספק נמוך. בטרנזיסטורי LET החדשים כל הצומת מגיב לאור, ניתן לייצר באמצעותם מתג אמין וברמת ביצועים של טרנזיסטור FET תעשייתי.

מאפייני ההתנהגות של הטרנזיסטור החדש
מאפייני ההתנהגות של הטרנזיסטור החדש

החוקרים מסבירים שהטכנולוגיה החדשה קלה יותר למיזעור מאשר הטכנולוגיה של טרנזיסטורי FET המוכרים לתעשייה. הסיבה נעוצה בכך שהטרנזיסטור הקלאסי מבוסס על החדרת חומרים נוספים אל תוך הגביש (אילוח, או Doping). כאשר מייצרים טרנזיסטורים בעלי רוחב צומת של ננומטרים בודדים, קשה מאוד לשלוט ברמת האילוח ולייצר רכיבים זהים. זו אחת מהסיבות שהתעשייה עוברת לייצור המבנים תלת-מימדיים קשים לייצור, כמו FinFET, למשל, אשר מגדילים את השטח האפקטיבי של כל צומת.

יכולת העברת המטענים של טרנזיסטורי LET נובעת ממאפייני החומר עצמו, ולכן קל יותר לקבל ביצועים של טרנזיסטור קטן מאוד, בלא צורך לאמץ תהליכי ייצור מורכבים או מבנים תלת מימדיים. מארמון העריך שכושר העברת הזרם של צומת LET גדולה פי מיליון מזו של צומת FET בממתח קדמי של 1.5V.

לשיטה החדשה יכולות להיות השפעות מרחיקות לכת: סיבה אחת היא שהטרנזיסטורים נשלטים על-ידי אור ולא מתח, ויש צורך לבצע שילוב הדוק מאוד של אוטיקה בתוך הסיליקון. סיבה אחרת היא אופטית: שילוב של מספר מקורות אור המאירים את השער (Gate) בצבעים שונים, יכול לגרום לטרנזיסטור להתנהג כמו רכיב וגי בסיסי מסוג AND או OR.

במאמר שהתפרסם בסוף ינואר 2016 באתר המאמרים בפיסיקה arXiv.org, מסבירים החוקרים שהרכיב החדש חסכוני מאוד בהספק, בין השאר מכיוון שהוא מתנהג כדיודה יעילה ויש בו מעט מאוד זרמי ממתח אחורי בהשוואה לטרנזיסטורי FET. מכיוון שהתנהגותו מושפעת משינויים בתדרי האור, ומקימו של שדה אלקטרומגנטי המשפיע על האור המגיע אליו, ניתן לפתח באמצעות רכיבים מסוג חדש לגמרי.

בשורה התחתונה, ככל הנראה שחוק מור עדיין לא הרים ידיים…

מנכ"ל IMEC: "אנחנו מחפשים שיתוף פעולה עם תעשיית השבבים הישראלית"

פורסם בתאריך ע"י Techtime

בחודש הבא יקיים IMEC את הכנס הראשון שלו בישראל. נשיא ומנכ"ל מכון המחקר החשוב ביותר בתעשיית השבבים העולמית, לוק ואן דר הוב, הסביר ל-Techtime איך שומרים על הרלוונטיות של חוק מור, ומדוע ישראל כל-כך חשובה לתעשייה

IMEC-CEO

לקראת הכנס הראשון בישראל של IMEC שיתקיים בחודש הבא בתל-אביב, שוחח Techtime עם נשיא ומנכ"ל מכון המחקר החשוב ביותר בתעשיית השבבים, לוק ואן דר הוב, על ציפיותיו מישראל ועל עתיד התעשייה בתקופה שבה נראה שחוק מור מתחיל לאבד מתוקפו.

האם אתה רואה תהליך ייצור חדש שיחליף את רכיבי הסיליקון מהדור הקיים?

