פלאש

וויביט ננו הדגימה ReRAM ב-28 ננומטר

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חברת וויביט ננו (Weebit Nano) דיווחה על התקדמות משמעותית נוספת במסחור זיכרון ה-ReRAM שהיא מפתחת. החברה הציגה לראשונה יכולת ייצור בגיאומטריית 28 ננומטר. אבות-הטיפוס הקודמים של החברה היו בגיאומטריות של 40 ו-130 ננומטר. כמו כן, החברה החלה לייצר את השבב שלה בפרוסות סיליקון של 300 ננומטר, המגדילים את פוטנציאל הרווחיות של הרכיבים.

מנכ"ל החברה, קובי חנוך, הסביר ל-Techtime שהמעבר לגיאומטריה של 28 ננומטר הינו משמעותי הן ברמה הטכנולוגית והן ברמה המסחרית ומעניק יתרון לרכיבי ReRAM כאלטרנטיבה לשימוש בזיכרון פלאש. חנוך: "לא ניתן לייצר זכרונות פלאש בגיאומטריה קטנה מ-40 ננומטר, ולכן במערכות-על-שבב בגיאומטריות קטנות יותר צריך לחבר את הפלאש כרכיב נפרד, ולהתגבר על בעיות הנדסיות הפוגעות בביצועים".

פרוסות הסיליקון שהודגמו, המפותחות בשיתוף מכון המחקר הצרפתי CEA-Leti, מיועדות למוצרי IoT ויישומי בינה מלאכותית, נהיגה אוטונומית ומערכות הדור החמישי. החברה הצליחה להדגים ביצועים התואמים לדרישות ייצור המוני בגאומטריית 28 ננומטר, המיועדות בעיקר למכשירים קטנים הדורשים צריכת הספק נמוכה ומאפשרים דחיסת תאי זיכרון ביחס של פי ארבעה בהשוואה לדורות הקודמים של החברה. "28 ננומטר הפכה לאחת הגיאומטריות הפופולאריות בשוק עבור יישומים משובצים מתקדמים".

בחודש שעבר הכריזה החברה על הסכם רישוי ראשון לאספקת טכנולוגיית ה-ReRAM שפיתחה ליצרנית השבבים האמריקאית SkyWater Technology. טכנולוגיית הזיכרון של וויביט תשולב בשבבים שמייצרת SkyWater ללקוחותיה המיועדים למוצרי IoT, מכוניות ויישומי בינה מלאכותית.

מהיר פי 1,000 מפלאש

חברת וויביט ננו פיתחה זיכרון מסוג חדש בשם ReRAM – Resistive Random Access Memory, המתבסס על שימוש בחומרים המשנים את התנגדותם החשמלית בתגובה למתח חשמלי, ועל-ידי כך "זוכרים" את רמת המתח גם לאחר ניתוקם ממקור הכוח. מדובר בזיכרון בלתי-נדיף דוגמת זיכרון פלאש, אשר פועל בהספק נמוך ובעל מחזור חיים ארוך כמו זיכרון DRAM. להערכת החברה, המוצר שלה חסכוני פי 1,000 ומהיר פי 1,000 מזיכרון פלאש, ומיועד בעיקר ליישומי IoT, בינה מלאכותית, מרכזי מידע ועוד.

פיתוח הטכנולוגיה מתבצע בשיתוף מכון המחקר הצרפתי Leti. בחודש יולי השנה הכריזה החברה על השלמת פיתוח שבב זיכרון ReRAM למערכות משובצות, המוטמע בתוך מודול המקשר בין תאי הזיכרון למערכת שבתוכה הוא משובץ.

למרות היותה חברת סטארט-אפ קטנה, הדירקטוריון של וויביט ננו מונה גלריה של דמויות בכירות מתעשיית השבבים המקומית והעולמית. בין היתר מכהנים בו אטיק ראזה, שכיהן בשנים 1996-1999 כנשיא ומנהל התפעול (COO) של AMD, דדי פרלמוטר לשעבר סגן נשיא באינטל העולמית, וד"ר יואב ניסן-כהן, ממייסדי טאואר סמיקונדקטור. 

האזינו לשיחה עם מנכ"ל וויביט ננו, קובי חנוך, בתוכנית הפודקאסט שלנו שעלתה באוקטובר 2019

Kioxia רוכשת יצרנית כונני SSD טאיוואנית

פורסם בתאריך ע"י Techtime

חברת Kioxia היפנית (לשעבר Toshiba Memory) השלימה את רכישת חברת Solid State Storage Technology, שהיא חטיבת כונני ה-SSD של חברת LITE-ON Technology הטאיוואנית. העיסקה היתה אמורה להסתיים בחודש מרץ 2020, אולם עקב מגיפת הקורונה נאלצו שתי החברות לעצור את פעילויות העברת העובדים והמתקנים, ולכן העיסקה הושלמה רק השבוע. העיסקה, בהיקף של כ-160 מיליון דולר, נועדה לחזק את מעמדה של החברה כספקית כונני זכרון למרכזי נתונים ולתשתיות ענן.

החברה הטאיוואנית הוקמה בשנת 2009 ומתמקדת בייצור כונני איחסון עבור מרכזי נתונים, תשתיות ענן ומרכזי מחשוב ארגוניים. מדובר במהלך נוסף בסדרה של פעולות שנועדו להחזיר את יצרנית זכרונות הפלאש היפנית אל מסלול הצמיחה. בשנת 2018 נפרדה טושיבה מקבוצת הזכרונות שלה, ובאוקטובר 2019 היא החליפה את המותג מטושיבה זכרונות ל-Kioxia, המורכב מהמילה היפנית kioku שמשמעה זכרון, ומהמילה היוונית axia שמשמעותה הוא "ערך".

קיוקסיה מחפשת אסטרטגיית צמיחה

החברה מתמודדת עם ירידה גדולה במכירות: בשנת 2019 הסתכמו מכירותיה בכ-9.2 מיליארד דולר, בהשוואה למכירות בהיקף של כ-11.7 מיליארד דולר בשנת 2018. כדי לחדש את הצמיחה, היא מינתה השבוע את נשיא ומנכ"ל אפלייד מטיריאלס לשעבר, מייק ספלינטר, לדירקטור שתפקידו לקדם את צמיחת החברה. ספלינטר הוא אחד מהמנהלים הוותיקים והמצליחים בתעשיית השבבים העולמית. הוא החל את דרכו בשנות ה-70 כמנהל מפעל ייצור השבבים רוקוול, לאחר מכן שימש במשך כ-20 שנה בתפקידי סגן נשיא תפעולי בחברת אינטל העולמית, ובשנים 2003-2013 ניהל את חברת אפלייד מטיריאלס. כיום הוא משמש דירקטור בחברת TSMC ויו"ר חברת NASDAQ, שהיא הבורסה הטכנולוגית החשובה ביותר בעולם.

זכרון פלאש תלת-מימדי בעל 112 שכבות

במקביל, היא חשפה טכנולוגיית זיכרון חדשה, והחלה לספק השבוע דוגמאות הנדסיות ללקוחות פוטנציאליים של כונן ה-SSD החדש בפורמט E3.S המיועד למרכזי מחשוב גדולים. הכונן מבוסס על משפחת כונני CM6 של החברה ומופיע בגודל של "2.5. הוא כולל רכיבי זכרון מסוג BiCS FLASH 3D TLC, ומיועד לפעול במערכות המבוססות על תקן ערוץ התקשורת החדש, PCIe 5.0. הכונן מבוסס על טכנולוגיה חדשה שהחברה חשפה בחודש ינואר השנה.

מדובר בדור החמישי של שבבי זכרון פלאש בלתי נדיפים (NVME) של החברה. היא כוללת איחסון של 3 ביטים בכל תא זיכרון, ומיוצרת בתצורה תלת-מימדית המעמידה תאי זכרון אחד על-גבי השני במתכונת מגדל, בתהליך הכולל 112 שכבות ייצור סיליקון נפרדות. בשלב הראשון החברה מתכננת לספק את הרכיבים ברמת נפח זכרון של 512Gbit, ובהמשך לשדרג אותם לנפח זכרון של 128Gbit ו-1.33Terabit בתהליך ייצור עתידי הכולל שמירת מידע של 4 ביטים בתא זכרון יחיד.