ואן דר הוב: "כדי להתמודד עם דרישות המחיר, הביצועים וההספק שבאות ביחד עם האינטרנט של הדברים, יש צורך בפיתוח ארכיטקטורות, חומרים ותהליכים חדשים, מעבר לצומת הסיליקון המוכרת כיום. למשל שילוב חומרים חדשים בתוך רכיבי CMOS כדי לשפר את הביצועים. טכנולוגיה כמו צומת כרוך סביב חוטים ננומטריים (Gate-All-Around Nanowire), לשם המחשה, מציעה יתרונות רבים בהתנהגות האלקטרוסטטית של הצומת.

"חקירה של צמתים בטרנזיסטורי FinFET המשיגים אפקט quantum-well (צומת שבו נלכד מטען הטרנזיסטור ולכן כמות המטען בו היא דיסקרטית) בחומרים דוגמת SiGe או Ge, היא מעניינת מאוד מכיוון שהם יכולים לספק תנועת אלקטרונים מהירה יותר וביצועים משופרים".

מעבדת פיתוח ב-IMEC. מכון המחקר המצוייד ביותר בעולם
מעבדת פיתוח ב-IMEC. מכון המחקר המצוייד ביותר בעולם

"מנגד, פיתוח טרנזיסטורי TunnelFETs למצב שבו תגובת ההיענות שלהם מהירה מ-60mV/dec, עשוי להתברר כמענה מתאים ליישומים חסכוניים מאוד בהספק. בנפרד מהשאלה האם יהיו רכיבים חדשים מעבר לסיליקון, אפשר לשאול מה יהיו הרכיבים שמעבר ל-CMOS. כאן למשל מדברים על ספינטרוניקה (spintronics), אשר יכולה לדחוף את חוק מור לטווחים גדולים יותר מהמוכרים היום".

אתה חושב שהמאמץ העיקרי עובר כעת לפיתוח מארזים חדשים?

"חוק מור עוסק למעשה בגידול במורכבות של כל דור טכנולוגי. הגדלת המורכבות במרחב הדו-מימדי מגיעה כעת למגבלה הפיסיקלית שלה. בעתיד, המימד השלישי ייהפך ליותר ויותר חשוב – בתוך השבב וגם בקישוריות בין השבבים השונים. זה הופך את משימת הפיתוח של מארזים חדשים לבלתי נמנעת. שני העולמות הולכים ומתמזגים".

מה הן הציפיות שלך מהכנס שתקיימו בחודש הבא בתל-אביב?

IMEC-SILICON"כנס IMEC Technology Forum Israel יתמקד בהזדמנויות חדשות בתחומי האלקטרוניקה החכמה, כולל חיישנים ותקשורת עבור עולם האינטרנט של הדברים האינטואיטיבי, חדשנות בתחומי הננוטכנולוגיה למדעי החיים ודיאגנוסטיקה באמצעות אבזרים לבישים, חיישנים מיוחדים, אלקטרוניקה גמישה ותכנון ASIC.

"ישראל היא מקום חשוב עבורנו. יש בה סביבה יצירתית עם הרבה מאוד חברות, סטארט-אפים ויוזמות חדשות בתחום המערכות החכמות.

"אחת מהמטרות החשובות של הכנס היא לבדוק אפשרויות לשיתוף פעולה בין IMEC לבין תעשיית המערכות החדשניות בישראל. הכוונה העיקרית שלנו היא לבנות שיתופי פעולה בתחומי המחקר והפיתוח עם חברות ישראליות, ולהעמיד לרשותן את המומחיות שלנו".

כיצד IMEC פועל? מדוע בחרתם לעבוד במתכונת של חברה ללא כוונת רווח?

"כיום אנחנו משמשים כמעבדת הפיתוח הגדולה בעולם בתחומי הננו-אלקטרוניקה, ועובדים בשיתוף פעולה עם החברות הגדולות בעולם, מכוני המחקר והאוניברסיטאות המובילות. המטרה היא לחקור את התחומים שהתעשייה תתמודד עימם 3 עד 10 שנים קדימה.