טאואר-ג'אז והטכניון פיתחו רכיב ממריסטור לייצור שבבי בינה מלאכותית

פורסם בתאריך ע"י Techtime

פרופ' שחר קוטינסקי מהפקולטה להנדסת חשמל בטכניון (בתמונה למעלה), ביחד עם הדוקטורנט לואי דאניאל ועם חברת טאואר-ג'אז (TowerJazz), הצליחו לייצר ממריסטור זול מאוד ובטכנולוגיה מוכחת, המאפשר לבנות רשתות נוירוניות גדולות מאוד המבצעות עיבוד (לימוד והסקה) אנלוגי של המידע. החוקרים ייצרו התקן בעל שני הדקים (Two-terminal Floating-gate Transistor) באמצעות שינוי קל בתהליך של טאואר-ג'אז לייצור זכרונות פלאש בטכנולוגיית CMOS בגיאומטריה של 180 ננומטר.

התוצאה היא ממריסטור הזוכר 65 ערכי התנגדות שונים, בהתאם למתח המוטען עליו בשלב הכתיבה בהדק העליון, ומפיק בהדק התחתון 65 ערכי זרם שונים בשלב הקריאה. רעיון הממריסטור הועלה לראשונה בתחילת שנות ה-70 על-ידי פרופ' לאון צ'ואה היפני. במאמר תיאורטי שפירסם הוא טען שהמערכות האלקטרוניות הקיימות מבוססות על השילוש נגד-קבל-סליל. הוא הציע רכיב נוסף – נגד המסוגל לזכור מצבים – שהוא העניק לו את השם ממריסטור (Memory Resistor). כלומר, נגד שיכול לשנות את ההתנגדות שלו ולכן גם לשמש כבסיס לייצור זכרונות התנגדותיים בלתי-נדיפים.

הפלאש הפך למתג אנלוגי

מאז נעשו מאמצים רבים לייצר ממריסטורים וזכרונות התנגדותיים, אולם ברוב המקרים מדובר ברכיבים מעבדתיים או יקרים ובעלי מגבלות גודל. פריצת הדרך החשובה בפרוייקט של טאואר-גאז והטכניון היא ביכולת לייצר ממריסטור לומד בטכנולוגיה קיימת וזולה מאוד. במחקר תיאורטי של קוטינסקי שנערך בשנה שעברה, הוא הוכיח שרשתות לימוד עומק (Deep Learning) הבנויות על-פי העיקרון הזה, יכולות להיות מהירות פי 1,000 בהשוואה ליישום דיגיטלי שלהן המבוסס על שימוש במעבדי GPU.

התוצאה היא מעין מתג אנלוגי המתפקד כמו סינפסה ברשת נוירונית מהירה, אשר פועל במתחים נמוכים (בסביבות 1V). תהליך הלימוד (כתיבה) נעשה באמצעות שינויים במתח (דלתא) המאפשרים תהליך למידה עם כל מחזור, באמצעות תיקון של המשקל הקיים בכל מתג (המשקל הוא שווה ערך להתנגדות המתוקנת). תהליך ההסקה (קריאה) נעשה באמצעות מדידת הזרם המשותף של כל המתגים המצויים בעמודה מוגדרת (שווה ערך לכל המשקלים בשכבת עיבוד ברשת נוירונית).

חישוב מהיר המפיק תשובה במחזור שעון יחיד

בראיון ל-Techtime הסביר קוטינסקי שתהליך הייצור הוא זול מאוד וקל מאוד, מכיוון שהוא מבוסס על טכנולוגיה קיימת שהשינוי שבוצע בה אפילו לא דורש שינוי במסיכות. כלומר, הוא נעשה ללא תוספת עלות. "לקחנו טכנולוגיה קיימת של טאואר-ג'אז, ובאמצעות שינוי קל בהתקן שלהם קיבלנו ממריסטור שהוא בעל ביצועים טובים יותר מאשר הממריסטורים המעבדתיים הטהורים. זוהי גרסה של מחשב אנלוגי מהיר מאוד, מכיוון שקריאת המידע מכל עמודה נעשית במחזור שעון אחד בלבד". לרשת החדשה יש את כל התכונות של זיכרון בלתי נדיף אמין: חברת טאואר-ג'אז מתחייבת שהוא שומר את המידע לפחות 10 שנים.

במחקר השתתפו גם פרופ' יעקב רויזין וד"ר יבגני פיחאי מחברת טאואר-ג'אז ופרופ'-משנה ראמז דניאל מהפקולטה להנדסה ביו-רפואית בטכניון. לדברי רויזין, "הממריסטור יושב על הטרנזיסטורים הקיימים של טאואר-ג'אז, ומתממשק באופן מיידי עם כל ההתקנים שאיתם הם עובדים. הטכנולוגיה החדשה נבחנה בתנאי אמת והראתה כי אכן היא ניתנת להטמעה ברשתות עצביות בחומרה. בדומה למוח, המערכת המשופרת מצטיינת בשמירת מידע לטווח ארוך ובצריכת אנרגיה נמוכה מאוד".

הפרוייקט פורסם במאמר בכתב העת Natureelectronics. לקריאת המאמר הקליקו: כאן

אפלייד מטיריאלס הכריזה על מכונות לייצור זכרונות MRAM ,ReRAM ו-PCRAM

פורסם בתאריך ע"י Techtime

בתמונה למעלה: מערכת Endura Clover לייצור זכרונות MRAM התנגדותיים

חברת אפלייד מטיריאלס (Applied Materials) פיתחה שתי מערכות ייצור שבבים מסוג חדש לחלוטין, המאפשרות לייצר רכיבי זיכרון מסוג MRAM ,ReRAM ו-PCRAM, המיועדים בעיקר לשימוש ביישומי IoT הדורשים זכרונות אמינים, זולים וחסכוניים מאוד באנרגיה. שתי המערכות החדשות הן Endura Clover ו-Endura Impulse. "פלטפורמות Endura החדשות הן המערכות המתוחכמות ביותר לייצור שבבים אשר אפלייד ייצרה אי-פעם", אמר מנהל קבוצת הסמיקונדקטורס באפלייד מטיריאלס, ד"ר פראבו ראג'ה. "הצלחנו לשלב מספר רב של טכנולוגיות הנדסת חומרים במקביל למטרולוגיה ולייצור שכבות ומבנים חדשים, אשר לא התאפשרו עד היום".

מאחורי ההכרזה ניצב משבר בתעשיית רכיבי הזכרון שהתעשייה מחפשת מענה עבורו. הטכנולוגיות הנפוצות כיום לזיכרונות הן Flash NAND ו-DRAM שהומצאו לפני עשרות שנים ונמצאות בכל התקן או מערכת דיגיטלית. אולם הן מתחילות להגיע לקצה גבול יכולת השיפור שלהן. זיכרון פלאש הינו זיכרון בלתי-נדיף השומר על המידע כאשר המכשיר כבה ולכן מצוי בשימוש נרחב באבזרים מבוססי סוללה וביישומים הרושמים ומוחקים כמויות גדולות של מידע, כגון מכשירי מובייל, כונני SSD, התקני USB ועוד. אולם הוא מספק קצב איטי יחסית של כתיבת וקריאת מידע.

תעשיית רכיבי הזיכרון בצומת של קבלת החלטות

לכן ביישומים הדורשים הרצת מידע מהירה כמו למשל בזכרונות מטמון לצד המעבד, נעשה שימוש בזיכרון מסוג DRAM. אולם זהו זיכרון נדיף המאבד את המידע ברגע שהמכשיר כבה. כיום התעשייה מחפשת מענה לדרישות חדשות: זיכרון בלתי נדיף בעל מהירות כתיבה וקריאה גבוהה, קיבולת נתונים (נפח זיכרון) גדולה והספק עבודה נמוך. בשנתיים האחרונות התעשייה מייצרת זכרונות בטכנולוגיית 3D NAND, המאפשרת להציב תאי זיכרון אחד על גבי השני באופן רב-שכבתי (תצורת מגדל), ועל-ידי כך לדחוס יותר קיבולת זיכרון בשבב יחיד.

אולם הההערכה הרווחת היא שתהליכי הייצור של הרכיבים החדשים מורכבים ויקרים מאוד ושרכיבי 3D NAND לא יצליחו לעמוד בדרישות המהירות וצריכת ההספק שהמוצרים החדשים דורשים. על הרקע הזה החל הפיתוח של טכנולוגיות זיכרון חדשות, כשהמובילות הן MRAM, ReRAM ו-PCRAM. אומנם הן מבטיחות יתרונות ייחודיים, אבל הן מבוססות על שימוש בחומרים חדשים שהתעשייה לא מכירה וקשים להתאמה לייצור המוני. לכן הההכרזה החדשה של אפלייד מטיריאלס היא בעלת משקל חשוב.