"מאז שהמכון נוסד ב-1984 בפלנדריה (בלגיה), צמחנו לגוף מו"פ בעל הכנסות של 400 מיליון אירו בשנה, המעסיק כ-2,300 חוקרים ומארח כ-700 חוקרים מהתעשיות מדי שנה. אנחנו פועלים במתכונת של חברה ללא כוונת רווח, מכיוון שיש מרכיב חברתי חשוב בפעילות שלנו.

"היעד הוא להשפיע על כלכלת פלנדריה באמצעות יצירת מקורות תעסוקה ישירים ועקיפים, משיכת חברות לפעול באזור, שיתוף פעולה עם אוניברסיטאות מקומיות ותמיכה בהקמת חברות על בסיס ידע שנוצר במכון. לכן אנחנו מקבלים מימון רב ממשלת מדינת פלנדריה".

בקרמוס עברה למפעל חדש בפארק התעשייה קיסריה

פורסם בתאריך ע"י Techtime

בקרמוס מייצרת את שבבי הדוגמא הישראלים של אינטל ומארוול. השקיעה כ-7 מיליון שקל בהקמת חדר נקי ורכש ציוד חדש, ומתכננת להתרחב בשוק האירופי

BECKERMUS-MICRO

חברת בקרמוס טכנולוגיות (Beckermus) עברה בחודש האחרון למתקן חדש בפארק התעשייה הדרומי בקיסריה והתמקמה בשטח של 1,800 מ"ר. במסגרת הקמת קו הייצור החדש, בקרמוס בנתה חדר נקי חדש בהשקעה של כ-4.2 מיליון שקל. והשקיעה עוד כ-2.5 מיליון שקל ברכש מכונות חדשות.

עודד בקרמוס. מיקרוסקופ בכל תחנת עבודה
עודד בקרמוס. מיקרוסקופ בכל תחנת עבודה

בקרמוס היא חברה משפחתית מספקת שירותי קבלנות משנה בהרכבות מיקרו-אלקטרוניקה ומנוהלת על-ידי שני האחים אורן ועודד בקרמוס.

"המטרה היא לבנות קו ייצור שיוכל לספק שירותי ייצור במיקרו-אלקטרוניקה עבור השוק האירופי", הסביר עודד בקרמוס ל-Techtime. "יש לנו הזדמנות עיסקית מכיוון שהעבודה באירופה בתחום הזה היא מאוד יקרה, והאירופים לא שולחים עבודות מהסוג הזה לסין ולמזרח הרחוק".

התמחות ב-500 ננומטר

BECKERMUS-EXAMPLE
דוגמת הרכבה של החברה

חברת בקרמוס טכנולוגיות הוקמה בשנת 2001 ומתמחה בהרכבות מיקרו אלקטרוניקה החל מרמת הסיליקון. "יש לנו טכנולוגיות כמו Flip-chip שבהם כדורי הבדיל ממוקמים ישישרות על הסיליקון וטכנולוגיות Wire Bonding מכל הסוגים. המרכיב הדומיננטי בעמדת העבודה אצלנו הוא מיקרוסקופ. יכולת ההשמה שלנו מגיעה לרמה של 0.5 מיקרון (Die Attach), שהשוואה ל-25-30 מיקרון, המאפיינת את רכיבי ה-SMT הקטנים ביותר המצויים בשוק".

לקוחותיה כוללים קבלניות ייצור כמו פלקסטרוניקס או ניסטק, לצד חברות ביטחוניות, חברות מתחום התקשורת האלחוטית רחבת הפס, יצרניות שבבים, חברות מיכשור רפואי ועוד. התחום הרפואי נמצא בהתרחבות בשנים האחרונות, והחברה מבצעת עבודות הרכבה מיוחדות בשתלי רפואיים חכמים, אנדוסקופים רפואיים לבדיקה ויזואלית של איברים פנימיים ומוצרים דומים, הכוללים שילוב של מיקרו-אופטיקה עם מיקרו-אלקטרוניקה.