 

מערכת Endura Impulse לייצור זכרונות PCRAM ו-ReRAM
מערכת Endura Impulse לייצור זכרונות PCRAM ו-ReRAM

התכונות המופלאות של זיכרון מגנטי

זיכרון MRAM הוא זכרון מגנטי (Magnetic Random-Access Memory) ונחשב לזכרון שיכול להחליף את הפלאש. הוא עשוי מחומרים מגנטיים עדינים המשמשים בדרך כלל בכונני דיסקים קשיחים. MRAM הוא זיכרון בלתי-נדיף אבל מהיר מאוד, וככל הנראה צפוי להחליף בשבל הראשון את זכרונות SRAM כזיכרון מטמון רמה 3. ניתן גם לשלב MRAM בשכבות העורפיות של שבבי IoT ובכך להקטין את מימדי השבב ואת העלויות.

כדי לסייע בהעברת MRAM לייצור המוני, חברת אפלייד מטיריאלס הכריזה השבוע על מערכת Endura Clover MRAM PVD הבנוייה משבעה תאי עיבוד נפרדים של פרוסת הסיליקון בתנאי ואקום גבוה. זוהי מערכת ה-300 מ"מ הראשונה בתעשייה לייצור המוני של זכרונות MRAM. היא מסוגלת לשקע עד חמישה חומרים שונים בכל תא. כדי לייצר זכרונות MRAM יש צורך בשיקוע של לפחות 30 שכבות שונות של חומר ברמת דיוק של מספר אנגסטרם בודדים, ובלא להוציא את פרוסת הסיליקון מתא הוואקום כאשר נעשה מעבר משכבה לשכבה או מחומר לחומר.

כדי להבטיח איכות ייצור אופטימלית, המערכת כוללת ציוד מטרולוגיה המשולב בתוך מערכת הייצור, אשר מבצע בדיקת עובי השכבות ברמת דיוק של חמישית אנגסטרם (0.2Angstrom). פלטפורמות הייצור השנייה היא Endura Impulse המיועדת לייצר שבבי זכרון מסוג ReRAM – Resistive RAM, ומסוג PCRAM – Phase-Change RAM. זכרון ReRAM משלב את יתרונות הפלאש (בלתי נדיף) וה-DRAM (מהיר): הוא בלתי נדיף, מהיר, פועל בהספק נמוך ובעל מחזור חיים ארוך.

כיצד מייצרים "זכוכית זוכרת"

טכנולוגיית ReRAM מבוססת על שימוש בחומרים המשנים את התנגדותם החשמלית בתגובה למתח חשמלי (בדומה לנתיך), ועל-ידי כך "זוכרים" את רמת המתח גם לאחר הניתוק ממקור הכוח. טכנולוגיית PCRAM מבוססת על היכולת של גביש זכוכית המזוהם בחומרים מוגדרים, לשנות את מצב הצבירה שלו מגבישי לאמורפי ולהיפך, באמצעות זרם חשמלי. גם הוא בלתי נדיף, מהיר, מאפשר הגדלת כמות באמצעות יצירת מספר שכבות ופחות סובל מזליגות בהשוואה לזכרונות פלאש (הטכנולוגיה נמצאת בשימוש נרחב בדיסקים מסוג DVD).

שני סוגי הזכרון האלה מתחרים על מקומה של טכנולוגיית DRAM. פלטפורמת Endura Impulse כוללת תשעה תאי ייצור תהליכיים בתנאי ואקום, בדומה למערכת Clover. גם כאן מערכת הבקרה והמטרולוגיה משולבת בתהליך הייצור עצמו, ומספקת מדידות של התהליכים ברמת דיוק של 0.2 אנגסטרם כדי להבטיח ייצור ברמת דיוק של אנגסטרמים בודדים.

Weebit Nano מתקרבת למסחור זיכרון ReRam למערכות משובצות

פורסם בתאריך ע"י yochais

חברת הסטראט-אפ מהוד השרון Weebit Nano הצליחה להגדיל את אב-הטיפוס של זיכרון ה-ReRam שהיא מפתחת למערך של 4 קילו-בייט (4kb), כלומר 4,000 תאי זיכרון עובדים על גבי פרוסת סיליקון. מדובר בנקודת ציון נוספת במפת הדרכים של החברה בדרך למסחור טכנולוגיית ה-ReRam שלה, שמיועדת להחליף את זיכרון הפלאש הנפוץ. בחברה מציינים כי ניסויים שבוצעו באב-הטיפוס החדש לא הציגו ירידה בביצועים כתוצאה מהגדלת השבב.

על פי החברה, קצב הפיתוח מתקדם מהר מהמתוכנן. בחודש נובמבר 2017 ביצעה החברה את פריצת הדרך המשמעותית הראשונה והציגה, כחודש לפני המועד המתוכנן, מודל ראשוני של תא זיכרון בודד על גבי פרוסת סיליקון של 40 ננומטר. כעת, לאחר שהגדילה את המערך ל-4,000 תאי זיכרון, היעד הבא הוא לעלות מדרגה נוספת ולהשלים עוד השנה את הפיתוח של שבב זיכרון ReRam בגודל של מיליון בייטים (1Mb) והתחיל לשווק זיכרון ReRam בלתי נדיף (Non-Volatile) למערכות משובצות.

ReRam – הדור הבא של הזיכרונות

כיום קיימים שני סוגי זיכרון מרכזיים בתעשייה: טכנולוגיית Flash NAND וטכנולוגיית DRAM. הפלאש הינו זיכרון "בלתי נדיף", כלומר הוא משמר את המידע המאוחסן גם כאשר זרם החשמל נפסק והמכשיר כבה. משום כך הוא משמש ביישומים המעלים ומוחקים כמויות גדולות של מידע, כגון מכשירי מובייל, נגנים, כונני SSD, התקני USB ועוד. עם זאת, החיסרון המרכזי של הפלאש הוא בקצב איטי מאוד יחסית של כתיבת וקריאת מידע. לכן ביישומים שבהם נדרשת הרצת מידע מהירה נעשה שימוש בזיכרון מסוג DRAM, למשל במעבדי מחשב ובזכרונות מטמון שבאמצעותם מריצים את תוכנות ההפעלה וניגשים לקבצים הדורשים פעולה מהירה. בניגוד לפלאש, ה-DRAM הינו זיכרון נדיף: ברגע שהמכשיר כבה – המידע נמחק לחלוטין.

הביקוש הגואה בשוק הזיכרונות, שצפוי רק להמשיך ולעלות בשנים הקרובות, מבשר על קצה גבול היכולת העתידית של הטכנולוגיה הזו: תחומים מתפתחים כמו בינה מלאכותית, רכב אוטונומי, מרכזי מידע, תשתיות IoT ועוד, מצריכים מהירויות כתיבה וקריאה גבוהות מאוד, קיבולת נתונים (נפח זיכרון) גבוהה מאוד – והספק עבודה נמוך.

היעד הראשון: מסחור זיכרון למערכות משובצות

כאן נכנסת לתמונה Weebit Nano. החברה מפתחת זיכרון מסוג חדש הקרוי ReRAM ((Resistive Random Access Memory, אשר משלב בין היתרונות של הפלאש ושל ה-DRAM: בלתי נדיף, מהיר, פועל בהספק נמוך ובעל מחזור חיים ארוך.

קובי חנוך, מנכ"ל Weebit Nano

המטרה הגדולה שלWeebit Nano  היא לפתח בסופו של דבר שבבי זיכרון במערכים גדולים של ג'יגה-בייטים וטרה-בייטים, שיוכלו לתת מענה לכל צרכי שוק ה-DRAM וה-NAND. אם תצליח בכך, היא עשויה להפוך את הטכנולוגיה שלה לטכנולוגיית הדור הבא של תעשיית רכיבי הזיכרון, שהיקפה נאמד כיום בכ-40 מיליארד דולר בשנה.

ואולם, האסטרטגיה הנוכחית של החברה כעת היא להוציא לשוק כמה שיותר מהר שבב זיכרון קטן יותר, שנותן מענה לפלח מסוים של השוק, וזאת כדי להתחיל ולייצר הכנסות לפני שהיא ממשיכה בפיתוח הלאה. מנכ"ל החברה, קובי חנוך, בריאיון ל-TechTime: "פיתוח שבבי ReRam לרכיבי זיכרונות גדולים, כדוגמת USB או כונני SSD, זהו תהליך שעוד יימשך שנות עבודה רבות. ואולם, בתור חברה קטנה שרוצה להגיע למכירות כמה שיותר מהר, אנחנו מתכוונים תחילה להוציא לשוק שבבי זיכרונות למערכות משובצות, שבהן נדרשים מערכי זיכרון קטנים יותר. אחרי שנתחיל לייצר הכנסות נמשיך לפתח את הזיכרונות העצמאיים לשוק הזיכרונות הבלתי נדיפים."