החברה מספקת שירותי ייצור מיוחדים לרוב קבלניות הייצור המובילות בישראל, אשר במקרים רבים מעבירים אליה כרטיסים אלקטרוניים שהם הרכיבו כדי שהיא תוסיף להם הרכבת Chip on Board. בטכניקה הזו מרכיבים את שבב הסיליקון ישירות על-גבי המעגל המודפס. החברה מבצעת את החיווט בין הכרטיס לבין המגעים בסיליקון, ולאחר מכן מכסה את השבב בדבק אפוקסי. אחד מהיתרונות של הטכניקה הזו היא שלא ניתן לחשוף את השבב כדי לבצע עליו הנדסה הפוכה (Reverse Engineering).

המבנה החדש של בקרמוס
המבנה החדש של בקרמוס

עודד: "עד לפני כחמש שנים ביצענו את רוב העבודות בעבודה ידנית, אולם החלטנו להרחיב את היקף הייצו, והקמנו קו ייצור אוטומטי, הכולל יכולות כמו חיתוך פרוסות סיליקון וזיווד בכל המארזים הדרושים. התשתית שבנינו מתאימה לספק מענה לייצור בהיקפי ביניים: מיחידות בודדות ועד כמה עשרות אלפי יחידות לכל מוצר.

"ההתמחות המיוחדת שלנו היא טיפול בפיסת הסיליקון עצמה (Die), כולל יכולת השמה של Die on Die. יש לנו למשל לקוח שפיתח רכיב RF הפועל בתדר של 60GHz. כדי לקבל מהרכיב את מירב הביצועים, יש צורך לספק לו מארז מיוחד ולא סטנדרטי. אנחנו עוזרים לחברות לפתור בעיות ומספקים להן שירותי ייעוץ וליווי טכנולוגי כדי לסייע בבחירת החומרים הנכונים, הדבקים המתאימים וטכנולוגיית המארז וההרכבה המתאימה למוצר".

רכיבי דוגמא של אינטל

כיום החברה מפעילה במפעל החדש חדר נקי ברמה של 10,000 חלקיקים, שבתוכו יש חדרים קטנים יותר ברמה של 1,000 ושל 100 חלקיקים. האחרונים משמשים בעיקר לעבודות זיווד של רכיבים אופטיים ורכיבי MEMS רגישים. "ברכיבי MEMS יש מירווחים של פחות מ-1 מיקרון, ולכן כל גרגר אבק יכול לנטרל אותם".

BECKERMUS-LINE

בתור קבלנית מיקרו-אלקטרוניקה ישראלית, יש לבקרמוס הזדמנות לעבוד עם החברות הגדולות ביותר בעולם המפעילות מרכזי פיתוח בישראל. כך למשל, היא מייצרת את המארזים לשבבי הדוגמא (Samples) המפותחים בישראל של אינטל, מארוול, אפל ומיקרוסופט. "מאוד נוח להם לעשות איתנו את האבטיפוס לבדיקה ואת הדוגמאות הראשונות הנשלחות ללקוחות. הם מקבלים את הרכיבים בתוך יומיים מרגע ההזמנה.

מדוע החלטתם לעבור למבנה חדש?

"החברה התרחבה ונזקקה למתקן ייצור גדול יותר. בנוסף, רצינו לבנות את קו הייצור בהתאם לתפיסה שפיתחנו לאורך השנים, המבוססת על עקרונות שונים המבטיחים ניקיון מקסימלי בחדרים. שיקול נוסף קשור לעתיד: אנחנו מעוניינים להגדיל את השוק האירופי שלנו, ולכן המתקן החדש כולל את כל התשתיות הדרושות להתרחבות ולהכנסת מכונות נוספות".