דמויות בכירות בהנהלה

Weebit Nano אינה היחידה במשחק. שורה של יצרניות זיכרונות מובילות, כגון פנאסוניק, HP ו-Dell כבר הצהירו על כוונתן להתחיל בייצור המוני של שבבי ReRAM בשנים הקרובות. כמו בכל שוק חדש, אלו שיהיו שם ראשונות יוכלו לזכות בנתח שוק משמעותי ולהכתיב א הסטנדרט בתעשייה. חנוך מעודד מקצב ההתקדמות של החברה ביחס למתחרות. "לוח הזמנים שלנו הוא מאוד תחרותי. אנחנו מצליחים לעשות את הדברים הרבה יותר מהר מהמתחרים, שהתחילו לפתח את הטכנולוגיה שלהם כבר לפני 7-10 שנים. אנחנו התחלנו רק לפי 3 שנים וכבר משיגים את רובם. על פי התכנון, נוכל להתחיל ולמסחר את המוצר הראשון לתחום המערכות המשובצות בעוד כשנתיים. כשנה תוקדש לשיפור הפרמטרים, וכשנה נוסת להעברת הטכנולוגיה למפעל ייצור."

היתרון המשמעותי הנוסף של Weebit Nano הוא שהיא מסתמכת על על חסיליקון אוקסידי (SiOx), שהוא אחד החומרים הנפוצים ביותר בתעשיית השבבים ומשמש לייצור פרוסות סיליקון (Wafers). בניגוד למתחרים, המתבססים על חומרים אקזוטיים ויקרים יותר, החומר של Weebit מיועד לאפשר ייצור של הזיכרונות החדשים בקווי הייצור הסטנדרטיים הפועלים כיום בתעשיית השבבים, ללא התאמות מיוחדות ובעלות נמוכה.

"אנחנו מאוד מקפידים להשתמש בחומרים הסטנדרטיים שהפאבים משתמשים בהם, כלומר סיליקון אוקסידי. הדבר הכי חשוב בתעשיית הסמיקונדוקטור היא תשואה, כלומר, כמה שבבים עובדים על גבי פרוסת סיליקון. כבר חמישים שנה שבתעשייה מבצעים אופטימיזציה של תהליך הייצור של סיליקון אוקסידי, וזאת כדי להגיע לתשואה הגבוהה ביותר. המתחרים שלנו משתמשים בחומרים לא סטנדרטים, ועל כן כשהם יחלו בשלב הייצור הם ייתקלו בהמון בעיות מאחר שטכנולוגיית הייצור הקיימת לא מותאמת לחומרים אלה. אנחנו מאמינים, לעומת זאת, שכשאנחנו נגיע לייצור, משום שמדובר בחומר סטדנרטי, נוכל להגדיל את הייצור להיקפים המוניים ביתר קלות ולהגיע לרווחים גבוהים יותר."

Weebit, שהוקמה ב-2015, הונפקה בבורסה של אוסטרליה (ASX) ב-2016, במטרה למשוך משקיעים משוק ההון לחברה. תנועת המנייה בשנה האחרונה עשויה ללמד על העניין ההולך וגובר מצד המשקיעים בחברה: ב-12 החודשים האחרונים עלה ערך המנייה יותר מפי שלוש והחברה נסחרת לפי שווי שוק של 86 מיליון דולר.

Weebit Nano הצליחה למשוך להנהלה שלה כמה דמויות בכירות בתעשייה, שהצטרפותם לשורות החברה מלמדת על הפוטנציאל של הטכנולוגיה שלה. יו"ר הדירקטוריון של החברה הוא דיוויד פרלמוטר, מי שהיה בעבר מספר 2 באינטל והוביל את פיתוח מחשב הפנטיום. להנהלה הצטרף לא מכבר גם יואב ניסן כהן, שייסד את טאואר סמיקונדטור הישראלית ושימש כמנכ"ל החברה במשך כ-9 שנים. עוד חבר הנהלה הוא פרופסור ג'יימס טור מאוניברסיטת רייס בארצות הברית, שלמעשה פיתח את הפטנט המקורי שעליו מבוססת הטכנולוגיה של Weebit. ב-2014 טור נכלל ברשימת 50 המדענים המשפיעים ביותר בעולם. "אני מאוד גאה בצוות הנלה שלנו. יש לנו מנהלים יוצאי דופן בהשוואה לכל חברה בתעשייה הזאת, בטח עבור חברה קטנה כשלנו," אומר חנוך.